一种测试端口外部高压切换电路

    公开(公告)号:CN109346123B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201811241620.9

    申请日:2018-10-24

    Inventor: 顾明 金建明

    Abstract: 本发明公开了一种新型测试端口外部高压切换电路,包括内外部高压传输模块,用于在第三控制信号NG3的控制下将外部测试端口Tp的高压电压传输至内部高压信号Hv_vneg;衬底电压切换模块,用于在第一控制信号NG1的控制下选择性地将外部测试端口Tp的高压电压连接至MOS管的衬底电压PW;控制信号生成模块,用于在外部高压施加许可信号和高压信号使能信号PE的控制下生成第三控制信号选择电压Vpwr_NG3、第一控制信号NG1、第二控制信号NG2、第三控制信号NG3、第四控制信号NG4、第五控制信号NG5和第六控制信号NG6以及第三互补控制信号NG3b、第四互补控制信号NG4b和第五互补控制信号NG5b。

    一种具备修正功能的antifuse

    公开(公告)号:CN110400595A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910670124.3

    申请日:2019-07-24

    Inventor: 晏颖 金建明

    Abstract: 本发明提供一种具备修正功能的antifuse,包括:anti-efuse编程管、efuse link结构、控制管M1和控制管M2;anti-efuse编程管的源极、控制管M1的漏极与efuse link结构的一端连接;控制管M2的漏极与efuse link结构的另一端连接;控制管M1的栅极连接WL1控制信号;控制管M2的栅极连接WL2控制信号;anti-efuse编程管的栅极为该antifuse的VH端,控制管M1和控制管M2的源极分别为该antifuse的VL端。本发明提高了antifuse的适用性和灵活性,使得antifuse具备了修正能力,即可以对前一次编程结果进行再次修改,改变在第一次编程后的逻辑状态。对已经编程过的逻辑数据,再次进行编程,既扩大了使用灵活性,同时又继续保持antifuse原有的数据可靠和安全的特点。

    E-FUSE存储阵列、E-FUSE以及E-FUSE操作方法

    公开(公告)号:CN108766499A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810388020.9

    申请日:2018-04-26

    CPC classification number: G11C17/16 G11C17/18

    Abstract: 本发明提供一种E‑FUSE、E‑FUSE存储阵列以及E‑FUSE操作方法,属于集成电路技术领域,包括:按照行方向排列的N条字线、按照行方向排列的N条编程信号线、按照列方向排列的N条位线、按照列方向排列的N条源线以及N行*N列成矩阵排列的存储单元,存储单元包括栅极、漏极以及源极,N为正整数;其中,存储单元为PMOS型等效编程二极管电路;位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线,位于同一行的存储单元的N阱连接至同一编程信号线,位于同一列的每个存储单元的漏极分别通过熔丝电阻连接至同一源线,位于同一列的存储单元的源极连接至同一位线。本发明的有益效果:无需需要使用Deep NW里面小尺寸的NMOS编程选择驱动管,E‑FUSE存储单元版图面积小。

    一种嵌入式非易失存储器及其电流比较读出电路

    公开(公告)号:CN107516544A

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201710824111.8

    申请日:2017-09-13

    CPC classification number: G11C16/26 G11C16/08

    Abstract: 本发明公开了一种嵌入式非易失存储器及其电流比较读出电路,该存储器包括:存储器阵列、行译码、CMUX电路、电流比较读出电路,所述存储器阵列中每行字线WL/WLS与每列的位线相交处对应一存储单元bitcell,存储器阵列中每行字线WL/WLS与互补位线相交处对应一互补存储单元bitcell_b,所述存储器阵列中每列位线和互补位线连接至所述CMUX电路的输入,所述CMUX电路输出CL与互补列译码输出CLref至所述电流比较读出电路,通过本发明,可提高闪存读出电路的可靠性。

    一种降低存储器擦写功耗的电荷泵电路

    公开(公告)号:CN107493013A

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201710642793.0

    申请日:2017-07-31

    Inventor: 顾明 金建明

    Abstract: 本发明公开了一种降低存储器擦写功耗的电荷泵电路,包括:正高压时钟产生电路,用于产生正高压电荷泵所需的正高压时钟;正高压电荷泵,用于在正高压时钟的控制下产生正高压;正高压取样电路,用于产生调整正高压幅度的第一取样信号和产生正高压就绪信号所需的第三取样信号;正高压就绪信号产生电路,用于将该第三取样信号转换为数字形式的正高压就绪信号;负高压时钟产生电路,用于产生负高压电荷泵所需的负高压时钟;负高压电荷泵,用于在该负高压时钟的控制下产生负高压;负高压取样电路,用于产生调整该负高压幅度的第二取样信号;正高压负载与负高压负载,通过本发明,可降低非易失存储器擦写阶段功耗。

    一种驱动力可配置的电荷泵电路

    公开(公告)号:CN106992674A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201710370115.3

