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公开(公告)号：CN106504787B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610925994.7
申请日：2016-10-24
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式闪存及其电流比较读出电路，包括：行译码，连接存储器阵列，用于在输入信号控制下选择对应行并输出字线/字线控制信号WL/WLS；存储器阵列，存储器阵列中每行字线/字线控制信号WL/WLS与每列位线相交处对应一存储单元，用于存储信息，存储器阵列中每行字线WL/WLS与冗余位线相交处对应一冗余存储单元，以在于读操作时匹配存储单元电流以及参考电流两端的容性/阻性负载；列译码，用于在读操作时将选中存储单元接至电流比较读出电路；电流比较读出电路，用于将选中存储单元的信息转换为数字信号输出，通过本发明，能够明显提高闪存的读出可靠性。
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公开(公告)号：CN109346123A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811241620.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种新型测试端口外部高压切换电路，包括内外部高压传输模块，用于在第三控制信号NG3的控制下将外部测试端口Tp的高压电压传输至内部高压信号Hv_vneg；衬底电压切换模块，用于在第一控制信号NG1的控制下选择性地将外部测试端口Tp的高压电压连接至MOS管的衬底电压PW；控制信号生成模块，用于在外部高压施加许可信号和高压信号使能信号PE的控制下生成第三控制信号选择电压Vpwr_NG3、第一控制信号NG1、第二控制信号NG2、第三控制信号NG3、第四控制信号NG4、第五控制信号NG5和第六控制信号NG6以及第三互补控制信号NG3b、第四互补控制信号NG4b和第五互补控制信号NG5b。
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公开(公告)号：CN105700608A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610250583.2
申请日：2016-04-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种使电荷泵输出电压具有多种温度系数的电路，包括电压分压电路、比较器、稳压器、振荡器、电荷泵以及滤波电容，该电压分压电路电压分压电路通过利用开关或金属修改项调整电阻网络的连接方式，利用金属修改项一次性或利用开关实时改变电荷泵的输出电压的温度系数，本发明通过在电荷泵的反馈回路中集成了具有多种温度系数调节的电路，使得电荷泵在擦除、写入和读出操作下的输出电压具有理想的温度系数。
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公开(公告)号：CN111881640B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202010762700.X
申请日：2020-07-31
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/347 , G06F30/398 , G06F30/392
Abstract: 本发明提供一种电可编程熔丝系统及其编程方法、读取方法，所述电可编程熔丝系统包括存储模块和参考模块。所述存储模块包括多个存储单元和多个第一比较器，所述多个存储单元呈阵列式排布。所述参考模块包括呈线性排布的多个参考单元和一个第二比较器。本发明在每行存储单元中连接一个参考单元以形成一参考模块，且所述参考模块的电路设计与每列所述存储单元的电路设计相同，故不仅在排版上能够节约版图面积，在制版过程中还易统一操作。此外，在读取每行所述存储单元的数据时，仅需读取一次所述参考模块的参考电流值作为存储电流值的统一比较值即可，不仅读取的功耗低，还能保证参考电流值的一致性，以提高读取的可靠性。
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公开(公告)号：CN114078548A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010831329.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C17/16
Abstract: 本发明公开了一种可编程存储器，其反熔丝单元是在常规反熔丝单元的反熔丝编程管和控制管之间增加一个熔丝，使该反熔丝单元具备了2次编程能力，既可以通过击穿反熔丝编程管的栅‑源隔离层实现正常编程，又可又利用熔丝熔断再次修正编程，可以对正常编程结果进行修正编程，改变反熔丝单元在正常编程后的逻辑状态。该可编程存储器，可以直接利用再次编程方法对错误位进行修正，简化了电路和版图设计，版图面积更小，可靠性更高，增加了适用性和灵活性，同时又继续保持反熔丝单元原有的数据可靠和安全的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113078160A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110364973.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L27/112
Abstract: 本发明提供了一种电可编程熔丝单元，所述电可编程熔丝单元包括熔丝和二极管，所述熔丝的一端形成所述电可编程熔丝单元的第一端，所述二极管的P极接于所述熔丝的另一端，所述二极管的N极形成所述电可编程熔丝单元的第二端。由于二极管可以以较小尺寸实现通过同样大小的编程电流，因此，本发明的电可编程熔丝单元的面积比传统结构的电可编程熔丝单元小，有利于减少芯片的面积。此外，二极管单向导通的特性，截断了电可编程熔丝单元内的寄生电容，使得电可编程熔丝单元读操作的速度可以更快。相应的，本发明还提供了一种电可编程熔丝阵列。相应的，本发明还提供了一种存储单元。
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公开(公告)号：CN112992245A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011562191.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路，efuse单元结构包括编程熔丝和参考熔丝；第一、第二NMOS管；参考熔丝的一端为efuse单元结构的SAref端口，另一端连接第二NMOS管的漏极；编程熔丝的一端为efuse单元结构的位线端口，另一端连接第一NMOS管的漏极；第一、第二NMOS管的栅极连接形成efuse单元结构的字线端口；第一、第二NMOS管的源极连接形成efuse单元结构的接地端口。本发明efuse单元结构对熔丝采用非熔断性编程操作，降低了对所需编程电流要求，可以在较低的编程电压下工作，使得系统功耗大幅下降。同时能可靠地比较编程熔丝和参考熔丝之间的微小差别，并采用非熔断机制，所需编程电流更小，从而缩小了efuse整体的面积。
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公开(公告)号：CN112885393A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110209114.7
申请日：2021-02-24
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种闪存存储器字线驱动电路，包括：第一行地址选择信号驱动电路，用于在某行被选中时将行地址选择信号经逻辑电路处理后产生的行译码输出控制信号转换为能够驱动字线的高压信号；字线选择开关，用于在所述行地址选择信号驱动电路输出的高压信号的控制下将读输出电压VPOS_RD接通至该选中行的字线以读取该选中行的信息；第二行地址选择信号驱动电路，用于在某行未被选中时将行地址选择信号经逻辑电路处理后产生的行译码输出控制信号低电平转换为高电平以将该未被选中行的字线接地。
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公开(公告)号：CN107293328B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710312461.6
申请日：2017-05-05
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构，包括矩阵单元、电流镜和基准电流源产生电路，所述基准电流源产生电路产生的基准电流经过所述电流镜成比例放大为编程电流，编程电流控制所述矩阵单元进行编程熔丝。所述矩阵单元包括m×n个熔丝单元、n个列选单元和译码单元，所述n个列选单元分别和n列熔丝单元连接，所述熔丝单元包括熔丝电阻和编程晶体管，所述列选单元包括列选晶体管，所述译码单元用于确定需要进行编程熔丝的熔丝单元所在的行列位置。本发明提供的一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构，采用电迁移机制编程熔丝，具有熔断阻值增大、编程熔丝电路结构稳定可靠的优良特性。
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公开(公告)号：CN107967927B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201711394120.4
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性读出电路，包括：存储器阵列，用于存储信息和产生参考单元的参考电流；列选择电路，用于根据列译码选择信号将选中存储单元的电流传输至存储单元bitcell电流产生以及读出电路，同时在读出控制信号的控制下将参考存储单元的电流传输至读出偏置电流Ibias产生电路；读出偏置电流Ibias产生电路，采用权重系数加权将参考存储单元电流和带隙基准电流进行合并得到读出偏置电流，并产生与读出偏置电流相匹配的读出偏置电压；存储单元bitcell电流产生以及读出电路，用于产生存储单元电流，并在读出偏置电压和输出许可信号的控制下对选中存储单元的单元电流和读出偏置电流进行比较并输出数字化的输出。
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