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公开(公告)号：CN117003572B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310959493.0
申请日：2023-08-01
IPC: C04B35/78 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法，包括以下步骤：S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中，抽真空，在氮气保护下提升温度至950‑1000℃，并控制压力为5‑10kPa，通入丙烯，沉积30min‑2h，关闭丙烯的通入路径，完成PyC的沉积；S2、在步骤S1的基础上，继续将温度提升至1300‑1500℃，并控制压力为3‑10kPa，通入甲基三氯硅烷(MTS)和氢气，沉积10min‑1h，关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径，完成SiC的沉积，降温并将压力升至常压，得到PyC/SiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyC/SiC多层界面相无法均匀沉积的问题。
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公开(公告)号：CN116535209B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310482118.1
申请日：2023-04-29
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种高熵稳定立方氧化锆和四方氧化锆相结构的方法，包括以下步骤：1)首先需要计算熵值并制备非水基陶瓷浆料，利用离子混合熵公式计算氧化锆陶瓷的理论熵值并且通过将分散剂粘结剂加入粉末进行球磨充分混合制备非水基陶瓷浆料；2)制备陶瓷混合粉末，所述的非水基陶瓷浆料进行烘干、粉粹、过筛形成氧化锆混合粉末；3)制备陶瓷坯体，所述氧化锆混合粉末通过压力机压制成陶瓷坯体：4)无压烧结得到氧化锆陶瓷，所述陶瓷坯体在管式炉中由氮气保护下烧结成型。
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公开(公告)号：CN116514564A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310481530.1
申请日：2023-04-28
IPC: C04B35/83 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化石墨烯改性的碳/碳复合材料及其制备方法，所述方法包括如下步骤：将氧化石墨烯溶液喷涂在碳纤维表面后烘干获得单层氧化石墨烯预制体；将多个涂刷粘结剂的单层氧化石墨烯预制体叠加后固化获得多层氧化石墨烯预制体。将多层氧化石墨烯预制体进行碳化处理获得氧化石墨烯改性的碳/碳复合材料。本发明采用低含量的氧化石墨烯就科获得高电磁屏蔽效能(超过40dB)的碳/碳复合材料，成本低且方法简单。
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公开(公告)号：CN113582729A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110917016.9
申请日：2021-08-11
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明属于陶瓷基复合材料技术领域，具体涉及一种陶瓷基复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种陶瓷基复合材料，包括纤维增强硅硼碳氮基体和沉积在所述纤维增强硅硼碳氮基体表面的碳化硅保护层。本发明提供的陶瓷基复合材料包含沉积在纤维增强硅硼碳氮基体表面的碳化硅保护层，所述碳化硅保护层中的硅在高温有氧环境下生成较厚的二氧化硅以隔绝外部氧气，保护内部的纤维增强硅硼碳氮基体，从而提高陶瓷基复合材料在高温(3000K)条件下的抗氧化性能和烧蚀性能。
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公开(公告)号：CN115259878B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211065009.1
申请日：2022-09-01
Applicant: 上海大学 , 上海大学绍兴研究院 , 尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司
IPC: C04B35/80 , C04B35/628 , C04B35/84 , C04B35/58
Abstract: 本发明公开一种抽滤掺杂工艺，具体为制备Ti3SiC2改性的SiCf/BN/SiBCN复合材料，包括以下步骤：首先先在SiC纤维的表面沉积BN界面，之后再用Ti3SiC2颗粒对其进行改性，得到所需要的SiC纤维，最后采用PIP工艺形成SiBCN基体，获得满足需要的SiCf/BN/SiBCN复合材料。本发明利用抽滤装置巨大的吸力来提供一个推动力，让含有Ti3SiC2颗粒物的悬浮液尽可能多地进入SiC纤维的孔隙中，进而最终改善复合材料的电磁屏蔽性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113354432B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110710648.8
申请日：2021-06-25
