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公开(公告)号：CN105874576B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201480071043.7
申请日：2014-10-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种能够抑制在沟槽内的绝缘层中产生裂纹或空隙的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有：沟槽(20)；栅极绝缘膜(22)，其覆盖沟槽(20)的内表面；栅电极(24)，其设置于栅极绝缘膜(22)的内侧。终端区(120)具有：终端沟槽(30)，其被配置于元件区(110)的周围；第一绝缘层(32b)，其覆盖终端沟槽(30)的内表面；第二绝缘层(34b)，其被形成于第一绝缘层(32b)的内侧，且被填充于终端沟槽(30)内。第一绝缘层(32b)的折射率大于第二绝缘层(34b)的折射率。
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公开(公告)号：CN106558502A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610847101.1
申请日：2016-09-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型开关元件及其制造方法，并提供在具有连接区域的绝缘栅型开关元件中抑制栅极阈值的偏差的技术。在绝缘栅型开关元件的制造方法中，在半导体基板上形成具有第一部分和第二部分的栅极沟槽，第一部分在第一方向上具有第一宽度，第二部分在第一方向上具有与第一宽度相比较宽的第二宽度。在倾斜注入工序中，以绕与第一方向正交的轴倾斜的照射角度照射第二导电型杂质。第一宽度、第二宽度及照射角度被设定为，在第一部分的第一侧面上抑制向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧的注入，并且在第二部分的第二侧面上向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧进行注入。通过向第二侧面的注入而形成对体区与底部区域进行连接的连接区域。
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公开(公告)号：CN107004715A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066372.7
申请日：2015-07-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L29/06 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/12 , H01L29/66666 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成在半导体基板(2)上的被覆绝缘膜(31)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。在第一部分(10)与第二部分(20)相邻的部分形成有台阶部(90)。在台阶部(90)的侧面与第二部分(20)的上表面之间的角部(40)形成有角部件(50)。角部件(50)的上表面(51)随着从台阶部(90)的侧面(92)朝向第二部分(20)侧而向下方下降。被覆绝缘膜(31)从第一部分(10)延伸至第二部分(20)，并覆盖角部件(50)。
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公开(公告)号：CN103534812A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201180070832.5
申请日：2011-05-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够防止由于发热而导致的耐压下降，且能够实现半导体装置的进一步的小型化。所述半导体装置为横向型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于上述半导体基板上；活性层，其被形成于上述埋入氧化膜上，上述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在上述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与上述第二导电型阱区的表面及上述第一导电型漂移区的表面相接，上述第二导电型阱区的一部分沿着上述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于上述栅绝缘膜的长度的方式延伸至上述第一导电型漂移区内。
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公开(公告)号：CN103534812B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180070832.5
申请日：2011-05-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够防止由于发热而导致的耐压下降，且能够实现半导体装置的进一步的小型化。所述半导体装置为横向型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于上述半导体基板上；活性层，其被形成于上述埋入氧化膜上，上述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在上述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与上述第二导电型阱区的表面及上述第一导电型漂移区的表面相接，上述第二导电型阱区的一部分沿着上述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于上述栅绝缘膜的长度的方式延伸至上述第一导电型漂移区内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105590962A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510717810.3
申请日：2015-10-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0661 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L29/7828 , H01L29/7397
Abstract: 碳化硅半导体装置包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及周边高击穿电压结构。源区域具有第一凹部。沟槽从第一凹部的底部延伸。栅绝缘膜具有延伸部，延伸部的形状顺着第一凹部的形状。栅极的表面定位成齐平于或者低于延伸部的上表面。
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公开(公告)号：CN106558502B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610847101.1
申请日：2016-09-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型开关元件及其制造方法，并提供在具有连接区域的绝缘栅型开关元件中抑制栅极阈值的偏差的技术。在绝缘栅型开关元件的制造方法中，在半导体基板上形成具有第一部分和第二部分的栅极沟槽，第一部分在第一方向上具有第一宽度，第二部分在第一方向上具有与第一宽度相比较宽的第二宽度。在倾斜注入工序中，以绕与第一方向正交的轴倾斜的照射角度照射第二导电型杂质。第一宽度、第二宽度及照射角度被设定为，在第一部分的第一侧面上抑制向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧的注入，并且在第二部分的第二侧面上向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧进行注入。通过向第二侧面的注入而形成对体区与底部区域进行连接的连接区域。
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公开(公告)号：CN107004700A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580067401.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。
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公开(公告)号：CN103348482A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180066954.7
申请日：2011-02-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/6625 , H01L21/30604 , H01L29/4236 , H01L29/66325 , H01L29/7394
Abstract: 本发明提供一种横向型半导体装置及其制造方法，所述横向型半导体装置被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上。上述横向型半导体装置的特征在于，在埋入氧化膜（200）上具备半导体层，所述半导体层包括体区（107）、和与该体区（107）的侧面相接的漂移区（109）。此外，上述横向型半导体装置在体区（107）与漂移区（109）的界面处具有第一沟槽，所述第一沟槽朝向埋入氧化膜（200）而未到达该埋入氧化膜（200）。
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公开(公告)号：CN107004700B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201580067401.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。
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