公开(公告)号：CN100349270C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN03815406.4

申请日：2003-07-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 星野孝志 ,  原田真 ,  藤川一洋 ,  初川聪 ,  弘津研一

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明的纵向JFET1a配备n+型漏极半导体部(2)、n型漂移半导体部(3)、p+型栅极半导体部(4)、n型沟道半导体部(5)、n+型源极半导体部(7)、和p+型栅极半导体部(8)。n型漂移半导体部(3)设置在n+型漏极半导体部(2)的主面上，具有沿与该主面交叉的方向延伸的第1～第4区域(3a-3d)。p+型栅极半导体部(4)设置在n型漂移半导体部(3)的第1～第3区域(3a-3c)上。n型沟道半导体部(5)沿p+型栅极半导体部(4)设置，电连接于n型漂移半导体部(3)的第4区域(3d)上。

公开(公告)号：CN1620730A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02828201.9

申请日：2002-12-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真 ,  弘津研一 ,  初川聪 ,  星野孝志 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第3半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18A)。另外，设置与第1栅电极层(18A)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18B)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低ON电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN100379029C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN02828201.9

申请日：2002-12-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真 ,  弘津研一 ,  初川聪 ,  星野孝志 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第3半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18A)。另外，设置与第1栅电极层(18A)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18B)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低ON电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN1666325A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815406.4

申请日：2003-07-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 星野孝志 ,  原田真 ,  藤川一洋 ,  初川聪 ,  弘津研一

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明的纵向JFET1a配备n+型漏极半导体部(2)、n型漂移半导体部(3)、p+型栅极半导体部(4)、n型沟道半导体部(5)、n+型源极半导体部(7)、和p+型栅极半导体部(8)。n型漂移半导体部(3)设置在n+型漏极半导体部(2)的主面上，具有沿与该主面交叉的方向延伸的第1～第4区域(3a－3d)。p+型栅极半导体部(4)设置在n型漂移半导体部(3)的第1～第3区域(3a－3c)上。n型沟道半导体部(5)沿p+型栅极半导体部(4)设置，电连接于n型漂移半导体部(3)的第4区域(3d)上。