公开(公告)号：CN102484056B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201080035064.5

申请日：2010-07-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 大户秀 ,  松永裕嗣 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B81C1/00928

Abstract: 本发明提供能够抑制半导体装置或微机械等金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法。本发明涉及含有磷酸酯和/或聚氧化亚烷基醚磷酸酯的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、和使用其的金属微细结构体的制造方法。

公开(公告)号：CN101199043B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680021432.4

申请日：2006-06-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 矢口和义 ,  安部幸次郎 ,  大户秀

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/16 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种腐蚀剂组合物、以及使用该组合物的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时，选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物；所述组合物为含有氟化合物、和作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂的水溶液，或者含有氟化物、作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂、以及无机酸和/或有机酸的水溶液。该组合物能够选择性地且高效地腐蚀金属材料。

公开(公告)号：CN101632042A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880008229.2

申请日：2008-03-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀 ,  柏木秀王 ,  吉田宽史

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31133 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN104823267B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201380062660.6

申请日：2013-11-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  尾家俊行 ,  中山亮太 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/36 ,  C23G1/20 ,  C23G1/205 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过用包含10～30质量％过氧化氢、0.005～10质量％季铵氢氧化物、0.005～5质量％氢氧化钾、0.000005～0.005质量％氨基多亚甲基膦酸、以及水的清洗液进行清洗，从而能够去除硬掩模(5)、有机硅氧烷系薄膜(6)、干法蚀刻残渣(8)以及光致抗蚀层(7)而不腐蚀低介电常数层间绝缘膜(4)、铜或铜合金等的布线材料(2)、阻隔金属层(1)以及阻隔绝缘膜(3)。另外，根据本发明的优选的方式，即使在清洗液中添加了酸的情况下也抑制铜布线的损伤、即使在清洗液添加了钛的情况下也不引起较大的过氧化氢的分解。

公开(公告)号：CN104662643B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380028068.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  安部幸次郎 ,  吉田宽史 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/044 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。

公开(公告)号：CN103098181B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201180043435.9

申请日：2011-07-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B81C1/00825

Abstract: 本发明提供用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。另外，本发明提供使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。

公开(公告)号：CN102640264B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080047543.9

申请日：2010-10-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 大户秀 ,  松永裕嗣 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00849 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法，所述处理液含有具有烃基且包含氧亚乙基结构的图案倒塌抑制剂，所述烃基包含可以一部分或全部被氟取代的烷基和烯基的任一种。

公开(公告)号：CN102575360B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201080044583.8

申请日：2010-09-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 大户秀 ,  松永裕嗣 ,  山田健二

IPC: C23F1/00 ,  C23F4/00

CPC classification number: B81C1/0092 ,  C09K13/00 ,  C23G1/26 ,  H01L21/02057

Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。所述处理液含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN103098180A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043424.0

申请日：2011-07-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B81C1/00825 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281

Abstract: 本发明提供一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少一种及水。另外，本发明还提供一种使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。

公开(公告)号：CN100338530C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN02821688.1

申请日：2002-10-31

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 清水英贵 ,  松永裕嗣 ,  大户秀 ,  池本一人

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

Abstract: 在本发明的抗蚀剂剥离方法中，在氧气比例为2%体积或更低的氛围中，使具有残留抗蚀剂层的布线基质与抗蚀剂剥离组合物接触。优选在用过氧化氢预处理残留的抗蚀剂层之后除去抗蚀剂。在本发明的抗蚀剂剥离方法中优选使用含胺化合物、溶剂、强碱和水的抗蚀剂剥离组合物。