公开(公告)号：CN108448917B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201810150592.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西田信也

IPC: H02M7/48

Abstract: 得到能够有效地抑制电路电感的电力变换装置。通过4个功率半导体模块装置(100A)～(100C)的组合，实现了具有4并联结构的逆变器电路的电力变换装置。并且，在模块装置组(200AB1)及(200AB2)的每一个中，以交替地配置一个单位的功率半导体模块装置(100A)和一个单位的功率半导体模块装置(100B)的方式进行了混合配置。并且，功率半导体模块装置(100A)～(100C)具有电路元件组，这些电路元件组在具有晶体管(Tr1)及(Tr2)中的至少一个和二极管(Di1)及(Di2)这一点上是相同的。

公开(公告)号：CN110198128A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910139296.8

申请日：2019-02-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石野雅章 ,  西田信也

IPC: H02M7/00 ,  H02M7/483 ,  H02M7/5387

Abstract: 提供抑制了芯片温度的上升的3电平I型逆变器。具有：第1～第4开关器件，它们连接于第1、第2电位之间；第1～第4二极管，它们分别与第1～第4开关器件反向并联连接；以及第5、第6二极管，它们在第1、第2开关器件的连接节点和第3、第4开关器件的连接节点之间，以相对于第2、第3开关器件的串联连接反向并联的方式串联连接，第5、第6二极管的连接节点与输入节点连接，该输入节点呈第1电位与第2电位的中间电位，第2、第3开关器件的连接节点与输出节点连接，第2开关器件及二极管由第1反向导通IGBT构成，第3开关器件及二极管由第2反向导通IGBT构成。

公开(公告)号：CN104838493A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380062029.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 出尾晋一 ,  田屋昌树 ,  小原太一 ,  西田信也

IPC: H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K1/0203 ,  H01L23/049 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K7/2039 ,  H05K7/209 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076

Abstract: 本发明的目的在于提供一种功率模块，其能够抑制因散热基板向散热片的固定而产生的树脂壳体的变形，能够防止填充到树脂壳体内的树脂产生裂纹。在本发明的功率模块中，在端部设置有倾斜部的散热基板(20)搭载功率半导体元件(4)，配置成将该功率半导体元件(4)包围并使树脂壳体(6)与散热基板(20)相接，将散热片(10)配置成与散热基板(20)的功率半导体元件(4)的搭载面的相反面侧相接，并具有与散热基板(20)的倾斜部相接而将散热基板(20)按压于散热片(10)的按压机构(13)。

公开(公告)号：CN104103603A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410131059.4

申请日：2014-04-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 米山玲 ,  冈部浩之 ,  西田信也 ,  小原太一

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种使芯片座和半导体芯片的剥离得到抑制的半导体装置。本实施方式中的半导体装置（100）的特征在于，具有：引线框，其具有芯片座（1）和电极端子（5）；以及半导体芯片（3），其粘接在芯片座（1）的表面，半导体芯片（3）和除了底面之外的引线框由封装树脂（4）封装，在芯片座（1）的表面和半导体芯片（3）之间的粘接界面上形成有凹凸。

公开(公告)号：CN1701500B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200480001118.0

申请日：2004-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西田信也 ,  篠本洋介 ,  川久保守 ,  山田伦雄 ,  有泽浩一 ,  矢部正明

IPC: H02M7/12

CPC classification number: H02M1/4216 ,  H02M1/10 ,  H02M5/2573 ,  H02M7/5387 ,  H02M2001/008 ,  Y02B70/126

Abstract: 本发明提供一种三相功率变换装置及功率变换装置。在连接于三相4线式交流电源上的电力应用系统中，能够利用廉价的结构将系统的输入高谐波分量抑制到规定值。配置于电力应用系统(2)内的功率变换装置(5)由以下部件构成：三相功率变换装置(6)，用于接受三相4线式交流电源(1)的各线间电压，并向三相负载(3)供电；以及，单相功率变换装置(7)，接受三相4线式交流电源(1)的中性线和1个相之间的相电压，并向单相负载(4)供电。当提供了交流·直流变换功能时，三相功率变换装置(6)和单相功率变换装置(7)可以具有交流·直流变换功能、交流·交流变换功能以及指定的谐波抑制功能中的任何一种功能。布置并选择相应的负载的数目，使其最多与三相电力转换装置(6)以及单相电力转换装置(7)相同，从而整体上将对于电力应用系统(2)的输入抑制到规定值。