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公开(公告)号：CN115537920A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211345215.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B25/18 , C30B23/02 , C30B25/16 , C30B29/46 , C30B29/60 , C30B29/64 , C30B29/66 , C30B33/02 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用，利用硫族单质和过渡金属单质作为靶源，通过分子束外延技术，结合分步蒸发和后蒸发的策略，在衬底上进行气相沉积，从而得到高质量，大尺寸的二维过渡金属硫族化合物薄膜材料。与现有技术相比，本发明制备得到的薄膜形貌为少层平面结构、多层纳米棒结构或者多层纳米管结构，整个方法简单，高效，产物质量高，在高性能微纳器件、场效应晶体管、光电探测和集成电路等领域有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN115206580A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210836680.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: G21H1/10
Abstract: 本发明涉及一种放射性同位素核电池薄膜及其制备方法，该薄膜包括：基底；设置在基底上的平面型热电换能单元：其包括布置在所述基底上的内电极、外电极，以及至少一组的P型热电材料层和N型热电材料层，所述P型热电材料层和N型热电材料层的两端均分别连接所述内电极和外电极，所述内电极和外电极呈分段设置；核电换能单元：包括布置在内电极上的高阻衬底、以及位于高阻衬底上的核电换能材料；位于核电换能材料上的放射性同位素层。本发明的放射性同位素核电池薄膜同时利用了辐射伏特效应和热电转换效应，有利于提高对同位素辐射能量的利用率，且具有较长的横向尺寸，能建立大温差，提高热电换能单元的输出性能等。
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公开(公告)号：CN115078762A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210805187.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种高灵敏风速传感器及试验设备，包括风道、薄膜热电器件、控温热板、升压降噪模块和数据采集模块，所述风道上开设有用于安装所述薄膜热电器件的安装孔，所述薄膜热电器件与控温热板面接触连接，所述薄膜热电器件、升压降噪模块和数据采集模块依次连接，所述薄膜热电器件与风道内待测气流接触的一侧为冷端，与控温热板接触的一侧为热端，所述薄膜热电器件所在平面与风道内的待测气流之间的夹角为0‑90度。与现有技术相比，本发明具有灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN1195211C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03150487.6
申请日：2003-08-21
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种电子式内燃机轴系信号模拟器电路，属于动力工程领域。本发明的信号发生部分的信号输出端连到外接线部分signal out端子，如果选择本振信号，将外接线部分的signal out端子与pulse_in端子连接，如果接外部信号发生器，将外部信号发生器输入端与pulse_in端子连接，pulse_in端子与分频部分的输入端连接，分频部分输出与计数与止点发生部分连接，并由计数与止点发生部分来控制，这种控制由计数与止点发生部分的D触发器CD4013的第5脚与分频部分的十进制计数器CD4518的第15脚相连，计数与止点发生部分的D触发器CD4013的第1脚与分频部分的十六进制计数器CD4520的第7脚相连而完成。本发明具有同时模拟扭振信号、止点信号、可调节齿数和输出幅值的功能。
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公开(公告)号：CN115206579A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210836670.1
申请日：2022-07-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种模块化微型核电源、以及微型核电源装置，该微型核电源由放射性同位素层，核电换能模块，热电换能模块和电源管理装置组成。本发明中，核电换能模块可以将放射性同位素的衰变能转换成电能，热电换能模块可以将放射性同位素层和核电换能模块释放的低品位废热转换成电能，这种夹层形式的结构实现了对核能的多级高效利用，也有利于大规模生产和按需装配等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113308113A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110534757.9
申请日：2021-05-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种多孔氧化铝/聚苯胺光热材料及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：(1)往乙醇与水的混合溶剂中滴加植酸溶液与苯胺，混合均匀后，再加入多孔氧化铝，分散均匀；(2)接着加入氧化剂，混合均匀并静置，所得固体产物洗涤、干燥，即为目的产物多孔氧化铝/聚苯胺光热材料。与现有技术相比，本发明可解决多孔氧化铝难被完全浸润以及聚苯胺与氧化铝之间结合能力差的缺点，生产工艺简单高效，制备条件温和可控，具有大批量制备等。
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公开(公告)号：CN118211784A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410292560.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 刘妍
IPC: G06Q10/0631 , G06Q50/20 , G06F16/31 , G06F16/332 , G06N5/04
Abstract: 本发明提供一种可解释的学习服务系统及其构建方法，通过构建学习者学习模式、学习动力、思维认知、学习习惯一体的学习效能解释分析与诊断的方法，来形成学习干预服务。结构上搭建由教与学理论、认知和心理学理论、交互理论、脚本理论、个体特征、学习行为、交互数据、情境信息，学习改进方法组成的学习效能解释分析与诊断结构，形成从而能够在问题发生时即给出归因和解释并给出教育干预服务的形式和行为。本发明适用于在教与学过程中根据用户的需求为其提供其行为和问题的解释及干预服务，从而提升教与学的效率和质量。
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公开(公告)号：CN115568277A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211345253.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用，该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底，底电极层和顶电极层组装成忆阻器，这种忆阻器具有快速开关过程、高密度集成、以及更低的能耗等优势，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，有望运用在神经突触、图像识别、逻辑计算等领域。
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公开(公告)号：CN115219021A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210832915.3
申请日：2022-07-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种芯片级超薄光功率计探头，包括一侧开口的外壳、安装在所述外壳开口处的光学玻璃，以及置于所述外壳的超薄热电芯片，所述超薄热电芯片朝向光学玻璃的一侧表面一体加工有光热敏感层，相对另一侧表面则设有恒温基底。与现有技术相比，本发明的探头具有良好的稳定性和可靠性，并可实现对光热敏感层温度的定量测量等。
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