公开(公告)号：CN1620730A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02828201.9

申请日：2002-12-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真 ,  弘津研一 ,  初川聪 ,  星野孝志 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第3半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18A)。另外，设置与第1栅电极层(18A)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18B)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低ON电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN1415118A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN00817993.X

申请日：2000-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波宏之 ,  木本恒畅

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M7/515 ,  H01L27/098 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/808 ,  Y02B70/1483

Abstract: 一种采用FET结构变换器件的逆变器，其特征在于，所述变换器件S1－S6是由SiC(碳化硅)－JFET形成的，其中该逆变器可以实现开关频率高而损耗小。