公开(公告)号：CN102543795B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110338976.6

申请日：2011-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理，以及供给不包含氨基的硅烷类气体而在晶种层上形成硅膜的处理。

公开(公告)号：CN104347353A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375010.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  高桥和也 ,  小森克彦 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  林宽之 ,  柿本明修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。

公开(公告)号：CN102543795A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110338976.6

申请日：2011-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理，以及供给不包含氨基的硅烷类气体而在晶种层上形成硅膜的处理。

公开(公告)号：CN108239766A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711431130.0

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木聪 ,  小森克彦 ,  冈田充弘 ,  渡边将久 ,  高桥和也 ,  矢野一纪 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67303 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/68714

Abstract: 成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。

公开(公告)号：CN102691048B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210073108.4

申请日：2012-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  池内俊之 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置，该成膜方法包括：将多个基板呈多层状搭载于反应管的步骤，上述多个基板形成有包括凹部在内的图案；成膜步骤，通过向上述反应管供给含硅气体及含氧气体，在上述多个基板上形成氧化硅膜；蚀刻步骤，通过向上述反应管供给含氟气体及氨气，对在上述成膜步骤中形成的上述氧化硅膜进行蚀刻，该成膜方法交替地重复上述成膜步骤和上述蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN104183535A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410228924.7

申请日：2014-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木大介 ,  高桥和也 ,  冈田充弘 ,  小森克彦 ,  小野寺聪

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667

Abstract: 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。

公开(公告)号：CN108239766B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201711431130.0

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木聪 ,  小森克彦 ,  冈田充弘 ,  渡边将久 ,  高桥和也 ,  矢野一纪 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/205

Abstract: 成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。

公开(公告)号：CN104347353B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410375010.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  高桥和也 ,  小森克彦 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  林宽之 ,  柿本明修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。

公开(公告)号：CN104183535B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201410228924.7

申请日：2014-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木大介 ,  高桥和也 ,  冈田充弘 ,  小森克彦 ,  小野寺聪

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667

Abstract: 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。

公开(公告)号：CN103943474B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410022488.8

申请日：2014-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小森克彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供硅膜的形成方法及其形成装置。在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜的硅膜形成方法中，该硅膜的形成方法包括以下工序：第1成膜工序，以填充被处理体的槽的方式形成含有杂质的第1硅膜；掺杂工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜的表面附近掺杂上述杂质；蚀刻工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及第2成膜工序，以将第2硅膜填充于在上述蚀刻工序中被扩展了开口部的槽的方式形成第2硅膜。