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公开(公告)号：CN115219021A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210832915.3
申请日：2022-07-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种芯片级超薄光功率计探头，包括一侧开口的外壳、安装在所述外壳开口处的光学玻璃，以及置于所述外壳的超薄热电芯片，所述超薄热电芯片朝向光学玻璃的一侧表面一体加工有光热敏感层，相对另一侧表面则设有恒温基底。与现有技术相比，本发明的探头具有良好的稳定性和可靠性，并可实现对光热敏感层温度的定量测量等。
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公开(公告)号：CN115206578A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210836043.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于辐射伏特效应和热电转换效应的芯片级核电池及其应用，该核电池由放射性同位素层，PIN结换能器件，热电换能器件和隔离防护层组成，提高了对β射线能量的利用率。利用MEMS加工工艺实现了PIN结换能器件和热电换能器件的高集成度和微型化制备，解决了传统工艺中的界面失效问题。此外，本发明的核电池具有可模块化的特点，可以通过串联形成电源组为集成电路供电。
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公开(公告)号：CN113358575B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110567316.9
申请日：2021-05-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明涉及一种基于薄膜热电器件的多颜色多材料光热传感器及试验设备，所述光热传感器包括光源、石英片、薄膜热电器件、温度控制模块、升压降噪模块和数据采集模块，所述薄膜热电器件一端为与待测样品接触的热端，另一端与所述温度控制模块接触，所述升压降噪模块通过导线分别连接薄膜热电器件和数据采集模块，所述薄膜热电器件采用热流垂直于界面的π型结构；所述光热传感器使用时，所述待测样品放置于热端，并透过所述石英片接受所述光源的照射。与现有技术相比，本发明可实现对微小温差的灵敏感知，能够对多颜色多材料待测样品的光热效果进行有效分辨，并对升温过程进行实时监控。
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公开(公告)号：CN113358575A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110567316.9
申请日：2021-05-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明涉及一种基于薄膜热电器件的多颜色多材料光热传感器及试验设备，所述光热传感器包括光源、石英片、薄膜热电器件、温度控制模块、升压降噪模块和数据采集模块，所述薄膜热电器件一端为与待测样品接触的热端，另一端与所述温度控制模块接触，所述升压降噪模块通过导线分别连接薄膜热电器件和数据采集模块，所述薄膜热电器件采用热流垂直于界面的π型结构；所述光热传感器使用时，所述待测样品放置于热端，并透过所述石英片接受所述光源的照射。与现有技术相比，本发明可实现对微小温差的灵敏感知，能够对多颜色多材料待测样品的光热效果进行有效分辨，并对升温过程进行实时监控。
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公开(公告)号：CN107093663A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710232389.6
申请日：2017-04-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种可编辑超薄纵向多层串联结构热电薄膜及制备方法和热电器件单元，该薄膜由多层材料纵向串联而成。串联组成薄膜的各层材料可采用以下方法中的一种或多种制成薄膜，包括液相法、物理气相法、电化学法等，物理气相法中例如磁控溅射、电子束蒸发或分子束外延法沉积薄膜，其中每层可同时使用上述其中一种薄膜制备方式，也可分别使用两种或多种薄膜制备方式。热电器件单元包括依次叠加的基底(1)、底电极(2)、超薄纵向多层串联结构热电薄膜柱(3)、顶电极(4)。与现有技术相比，本发明超薄纵向多层串联结构热电薄膜结构及性能可编辑，制成的热电器件尺寸及自重较小，相对于体结构的块体热电器件，性能提升空间更大，应用范围更广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115537920A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211345215.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B25/18 , C30B23/02 , C30B25/16 , C30B29/46 , C30B29/60 , C30B29/64 , C30B29/66 , C30B33/02 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用，利用硫族单质和过渡金属单质作为靶源，通过分子束外延技术，结合分步蒸发和后蒸发的策略，在衬底上进行气相沉积，从而得到高质量，大尺寸的二维过渡金属硫族化合物薄膜材料。与现有技术相比，本发明制备得到的薄膜形貌为少层平面结构、多层纳米棒结构或者多层纳米管结构，整个方法简单，高效，产物质量高，在高性能微纳器件、场效应晶体管、光电探测和集成电路等领域有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN115206580A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210836680.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: G21H1/10
Abstract: 本发明涉及一种放射性同位素核电池薄膜及其制备方法，该薄膜包括：基底；设置在基底上的平面型热电换能单元：其包括布置在所述基底上的内电极、外电极，以及至少一组的P型热电材料层和N型热电材料层，所述P型热电材料层和N型热电材料层的两端均分别连接所述内电极和外电极，所述内电极和外电极呈分段设置；核电换能单元：包括布置在内电极上的高阻衬底、以及位于高阻衬底上的核电换能材料；位于核电换能材料上的放射性同位素层。本发明的放射性同位素核电池薄膜同时利用了辐射伏特效应和热电转换效应，有利于提高对同位素辐射能量的利用率，且具有较长的横向尺寸，能建立大温差，提高热电换能单元的输出性能等。
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公开(公告)号：CN115078762A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210805187.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种高灵敏风速传感器及试验设备，包括风道、薄膜热电器件、控温热板、升压降噪模块和数据采集模块，所述风道上开设有用于安装所述薄膜热电器件的安装孔，所述薄膜热电器件与控温热板面接触连接，所述薄膜热电器件、升压降噪模块和数据采集模块依次连接，所述薄膜热电器件与风道内待测气流接触的一侧为冷端，与控温热板接触的一侧为热端，所述薄膜热电器件所在平面与风道内的待测气流之间的夹角为0‑90度。与现有技术相比，本发明具有灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN109616471B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811523977.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/06 , G21H1/06 , H01L21/822 , H01L21/8252
Abstract: 本发明涉及一种微型核能自供电集成电路芯片及其制备方法，所述芯片包括基底以及设置于所述基底上的微型核电池和电子元件，所述电子元件通过绝缘层设置于基底上，所述微型核电池与电子元件连接，其中，所述微型核电池包括相连接的半导体换能单元和放射性同位素薄膜，所述半导体换能单元由上至下依次包括上电极、欧姆金属、换能半导体薄膜和肖特基金属以及与分别连接肖特基金属和换能半导体薄膜的下电极，所述放射性同位素薄膜与肖特基金属和下电极形成的表面相接触，半导体换能单元通过外部连接电路与电子元件连接；芯片整体尺寸在厘米级或以下。与现有技术相比，本发明具有能自供电、可极大提高自供电集成电路芯片的能量密度及使用寿命等优点。
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公开(公告)号：CN106600615B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201611044020.4
申请日：2016-11-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种图像边缘检测算法评价系统及方法，所述评价系统包括：标准边缘矩阵构造模块，获取标准参考图像并调整尺寸，读取经尺寸调整后的标准参考图像的像素矩阵，构造标准边缘矩阵；图像融合模块，将经尺寸调整后的标准参考图像融合入待测图像中，获得融合图像；边缘检测模块，以待评价算法对所述融合图像进行边缘检测，提取融合区域，获得参考图像矩阵；比对模块，将所述标准边缘矩阵和参考图像矩阵进行比对，获得待评价算法的评价结果。与现有技术相比，本发明具有应用简单方便、计算时间短等优点。
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