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公开(公告)号：CN105659368B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201480057996.8
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开一种能够在提高耐压的同时提高电流放大率的双极型晶体管。双极型晶体管(10)具有p型的发射极区(40)、p型的集电极区(20)、被设置于发射极区(40)与集电极区(20)之间的n型的基极区(30)、被设置于基极区(30)的下方的p型的第一埋入区(50)、与基极区(30)相比n型杂质浓度较低的n型区(18)。基极区30具有位于第一埋入区(50)的上方的第一高浓度区(32)以及低浓度区(34)、和位于与低浓度区(34)相比靠集电极区(20)侧的第二高浓度区(35)，第二高浓度区(35)的n型杂质浓度高于低浓度区(34)的n型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN105684156A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058416.7
申请日：2014-10-30
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/866 , H01L29/36 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/866 , H01L29/0626 , H01L29/0649 , H01L29/36
Abstract: 齐纳二极管(10)包括：半导体基板(12)、阳极电极(40)和阴极电极(42)。半导体基板(12)包括p型阳极区(20)、n型电流路径区(22)和漂移区(24)。p型阳极区(20)连接到所述阳极电极(40)。n型电流路径区(22)与所述阳极区(20)接触。漂移区(24)与所述阳极区(20)和所述电流路径区(22)接触。漂移区(24)是n型的。漂移区(24)具有比所述电流路径区(22)低的n型杂质浓度。漂移区(24)直接地或经由另一个n型区(26)连接到所述阴极电极(42)。
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公开(公告)号：CN103534812A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201180070832.5
申请日：2011-05-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够防止由于发热而导致的耐压下降，且能够实现半导体装置的进一步的小型化。所述半导体装置为横向型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于上述半导体基板上；活性层，其被形成于上述埋入氧化膜上，上述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在上述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与上述第二导电型阱区的表面及上述第一导电型漂移区的表面相接，上述第二导电型阱区的一部分沿着上述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于上述栅绝缘膜的长度的方式延伸至上述第一导电型漂移区内。
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公开(公告)号：CN105684156B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480058416.7
申请日：2014-10-30
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/866 , H01L29/36 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/866 , H01L29/0626 , H01L29/0649 , H01L29/36
Abstract: 齐纳二极管(10)包括：半导体基板(12)、阳极电极(40)和阴极电极(42)。半导体基板(12)包括p型阳极区(20)、n型电流路径区(22)和漂移区(24)。p型阳极区(20)连接到所述阳极电极(40)。n型电流路径区(22)与所述阳极区(20)接触。漂移区(24)与所述阳极区(20)和所述电流路径区(22)接触。漂移区(24)是n型的。漂移区(24)具有比所述电流路径区(22)低的n型杂质浓度。漂移区(24)直接地或经由另一个n型区(26)连接到所述阴极电极(42)。
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公开(公告)号：CN103534812B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180070832.5
申请日：2011-05-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够防止由于发热而导致的耐压下降，且能够实现半导体装置的进一步的小型化。所述半导体装置为横向型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于上述半导体基板上；活性层，其被形成于上述埋入氧化膜上，上述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在上述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与上述第二导电型阱区的表面及上述第一导电型漂移区的表面相接，上述第二导电型阱区的一部分沿着上述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于上述栅绝缘膜的长度的方式延伸至上述第一导电型漂移区内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105659368A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057996.8
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开一种能够在提高耐压的同时提高电流放大率的双极型晶体管。双极型晶体管(10)具有p型的发射极区(40)、p型的集电极区(20)、被设置于发射极区(40)与集电极区(20)之间的n型的基极区(30)、被设置于基极区(30)的下方的p型的第一埋入区(50)、与基极区(30)相比n型杂质浓度较低的n型区(18)。基极区30具有位于第一埋入区(50)的上方的第一高浓度区(32)以及低浓度区(34)、和位于与低浓度区(34)相比靠集电极区(20)侧的第二高浓度区(35)，第二高浓度区(35)的n型杂质浓度高于低浓度区(34)的n型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN105793966B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480057758.7
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开一种能够提升耐压并且提升电流放大率的双极性晶体管。双极性晶体管(10)具有：p型的发射区(40)；p型的集电区(20)；n型的基区(30)，其被设置于发射区(40)与集电区(20)之间；p型的第一埋入区(50)，其被设置于基区(30)的下方；n型区(18)，其与基区(30)相比n型杂质浓度较低，并且与发射区(40)、集电区(20)、基区(30)、第一埋入区(50)相接，并使发射区(40)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离，且使集电区(20)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离。基区(30)的一部分与第一埋入区(50)相比向集电区(20)侧突出。
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公开(公告)号：CN105793966A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480057758.7
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开一种能够提升耐压并且提升电流放大率的双极性晶体管。双极性晶体管(10)具有：p型的发射区(40)；p型的集电区(20)；n型的基区(30)，其被设置于发射区(40)与集电区(20)之间；p型的第一埋入区(50)，其被设置于基区(30)的下方；n型区(18)，其与基区(30)相比n型杂质浓度较低，并且与发射区(40)、集电区(20)、基区(30)、第一埋入区(50)相接，并使发射区(40)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离，且使集电区(20)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离。基区(30)的一部分与第一埋入区(50)相比向集电区(20)侧突出。
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公开(公告)号：CN103348482A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180066954.7
申请日：2011-02-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/6625 , H01L21/30604 , H01L29/4236 , H01L29/66325 , H01L29/7394
Abstract: 本发明提供一种横向型半导体装置及其制造方法，所述横向型半导体装置被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上。上述横向型半导体装置的特征在于，在埋入氧化膜（200）上具备半导体层，所述半导体层包括体区（107）、和与该体区（107）的侧面相接的漂移区（109）。此外，上述横向型半导体装置在体区（107）与漂移区（109）的界面处具有第一沟槽，所述第一沟槽朝向埋入氧化膜（200）而未到达该埋入氧化膜（200）。
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公开(公告)号：CN104867979B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510088818.8
申请日：2015-02-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7824 , H01L29/78624
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其使导通工作时电流所流通的路径分散，从而能够抑制局部发热。在半导体基板的半导体层内设置有n型的源极区、p型的体区、n型的漏极区以及n型的漂移区。漂移区具有第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区以及低浓度漂移区。第一漂移区形成在体区与漏极区之间的半导体层的面临上表面的范围内。第二漂移区与第一漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第一漂移区相接。第三漂移区与第二漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第二漂移区相接。第一漂移区与第二漂移区相比向体区侧突出。
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