公开(公告)号：CN114008538A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080042729.9

申请日：2020-06-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: G03F7/40

Abstract: 本公开提供：在配液时能够在短时间内溶解原料、能表现出优异的赋予拒水性的效果的表面处理剂、及使用了该表面处理剂的表面处理体的制造方法。本公开的表面处理剂包含：(I)下述通式[1]和[2]所示的硅化合物中的至少1种；(II)下述通式[3]所示的含氮杂环化合物、下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、及咪唑中的至少1种；(III)有机溶剂；及(IV)下述通式[5]和[6]所示的硅化合物中的至少1种。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4‑a‑b[1]，(R4)c(H)dSi[OC(R5)＝NSi(R6)e(H)3‑e]4‑c‑d[2]，(R13)f(H)gSi[OC(＝O)R14]4‑f‑g[5]，(R15)h(H)iSiX4‑h‑I[6]

公开(公告)号：CN111630633A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880086426.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  照井贵阳 ,  山田周平 ,  奥村雄三 ,  公文创一 ,  盐田彩织 ,  近藤克哉

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够进一步改善拒水性赋予效果的拒水性保护膜形成用化学溶液。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液具有(I)下述通式[1]所示的氨基硅烷化合物、(II)下述通式[2]所示的硅化合物和(III)非质子性溶剂，(I)的含量相对于(I)～(III)的总量为0.02～0.5质量％。

公开(公告)号：CN113169060B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201980076584.1

申请日：2019-10-21

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的倒角部处理剂组合物为用于对晶圆的倒角部进行处理的、含有甲硅烷基化剂的倒角部处理剂组合物，具有按照规定的步骤测得的表面改质指标Y与表面改质指标Z满足0.5≤Y/Z≤1.0的特性。

公开(公告)号：CN111630633B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880086426.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  照井贵阳 ,  山田周平 ,  奥村雄三 ,  公文创一 ,  盐田彩织 ,  近藤克哉

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够进一步改善拒水性赋予效果的拒水性保护膜形成用化学溶液。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液具有(I)下述通式[1]所示的氨基硅烷化合物、(II)下述通式[2]所示的硅化合物和(III)非质子性溶剂，(I)的含量相对于(I)～(III)的总量为0.02～0.5质量％。

公开(公告)号：CN113574639A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080021628.3

申请日：2020-03-17

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 照井贵阳 ,  公文创一 ,  福井由季

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的凹凸图案干燥用组合物包含升华性物质、及1大气压下的沸点比升华性物质的沸点或升华点低5℃以上且1大气压下的沸点为75℃以下的溶剂。

公开(公告)号：CN111742391A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980012863.1

申请日：2019-02-05

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 奥村雄三 ,  近藤克哉 ,  山田周平 ,  两川敦 ,  福井由季

IPC: H01L21/304 ,  C07F7/02 ,  C07F7/12 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明提供一种包含具有各种碱度的新催化成分的新型拒水性保护膜形成用化学溶液及其制备方法、以及使用该化学溶液的表面处理体的制造方法。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液是用于在晶片的表面形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成用化学溶液，所述晶片的该表面包含硅元素，所述拒水性保护膜形成用化学溶液包含：(I)甲硅烷基化剂、(II)下述通式[1]和[2]所示的化合物之中的至少1种含氮化合物、以及(III)有机溶剂。[式[1]、[2]中，R1分别相互独立地选自氢原子、‑C≡N基、‑NO2基、以及一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的烃基，前述烃基任选具有氧原子和/或氮原子，在包含氮原子的情况下，呈现非环状结构。R2选自氢原子、‑C≡N基、‑NO2基、烷基甲硅烷基、以及一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的烃基，前述烃基任选具有氧原子和/或氮原子，在包含氮原子的情况下，呈现非环状结构。]

公开(公告)号：CN111699546A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012741.2

申请日：2019-02-05

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 奥村雄三 ,  近藤克哉 ,  山田周平 ,  两川敦 ,  福井由季

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种用于在包含硅元素的晶片的表面形成拒水性保护膜的新型拒水性保护膜形成剂或新型拒水性保护膜形成用化学溶液、以及使用液体状态的该拒水性保护膜形成剂或该化学溶液的晶片表面处理方法。本发明的拒水性保护膜形成剂为选自由下述通式[1]所示的胍衍生物和下述通式[2]所示的脒衍生物组成的组中的至少1种硅化合物。

公开(公告)号：CN107078041A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050387.4

申请日：2015-09-11

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋尾崇 ,  奥村雄三 ,  福井由季 ,  公文创一

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供在使用含有氯乙烯树脂作为液体接触构件的晶圆的清洗装置的晶圆的清洗中，在晶圆的凹凸图案表面形成拒水性保护膜而不使上述氯乙烯树脂劣化的拒水性保护膜形成用化学溶液、及使用该化学溶液的晶圆的清洗方法。一种晶圆的清洗方法，其是利用含有氯乙烯树脂作为液体接触构件的晶圆的清洗装置对表面具有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分含有硅元素的晶圆进行清洗的方法，其中，将拒水性保护膜形成用化学溶液保持在前述凹凸图案的至少凹部，从而在该凹部表面形成拒水性保护膜，所述拒水性保护膜形成用化学溶液包含下述通式[1]所示的单烷氧基硅烷、下述通式[2]所示的磺酸、及稀释溶剂，该稀释溶剂相对于稀释溶剂的总量100质量％包含80～100质量％的醇。(R1)aSi(H)3‑a(OR2) [1][式[1]中，R1各自独立地为选自一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的一价烃基中的至少1种基团，R2为一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的一价烃基，a为1～3的整数。]R3‑S(＝O)2OH [2][式[2]中，R3为选自由一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～8的一价烃基、及羟基组成的组中的基团。]。