公开(公告)号：CN104867979A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510088818.8

申请日：2015-02-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大川峰司 ,  江口博臣 ,  金原啓道 ,  池田智史

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其使导通工作时电流所流通的路径分散，从而能够抑制局部发热。在半导体基板的半导体层内设置有n型的源极区、p型的体区、n型的漏极区以及n型的漂移区。漂移区具有第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区以及低浓度漂移区。第一漂移区形成在体区与漏极区之间的半导体层的面临上表面的范围内。第二漂移区与第一漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第一漂移区相接。第三漂移区与第二漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第二漂移区相接。第一漂移区与第二漂移区相比向体区侧突出。

公开(公告)号：CN103348482B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180066954.7

申请日：2011-02-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 江口博臣 ,  大川峰司 ,  小野木淳士

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明提供一种横向型半导体装置的制造方法，所述横向型半导体装置被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上，所述横向型半导体装置的制造方法的特征在于，所述横向型半导体装置具备半导体层，所述半导体层包括埋入氧化膜和漂移区，所述制造方法包括：将硅的局部氧化（LOCOS）氧化膜蚀刻至预先确定的深度为止的蚀刻工序，所述LOCOS氧化膜通过从所述半导体层的表面起以预定的厚度突出以及掩埋的方式而形成；以相同的挖掘速度同时形成第一沟槽和第二沟槽，并在所述第二沟槽到达了所述埋入氧化膜的时间点停止所述第一沟槽以及所述第二沟槽的形成的沟槽形成工序，其中，所述第一沟槽从所述漂移区朝向所述埋入氧化膜而形成，所述第二沟槽从在所述蚀刻工序中被实施了蚀刻的位置起朝向所述埋入氧化膜而形成。