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公开(公告)号：CN109500505A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810155185.1
申请日：2018-02-23
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: B23K26/57 , B23K26/04 , B23K101/40
Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体制造装置，能抑制激光光束的散射，并能在相对短时间内高品质地加工半导体衬底。实施方式的半导体制造装置通过对半导体衬底照射激光，沿着切断预定线在半导体衬底上形成改质区域。光源出射激光。光学系统具有将激光聚光于半导体衬底的物镜。光调制器能够对激光的能量密度分布进行调制。控制部对光调制器进行控制，使得激光的能量密度分布的峰值位置从物镜的光轴朝向光学系统相对于半导体衬底的相对移动方向偏移。
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公开(公告)号：CN108527788A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710712695.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: B29C45/34
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够将树脂充分地填充至模腔内，并且能够抑制从排气孔漏出树脂的模具。本实施方式的模具具备与被处理衬底的表面相接的第1面。模腔部向远离第1面的第1方向后退。排气口部向第1方向后退且比模腔部更接近第1面，与模腔部连通，成为模腔部内的气体的排出路径。吸引部向第1方向后退且比排气口部更远离第1面，与排气口部连通。第1开闭部设置在排气口部与吸引部之间，将排出路径开闭或窄小化。第2开闭部设置在第1开闭部与吸引部之间，且将排出路径开闭。
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公开(公告)号：CN108527788B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710712695.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: B29C45/34
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够将树脂充分地填充至模腔内，并且能够抑制从排气孔漏出树脂的模具。本实施方式的模具具备与被处理衬底的表面相接的第1面。模腔部向远离第1面的第1方向后退。排气口部向第1方向后退且比模腔部更接近第1面，与模腔部连通，成为模腔部内的气体的排出路径。吸引部向第1方向后退且比排气口部更远离第1面，与排气口部连通。第1开闭部设置在排气口部与吸引部之间，将排出路径开闭或窄小化。第2开闭部设置在第1开闭部与吸引部之间，且将排出路径开闭。
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公开(公告)号：CN108630743A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710728631.9
申请日：2017-08-23
Applicant: 东芝存储器株式会社
CPC classification number: H01L29/34 , H01L21/268 , H01L21/3247 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2224/04042 , H01L2224/4502
Abstract: 本发明的实施方式提供一种提升了密接性和强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体元件。所述半导体元件在基板的侧面具有至少两个弯曲部，所述弯曲部沿着设于所述基板的改质带形成。所述两个弯曲部在和所述基板表面垂直的方向及平行的方向，相互错开地形成。所述侧面之中和所述两个弯曲部相接的面的任一部分为解理面。所述两个弯曲部之中，从所述基板背面侧的弯曲部到所述基板背面为止的所述基板的侧面，和所述基板表面大体垂直。
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公开(公告)号：CN109500505B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810155185.1
申请日：2018-02-23
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: B23K26/57 , B23K26/04 , B23K101/40
Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体制造装置，能抑制激光光束的散射，并能在相对短时间内高品质地加工半导体衬底。实施方式的半导体制造装置通过对半导体衬底照射激光，沿着切断预定线在半导体衬底上形成改质区域。光源出射激光。光学系统具有将激光聚光于半导体衬底的物镜。光调制器能够对激光的能量密度分布进行调制。控制部对光调制器进行控制，使得激光的能量密度分布的峰值位置从物镜的光轴朝向光学系统相对于半导体衬底的相对移动方向偏移。
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