    申请日:2017-05-23

    Inventor: 金建明

    CPC classification number: H02M3/073 H02M2003/075

    Abstract: 本发明公开了一种驱动力可配置的电荷泵电路,包括:传输二极管模块,包括m级串联的传输二极管和一个特殊传输二极管,第一级传输二极管的输入端接输入信号,最后一级传输二极管的输出端接该特殊传输二极管的阳极,该特殊传输二极管的阴极为该电荷泵电路的输出;耦合电容模块,连接该传输二极管模块,其包括m组耦合电容阵,通过多级开关控制耦合电容,以实现可配置的耦合电容;时钟驱动模块,连接所述耦合电容模块,其包括2组时钟驱动电路,每组时钟驱动电路由N+1个时钟驱动器和N个时钟开关组成,通过多级时钟开关控制驱动模块工作与否以实现可配置的时钟驱动模块,通过本发明,实现了一种驱动力可配置的电荷泵电路。

    可编程电路及其编程方法、读取方法

    公开(公告)号:CN111881638B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202010760424.3

    申请日:2020-07-31

    Inventor: 晏颖 金建明

    Abstract: 本发明提供一种可编程电路及其编程方法、读取方法,所述可编程电路包括:第一选择单元、第二选择单元、第一编程单元、第二编程单元、第一控制单元以及第二控制单元。所述第一选择单元、所述第一编程单元及第一控制单元串联相接;所述第二编程单元的第一端与所述第一编程单元及所述第一控制单元连接;所述第二编程单元的第二端与所述第二选择单元及所述第二控制单元连接。当对第一编程单元编程时,所述第一选择单元、所述第一编程单元和第二控制单元形成通路。当对第二编程单元编程时,所述第二选择单元、所述第二编程单元和第一控制单元形成通路。本发明通过设置两个编程单元,并能够形成两条编程通路,以实现两次编程的功能,提高器件的性能。

    E-FUSE存储阵列、E-FUSE以及E-FUSE操作方法

    公开(公告)号:CN108766499B

    公开(公告)日:2021-05-21

    申请号:CN201810388020.9

    申请日:2018-04-26

    Abstract: 本发明提供一种E‑FUSE、E‑FUSE存储阵列以及E‑FUSE操作方法,属于集成电路技术领域,包括:按照行方向排列的N条字线、按照行方向排列的N条编程信号线、按照列方向排列的N条位线、按照列方向排列的N条源线以及N行*N列成矩阵排列的存储单元,存储单元包括栅极、漏极以及源极,N为正整数;其中,存储单元为PMOS型等效编程二极管电路;位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线,位于同一行的存储单元的N阱连接至同一编程信号线,位于同一列的每个存储单元的漏极分别通过熔丝电阻连接至同一源线,位于同一列的存储单元的源极连接至同一位线。本发明的有益效果:无需需要使用Deep NW里面小尺寸的NMOS编程选择驱动管,E‑FUSE存储单元版图面积小。

    一种并行冗余修正电路
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111243652A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010053416.5

    申请日:2020-01-17

    Inventor: 晏颖 金建明

    Abstract: 本发明提供一种并行冗余修正电路,包括:冗余修正标识产生模块,用于将输入的字地址和预设的冗余修正位所在的字地址比较;由修正位控制阵列和修正值阵列一一对应组合而成的修正阵列模块;修正位控制阵列受控于冗余修正标识,并将修正位地址进行解码后按照修正位地址的解码顺序一一并联而产生;用于将读入的每个字数据按位同步输入到所述修正位控制阵列中的修正模块。本发明采用并行处理方式代替传统的根据冗余位进行逐一修正的串行修正方式,减少修正过程中所需时间,相应降低了所需功耗;采用并行处理方式也简化电路和版图设计,缩减了版图面积,对于需要冗余修正数据位多的大容量OTP应用,效果明显。

    一种嵌入式闪存的电荷泵控制电路结构

    公开(公告)号:CN106328205B

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201610704743.6

    申请日:2016-08-22

    Inventor: 洪亮 金建明

    Abstract: 一种嵌入式闪存的电荷泵控制电路结构,其包括电荷泵控制单元;电荷泵控制单元包括正压电荷泵电压检测电路、负压电荷泵电压检测电路、电荷泵使能信号产生电路、泵压时钟分频电路和电荷泵泵压时钟源产生电路;其根据闪存电路外部提供的动态功耗配置信息以及正压电荷泵和负压电荷泵使能信号,对泵压时钟进行有效性控制,并通过对正压电荷泵和负压电荷泵的输出电压进行检测,判别正压电荷泵和负压电荷泵分别所处状态,设定的正压电荷泵和负压电荷泵的泵压时钟频率控制流程,在电压建立过程,分别实施泵压时钟频率控制,分别实时独立控制正压电荷泵和负压电荷泵的动态功耗,以控制嵌入式闪存在电荷泵输出电压建立时的动态功耗。

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