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公开(公告)号：CN117954326A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311127682.8
申请日：2023-09-04
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/15 , H01L29/205 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置(1)的制造方法，具备向以GaN为材料的氮化物半导体层(14)中离子注入掺杂剂的工序、在氮化物半导体层的表面的至少一部分上形成覆盖层(50)的工序、和通过热处理使所述掺杂剂活性化的退火工序。所述覆盖层含有与GaN的晶格失配率低于2.5％、且熔点为1500℃以上的材料。
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公开(公告)号：CN106169507B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610319919.6
申请日：2016-05-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 大川峰司
IPC: H01L29/808 , H01L29/778 , H01L27/098 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0634 , H01L29/0688 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42356 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供一种异质结半导体装置以及制造异质结半导体装置的方法。一种异质结半导体装置包括：沟道层，其包括第一半导体；势垒层，其设置在所述沟道层上，并且包括具有大于所述第一半导体的带隙的带隙的半导体；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述势垒层上并且欧姆接触到所述势垒层；设置在所述势垒层上的p型半导体层，所述p型半导体层设置在势垒层上所述源电极和所述漏电极之间的区域中；设置在所述p型半导体层上的n型半导体层；以及栅电极，其接合到所述n型半导体层。所述p型半导体层和所述n型半导体层之间的接合界面具有凹凸结构。
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公开(公告)号：CN105684156B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480058416.7
申请日：2014-10-30
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/866 , H01L29/36 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/866 , H01L29/0626 , H01L29/0649 , H01L29/36
Abstract: 齐纳二极管(10)包括：半导体基板(12)、阳极电极(40)和阴极电极(42)。半导体基板(12)包括p型阳极区(20)、n型电流路径区(22)和漂移区(24)。p型阳极区(20)连接到所述阳极电极(40)。n型电流路径区(22)与所述阳极区(20)接触。漂移区(24)与所述阳极区(20)和所述电流路径区(22)接触。漂移区(24)是n型的。漂移区(24)具有比所述电流路径区(22)低的n型杂质浓度。漂移区(24)直接地或经由另一个n型区(26)连接到所述阴极电极(42)。
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公开(公告)号：CN103534812B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180070832.5
申请日：2011-05-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够防止由于发热而导致的耐压下降，且能够实现半导体装置的进一步的小型化。所述半导体装置为横向型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于上述半导体基板上；活性层，其被形成于上述埋入氧化膜上，上述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在上述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与上述第二导电型阱区的表面及上述第一导电型漂移区的表面相接，上述第二导电型阱区的一部分沿着上述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于上述栅绝缘膜的长度的方式延伸至上述第一导电型漂移区内。
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公开(公告)号：CN105659368A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057996.8
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开一种能够在提高耐压的同时提高电流放大率的双极型晶体管。双极型晶体管(10)具有p型的发射极区(40)、p型的集电极区(20)、被设置于发射极区(40)与集电极区(20)之间的n型的基极区(30)、被设置于基极区(30)的下方的p型的第一埋入区(50)、与基极区(30)相比n型杂质浓度较低的n型区(18)。基极区30具有位于第一埋入区(50)的上方的第一高浓度区(32)以及低浓度区(34)、和位于与低浓度区(34)相比靠集电极区(20)侧的第二高浓度区(35)，第二高浓度区(35)的n型杂质浓度高于低浓度区(34)的n型杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115498039A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210677509.4
申请日：2022-06-15
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件(1、2)，包括：化合物半导体层(15、115)，其具有第一化合物半导体层(14、114)和熔点高于第一化合物半导体层的第二化合物半导体层(16、116)；和位于第二化合物半导体层上的绝缘栅(40、140)。所述化合物半导体层还包括：漂移区(22、122)；源区(25、125)；和在漂移区和源区之间的主体区(24、124)。所述绝缘栅面向所述主体区。所述主体区桥接所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层两者。
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公开(公告)号：CN105793966B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480057758.7
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开一种能够提升耐压并且提升电流放大率的双极性晶体管。双极性晶体管(10)具有：p型的发射区(40)；p型的集电区(20)；n型的基区(30)，其被设置于发射区(40)与集电区(20)之间；p型的第一埋入区(50)，其被设置于基区(30)的下方；n型区(18)，其与基区(30)相比n型杂质浓度较低，并且与发射区(40)、集电区(20)、基区(30)、第一埋入区(50)相接，并使发射区(40)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离，且使集电区(20)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离。基区(30)的一部分与第一埋入区(50)相比向集电区(20)侧突出。
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公开(公告)号：CN105793966A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480057758.7
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开一种能够提升耐压并且提升电流放大率的双极性晶体管。双极性晶体管(10)具有：p型的发射区(40)；p型的集电区(20)；n型的基区(30)，其被设置于发射区(40)与集电区(20)之间；p型的第一埋入区(50)，其被设置于基区(30)的下方；n型区(18)，其与基区(30)相比n型杂质浓度较低，并且与发射区(40)、集电区(20)、基区(30)、第一埋入区(50)相接，并使发射区(40)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离，且使集电区(20)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离。基区(30)的一部分与第一埋入区(50)相比向集电区(20)侧突出。
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公开(公告)号：CN103348482A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180066954.7
申请日：2011-02-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/6625 , H01L21/30604 , H01L29/4236 , H01L29/66325 , H01L29/7394
Abstract: 本发明提供一种横向型半导体装置及其制造方法，所述横向型半导体装置被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上。上述横向型半导体装置的特征在于，在埋入氧化膜（200）上具备半导体层，所述半导体层包括体区（107）、和与该体区（107）的侧面相接的漂移区（109）。此外，上述横向型半导体装置在体区（107）与漂移区（109）的界面处具有第一沟槽，所述第一沟槽朝向埋入氧化膜（200）而未到达该埋入氧化膜（200）。
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