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公开(公告)号：CN104425334B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201310741341.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的实施方式提供能够既抑制对半导体芯片的损伤又可靠地对半导体晶片以及粘接层中的至少一方进行分割的半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：保持机构，其对在贴附有半导体晶片的带的位于所述半导体晶片的周围的空白部分所贴附的环进行保持；和工作台，其通过相对于环相对地上升从而对所述带进行扩展。工作台具有对半导体晶片的除外周区域外的中央区域进行吸附的第1吸附部。
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公开(公告)号：CN109500505B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810155185.1
申请日：2018-02-23
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: B23K26/57 , B23K26/04 , B23K101/40
Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体制造装置，能抑制激光光束的散射，并能在相对短时间内高品质地加工半导体衬底。实施方式的半导体制造装置通过对半导体衬底照射激光，沿着切断预定线在半导体衬底上形成改质区域。光源出射激光。光学系统具有将激光聚光于半导体衬底的物镜。光调制器能够对激光的能量密度分布进行调制。控制部对光调制器进行控制，使得激光的能量密度分布的峰值位置从物镜的光轴朝向光学系统相对于半导体衬底的相对移动方向偏移。
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公开(公告)号：CN111697049A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910705044.7
申请日：2019-07-31
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L27/092 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 根据一个实施方式，本实施方式的半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有第1面、及相对于该第1面位于相反侧的第2面。半导体元件设置于半导体衬底的第1面。多晶或非晶质的第1材料层设置于半导体衬底的第1面的至少外缘。可让激光透过的第2材料层设置于半导体衬底的第2面。
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公开(公告)号：CN106057792B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610213415.6
申请日：2016-04-07
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够容易地制造半导体装置的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：将第一支撑带贴附在半导体晶片的第一面的步骤；使所述半导体晶片单片化为多个半导体芯片的步骤；将第二支撑带沿第一方向贴附在所述多个半导体芯片的第二面的步骤；将所述第一支撑带从所述多个半导体芯片剥离的步骤；及通过使所述第二支撑带延伸来扩大所述半导体芯片之间的距离的步骤；所述第二半导体支撑带相对于第一方向的伸长而产生的标称应力与相对于第二方向的伸长而产生的标称应力之比为0.7～1.4。
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公开(公告)号：CN108630601A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710711624.8
申请日：2017-08-18
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446
Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制裂纹的产生的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤：将相对于晶片具有透射性的激光沿着所述晶片的切割线的一部分照射而在所述晶片内形成第1改质带；及将所述激光沿着所述晶片的切割线照射而在所述晶片内形成第2改质带。所述第1改质带局部形成在形成半导体配线层的所述晶片表面与所述第2改质带之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108620743B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201710712095.3
申请日：2017-08-18
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高加工用透镜与衬底间的距离的测定精度的切割方法及激光加工装置。本发明的实施方式的切割方法包括如下步骤：检测衬底的第一部分及与所述第一部分不同的第二部分的衬底信息；根据所述第一部分及所述第二部分的所述衬底信息，算出所述衬底与加工用透镜间的距离信息；及根据所述距离信息，从所述加工用透镜将激光光照射至所述衬底。
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公开(公告)号：CN108630743A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710728631.9
申请日：2017-08-23
Applicant: 东芝存储器株式会社
CPC classification number: H01L29/34 , H01L21/268 , H01L21/3247 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2224/04042 , H01L2224/4502
Abstract: 本发明的实施方式提供一种提升了密接性和强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体元件。所述半导体元件在基板的侧面具有至少两个弯曲部，所述弯曲部沿着设于所述基板的改质带形成。所述两个弯曲部在和所述基板表面垂直的方向及平行的方向，相互错开地形成。所述侧面之中和所述两个弯曲部相接的面的任一部分为解理面。所述两个弯曲部之中，从所述基板背面侧的弯曲部到所述基板背面为止的所述基板的侧面，和所述基板表面大体垂直。
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公开(公告)号：CN108620743A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710712095.3
申请日：2017-08-18
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高加工用透镜与衬底间的距离的测定精度的切割方法及激光加工装置。本发明的实施方式的切割方法包括如下步骤：检测衬底的第一部分及与所述第一部分不同的第二部分的衬底信息；根据所述第一部分及所述第二部分的所述衬底信息，算出所述衬底与加工用透镜间的距离信息；及根据所述距离信息，从所述加工用透镜将激光光照射至所述衬底。
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公开(公告)号：CN111696923A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910589721.3
申请日：2019-07-02
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备器件层、反射率降低层及改质层。所述器件层配置在半导体衬底的第1区域的第1面上。所述反射率降低层被配置在所述半导体衬底的设置在所述第1区域周围的第2区域的所述第1面上，且使反射率与所述第1面上配置有金属膜时从与所述第1面对向的第2面侧入射的激光的反射率相比降低。所述改质层被设置在所述第2区域的所述半导体衬底的侧面。所述第2区域的所述半导体衬底的侧面是在所述半导体衬底中伸展的切断面。
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