公开(公告)号：CN103943474A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410022488.8

申请日：2014-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小森克彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供硅膜的形成方法及其形成装置。在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜的硅膜形成方法中，该硅膜的形成方法包括以下工序：第1成膜工序，以填充被处理体的槽的方式形成含有杂质的第1硅膜；掺杂工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜的表面附近掺杂上述杂质；蚀刻工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及第2成膜工序，以将第2硅膜填充于在上述蚀刻工序中被扩展了开口部的槽的方式形成第2硅膜。

公开(公告)号：CN102691048A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210073108.4

申请日：2012-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  池内俊之 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置，该成膜方法包括：将多个基板呈多层状搭载于反应管的步骤，上述多个基板形成有包括凹部在内的图案；成膜步骤，通过向上述反应管供给含硅气体及含氧气体，在上述多个基板上形成氧化硅膜；蚀刻步骤，通过向上述反应管供给含氟气体及氨气，对在上述成膜步骤中形成的上述氧化硅膜进行蚀刻，该成膜方法交替地重复上述成膜步骤和上述蚀刻步骤。