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公开(公告)号：CN103283004B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201180063349.4
申请日：2011-12-20
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02057 , C11D3/162 , C11D11/0047
Abstract: [课题]提供在表面具有凹凸图案的晶片的制造方法中用于改善容易诱发图案倾塌的清洗工序的清洗方法。[解决方法]所述清洗方法是表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法，其至少具有以下工序：用清洗液(8)清洗上述晶片(1)的工序；用拒水性化学溶液(9)置换在清洗后保持于晶片(1)的凹部(4)的清洗液(8)的工序；干燥晶片(1)的工序，上述清洗液(8)包含80质量%以上的沸点为55～200℃的溶剂，通过使上述置换的工序中供给的拒水性化学溶液(9)的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液(9)的沸点，从而至少使上述凹部表面拒水化。
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公开(公告)号：CN103283004A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180063349.4
申请日：2011-12-20
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02057 , C11D3/162 , C11D11/0047
Abstract: [课题]提供在表面具有凹凸图案的晶片的制造方法中用于改善容易诱发图案倾塌的清洗工序的清洗方法。[解决方法]所述清洗方法是表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法，其至少具有以下工序：用清洗液(8)清洗上述晶片(1)的工序；用拒水性化学溶液(9)置换在清洗后保持于晶片(1)的凹部(4)的清洗液(8)的工序；干燥晶片(1)的工序，上述清洗液(8)包含80质量%以上的沸点为55～200℃的溶剂，通过使上述置换的工序中供给的拒水性化学溶液(9)的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液(9)的沸点，从而至少使上述凹部表面拒水化。
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公开(公告)号：CN107078041A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050387.4
申请日：2015-09-11
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供在使用含有氯乙烯树脂作为液体接触构件的晶圆的清洗装置的晶圆的清洗中，在晶圆的凹凸图案表面形成拒水性保护膜而不使上述氯乙烯树脂劣化的拒水性保护膜形成用化学溶液、及使用该化学溶液的晶圆的清洗方法。一种晶圆的清洗方法，其是利用含有氯乙烯树脂作为液体接触构件的晶圆的清洗装置对表面具有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分含有硅元素的晶圆进行清洗的方法，其中，将拒水性保护膜形成用化学溶液保持在前述凹凸图案的至少凹部，从而在该凹部表面形成拒水性保护膜，所述拒水性保护膜形成用化学溶液包含下述通式[1]所示的单烷氧基硅烷、下述通式[2]所示的磺酸、及稀释溶剂，该稀释溶剂相对于稀释溶剂的总量100质量％包含80～100质量％的醇。(R1)aSi(H)3‑a(OR2) [1][式[1]中，R1各自独立地为选自一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的一价烃基中的至少1种基团，R2为一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的一价烃基，a为1～3的整数。]R3‑S(＝O)2OH [2][式[2]中，R3为选自由一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～8的一价烃基、及羟基组成的组中的基团。]。
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公开(公告)号：CN104176393A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410214947.2
申请日：2014-05-20
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: B65B31/00 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种即使在长时间保管保护膜形成用化学溶液、用于配制该化学溶液的保护膜形成用化学溶液组合试剂后，也能够确保该化学溶液或该化学溶液组合试剂等液体的洁净性，且能够抑制该液体的带电的加压输送容器、使用了其的保管方法以及移液方法。一种加压输送容器，其特征在于，其为以保管保护膜形成用化学溶液或保护膜形成用化学溶液组合试剂、且能够通过对内部进行加压来移液的方式构成的加压输送容器，所述保护膜形成用化学溶液用于在表面具有凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分包含硅元素的晶圆的该凹凸图案的至少凹部表面形成拒水性保护膜，所述保护膜形成用化学溶液组合试剂通过混合而形成上述保护膜形成用化学溶液。
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公开(公告)号：CN103299403A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180064801.9
申请日：2011-12-28
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02068 , C11D11/0047
