公开(公告)号：CN101632042A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880008229.2

申请日：2008-03-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀 ,  柏木秀王 ,  吉田宽史

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31133 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN101632042B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200880008229.2

申请日：2008-03-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀 ,  柏木秀王 ,  吉田宽史

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31133 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN101331811B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200680047115.X

申请日：2006-12-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 桑原英子 ,  柏木秀王 ,  松永裕嗣 ,  大户秀

IPC: H05K3/26 ,  B08B3/08 ,  C11D7/18 ,  C11D7/32 ,  C11D7/60 ,  H01L21/304

CPC classification number: H05K3/26 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/0796 ,  H05K2203/124

Abstract: 本发明提供了一种含有氧化剂和唑系化合物、且pH为1-7的用于除去配线基板的残渣的组合物，以及使用该组合物除去干刻后的配线基板的残渣的配线基板的洗涤方法。通过使用本发明的用于除去残渣的组合物，在制备配线基板时不会腐蚀腐蚀性高的钛或钛合金，且可以有效除去来自干刻后残留的抗蚀剂或金属的残渣，特别是可以有效制备使用含有钛或钛合金的配线基板的半导体装置。

公开(公告)号：CN101331811A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047115.X

申请日：2006-12-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 桑原英子 ,  柏木秀王 ,  松永裕嗣 ,  大户秀

IPC: H05K3/26 ,  B08B3/08 ,  C11D7/18 ,  C11D7/32 ,  C11D7/60 ,  H01L21/304

CPC classification number: H05K3/26 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/0796 ,  H05K2203/124

Abstract: 本发明提供了一种含有氧化剂和唑系化合物、且pH为1－7的用于除去配线基板的残渣的组合物，以及使用该组合物除去干刻后的配线基板的残渣的配线基板的洗涤方法。通过使用本发明的用于除去残渣的组合物，在制备配线基板时不会腐蚀腐蚀性高的钛或钛合金，且可以有效除去来自干刻后残留的抗蚀剂或金属的残渣，特别是可以有效制备使用含有钛或钛合金的配线基板的半导体装置。