含硅负极极片及其制备方法、电池、用电设备

    公开(公告)号:CN118335902A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410748910.1

    申请日:2024-06-12

    Abstract: 本申请涉及电池领域,具体而言,涉及一种含硅负极极片及其制备方法、电池、用电设备。一种含硅负极极片,包括:基层、硅薄膜层以及碳薄膜层。基层为高分子材料;基层至少一侧设置有铜种子层;硅薄膜层设置在铜种子层至少一侧;碳薄膜层设置在硅薄膜层至少一侧。上述含硅负极极片通过设计多层结构,在高分子基层至少一侧设置铜种子层,形成了复合铜箔。通过多层结构设计,将复合铜箔、硅薄膜层、碳薄膜层三者结合,不仅利用了复合铜箔超强的机械性能,也利用了硅薄膜层提供的高容量以及快充性能,同时加上碳薄膜层的优异导电性能,综合三者的长处,制备出一种容量及快充性能兼优的极片。

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