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公开(公告)号：CN1526807A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410005492.X
申请日：2004-02-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3723 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。
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公开(公告)号：CN103098180B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180043424.0
申请日：2011-07-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0206 , B81C1/00825 , C11D7/3209 , C11D7/3281
Abstract: 本发明提供一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少一种及水。另外，本发明还提供一种使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN102598220B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201080047541.X
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31111 , B81B2203/0361 , B81C1/00849 , H01L21/02057
Abstract: 含有选自由具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物、以及具有氟烷基的氧化胺化合物组成的组中的至少一种的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN104823267A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380062660.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/36 , C23G1/20 , C23G1/205 , G03F7/0752 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76814 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过用包含10～30质量％过氧化氢、0.005～10质量％季铵氢氧化物、0.005～5质量％氢氧化钾、0.000005～0.005质量％氨基多亚甲基膦酸、以及水的清洗液进行清洗，从而能够去除硬掩模(5)、有机硅氧烷系薄膜(6)、干法蚀刻残渣(8)以及光致抗蚀层(7)而不腐蚀低介电常数层间绝缘膜(4)、铜或铜合金等的布线材料(2)、阻隔金属层(1)以及阻隔绝缘膜(3)。另外，根据本发明的优选的方式，即使在清洗液中添加了酸的情况下也抑制铜布线的损伤、即使在清洗液添加了钛的情况下也不引起较大的过氧化氢的分解。
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公开(公告)号：CN104662643A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380028068.4
申请日：2013-06-06
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/768
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/044 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/308 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/76814 , H01L21/76838
Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102598220A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080047541.X
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31111 , B81B2203/0361 , B81C1/00849 , H01L21/02057
Abstract: 含有选自由具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物、以及具有氟烷基的氧化胺化合物组成的组中的至少一种的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN102575360A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044583.8
申请日：2010-09-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: B81C1/0092 , C09K13/00 , C23G1/26 , H01L21/02057
Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。所述处理液含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102484056A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080035064.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02057 , B81C1/00928
Abstract: 本发明提供能够抑制半导体装置或微机械等金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法。本发明涉及含有磷酸酯和/或聚氧化亚烷基醚磷酸酯的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、和使用其的金属微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN101331811B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200680047115.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H05K3/26 , C11D3/3947 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H05K3/0041 , H05K3/388 , H05K2203/0796 , H05K2203/124
Abstract: 本发明提供了一种含有氧化剂和唑系化合物、且pH为1-7的用于除去配线基板的残渣的组合物，以及使用该组合物除去干刻后的配线基板的残渣的配线基板的洗涤方法。通过使用本发明的用于除去残渣的组合物，在制备配线基板时不会腐蚀腐蚀性高的钛或钛合金，且可以有效除去来自干刻后残留的抗蚀剂或金属的残渣，特别是可以有效制备使用含有钛或钛合金的配线基板的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101331811A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047115.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H05K3/26 , C11D3/3947 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H05K3/0041 , H05K3/388 , H05K2203/0796 , H05K2203/124
Abstract: 本发明提供了一种含有氧化剂和唑系化合物、且pH为1－7的用于除去配线基板的残渣的组合物，以及使用该组合物除去干刻后的配线基板的残渣的配线基板的洗涤方法。通过使用本发明的用于除去残渣的组合物，在制备配线基板时不会腐蚀腐蚀性高的钛或钛合金，且可以有效除去来自干刻后残留的抗蚀剂或金属的残渣，特别是可以有效制备使用含有钛或钛合金的配线基板的半导体装置。
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