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成拒水性保护膜(10)的保护膜形成用化学溶液，其用于改善容易诱发表面形成有凹凸图案且该凹凸图案的凹部(4)表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽和钌中的至少1种元素的晶片(金属系晶片)的图案倾塌的清洗工序。[解决方案]一种拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含下述拒水性保护膜形成剂和溶剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在前述金属系晶片的清洗工序之后且干燥工序之前在至少凹部(4)表面形成拒水性保护膜(10)，该拒水性保护膜形成剂为通式[1]表示的化合物。(R1是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的1价烃基，R2各自相互独立地是包含一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团，a是0至2的整数。)
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公开(公告)号：CN102971835A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032490.8
申请日：2011-06-15
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09D5/38 , H01L21/02068 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其是用于在金属系晶片的至少凹部表面形成拒水性保护膜的化学溶液，该化学溶液含有基于Griffin法的HLB值为0.001~10且具有包含碳原子数为6~18的烃基的疏水部的表面活性剂、以及水，化学溶液中前述表面活性剂的浓度相对于该化学溶液的总量100质量%为0.00001质量%以上且饱和浓度以下。该化学溶液能够改善容易诱发金属系晶片的图案倾塌的清洗工序。
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公开(公告)号：CN107068538B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201611028598.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及保护膜形成用化学溶液。本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。
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公开(公告)号：CN104176393B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201410214947.2
申请日：2014-05-20
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: B65B31/00 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种即使在长时间保管保护膜形成用化学溶液、用于配制该化学溶液的保护膜形成用化学溶液组合试剂后，也能够确保该化学溶液或该化学溶液组合试剂等液体的洁净性，且能够抑制该液体的带电的加压输送容器、使用了其的保管方法以及移液方法。一种加压输送容器，其特征在于，其为以保管保护膜形成用化学溶液或保护膜形成用化学溶液组合试剂、且能够通过对内部进行加压来移液的方式构成的加压输送容器，所述保护膜形成用化学溶液用于在表面具有凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分包含硅元素的晶圆的该凹凸图案的至少凹部表面形成拒水性保护膜，所述保护膜形成用化学溶液组合试剂通过混合而形成上述保护膜形成用化学溶液。
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公开(公告)号：CN102971836B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201180032637.3
申请日：2011-06-23
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B08B3/04 , C07F7/10 , C07F7/12 , C07F7/1804
Abstract: [课题]本发明涉及在半导体器件制造中防止凹凸图案（2）的至少凹部表面含有含硅元素物质的晶片（1）或者该凹凸图案（2）的至少凹部表面的一部分含有选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽和钌组成的组中的至少1种物质的晶片（1)的图案倾塌同时对晶片进行清洗的方法，提供了能够进行有效清洗的拒水性保护膜形成剂和含该形成剂的拒水性保护膜形成用化学溶液以及使用了该化学溶液的晶片的清洗方法。[解决方法]用于在上述晶片的清洗中在前述晶片的至少凹部表面形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成剂，前述形成剂是下述通式[1]所示的硅化合物。R1aSiX4-a[1]。
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公开(公告)号：CN105612606A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480054698.3
申请日：2014-09-08
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , C07C211/07 , C07F9/38
CPC classification number: H01L21/02068 , B08B3/08 , C07F9/3808 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D11/0047
Abstract: 本发明的晶片的清洗方法是表面形成有凹凸图案且该凹凸图案的凹部表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽和钌之中的至少1种元素的晶片的清洗方法，该方法至少具备：前处理工序，在凹凸图案的至少凹部保持清洗液；保护膜形成工序，在上述前处理工序后，在凹凸图案的至少凹部保持保护膜形成用化学溶液；以及干燥工序，通过干燥而从凹凸图案去除液体，上述保护膜形成用化学溶液是包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在至少上述凹部表面形成拒水性保护膜，若上述保护膜形成用化学溶液为碱性则上述清洗液为酸性，若上述保护膜形成用化学溶液为酸性则上述清洗液为碱性。
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