公开(公告)号：CN109524358A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201810051242.1

申请日：2018-01-18

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 藤田努 ,  友野章 ,  大野天颂

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的实施方式提供一种既抑制了半导体芯片的不良又提高了与封装树脂的密接性及杂质吸除效果的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体衬底。半导体元件设置于半导体衬底的第1面上。能量吸收膜设置于第1面上，吸收光能而发热。第1绝缘膜设置于半导体元件及能量吸收膜上。第2绝缘膜设置于处在第1面相反侧的半导体衬底的第2面上。第1改质层设置于处在第1面外缘与第2面外缘之间的半导体衬底的侧面。第2改质层设置于能量吸收膜与第1改质层之间的侧面。劈开面设置于第1改质层与第2改质层之间的侧面。

公开(公告)号：CN109500505A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810155185.1

申请日：2018-02-23

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 南中理 ,  藤田努 ,  徳渕圭介 ,  友野章 ,  大野天颂

IPC: B23K26/57 ,  B23K26/04 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体制造装置，能抑制激光光束的散射，并能在相对短时间内高品质地加工半导体衬底。实施方式的半导体制造装置通过对半导体衬底照射激光，沿着切断预定线在半导体衬底上形成改质区域。光源出射激光。光学系统具有将激光聚光于半导体衬底的物镜。光调制器能够对激光的能量密度分布进行调制。控制部对光调制器进行控制，使得激光的能量密度分布的峰值位置从物镜的光轴朝向光学系统相对于半导体衬底的相对移动方向偏移。

公开(公告)号：CN105990187B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201510097273.7

申请日：2015-03-04

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 藤田努

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式是当在将多个半导体零件隔着接着层贴附在扩张片上的状态下拉伸扩张片而将接着层分割时，抑制未分割区域的产生。实施方式的半导体制造装置包括：第二环，对于具备第一环、被所述第一环固定的扩张片及隔着接着层贴附在所述扩张片上并且相互被分割的多个半导体零件的被处理体，压接所述扩张片；第三环，压制所述第一环；以及驱动机构，使所述被处理体及所述第二环中的至少一个升降，以使所述第一环与所述第二环之间产生高低差而拉伸所述扩张片；并且所述第二环的外周或所述第三环的内周具有如下形状：与第一方向正交的第二方向的宽度比所述第一方向的宽度小。