IPC: C04B35/80 , C04B35/52 , C04B35/628 , C04B35/58
Abstract: 本发明提供了一种碳基体结合硅硼碳氮基体的复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域，包括：将碳纤维预制体沉积碳化硅后进行热解碳沉积，再重复进行聚硅硼氮烷加压浸渍、固化和热解的操作，得到碳基体结合硅硼碳氮基体的复合材料。本发明首先在预制体碳纤维表面包覆碳化硅涂层，再沉积热解碳提高预制体的致密度，再掺杂聚硅硼氮烷，提高复合材料硅含量，在高温有氧环境下，能够与氧反应生成粘度很大的熔融态二氧化硅层，提高复合材料的抗烧蚀性能和力学性能。实施例的结果显示，本发明制备的复合材料的抗弯强度为352MPa，在3000K高温下的线烧蚀率为0.0031mm/s，质量烧蚀率为0.0452mg/(mm2·s)。
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公开(公告)号：CN115417699A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211067510.1
申请日：2022-09-01
Applicant: 上海大学 , 上海大学绍兴研究院 , 尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明公开一种PyC‑SiC‑HfC三界面相改性C/C‑SiBCN双基体抗烧蚀复合材料的制备方法，包括PyC‑SiC‑HfC界面相制备和C‑SiBCN基体制备，具体包括：(1)利用CVD工艺在碳纤维预制体的纤维表面制备PyC+SiC界面相得到带有一定厚度界面相的预制体；(2)将步骤(1)制得的预制体在HfC聚合物‑二甲苯溶液中多次浸渍，制得PyC‑SiC‑HfC三界面相改性碳纤维预制体材料；(3)通过CVI工艺制备C基体；(4)通过PIP工艺制备SiBCN改性基体；(5)固化裂解；(6)重复步骤(4)和(5)，最终得到C/PyC‑SiC‑HfC/C‑SiBCN复合材料。本发明采用一种PyC‑SiC‑HfC的三界面相互补耐高温体系，利用PyC良好的片层结构、HfC良好的抗烧蚀性能和SiC良好的热膨胀系数匹配能力来作为C/C‑SiBCN复合材料的界面相，以此来提高整个复合材料的抗烧蚀性能。
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公开(公告)号：CN113461433B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110895901.1
申请日：2021-08-05
Abstract: 本发明提供了一种预应力纤维增强C/SiBCN陶瓷复合材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料技术领域。本发明在重复PIP的过程中对纤维预制体层间进行改进，沿垂直于纤维预制体层间方向引入Z向预应力纤维，通过磨削钻孔将Z向预应力纤维引入SiBCN陶瓷基体中，垂直于轴向的预应力纤维可在PIP浸渍热解制备较厚试样的过程中抵消来自复合材料内部向外的内应力，改善结构陶瓷的受力性能，同时避免纤维过多拔出和层间破坏的现象；而且，Z向纤维能够增强材料沿轴向的力学性能，不仅减小了复合材料的内应力，还可以改善基体同增强体纤维的结合状况，解决了连续碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料基体层间过早开裂的问题。
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公开(公告)号：CN111592371B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010508372.0
申请日：2020-06-06
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开一种钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波复合材料及其制备方法，将碳化硅纤维预制体置于CVD炉恒温区内，在适合的温度范围内，采用化学气相渗透法在碳化硅纤维表面沉积钛硅碳界面层；然后将其置于含有聚碳硅烷和钛硅碳的浆料中进行浸渍，采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备陶瓷基复合材料。本发明制备出了含有Ti3SiC2界面的SiCf/SiC复合材料，工艺简单，成本低，且有效调控了吸波复合材料的介电常数，达到良好的吸波效果。
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公开(公告)号：CN118186365A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410292994.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/56 , C23C16/448
Abstract: 本公开涉及一种均质氮化硼薄膜及高效制备氮化硼薄膜的方法，包括：在反应炉的恒温区配置沉积腔室，所述沉积腔室小于反应炉内腔；所述沉积腔室管路连接气相前驱体氮源、气相前驱体硼源、载气源及稀释气源，在所述沉积腔室中，两种气相前驱体随流动的载气及稀释气在衬底表面进行氮化硼的化学气相沉积，得到初始氮化硼薄膜；所述化学气相沉积结束，利用惰性气体去除所述沉积腔室中残留的气相前驱体后，所述初始氮化硼薄膜继续随炉冷却，得到成品氮化硼薄膜；有效解决现有化学气相沉积法制备BN薄膜沉积效率低及薄膜的表面形貌不理想的问题。
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