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公开(公告)号：CN1311564C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200310124701.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且对特定波长范围内的光具有低透射率的表面材料设置在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上，并且其中在长期使用期间，在通过所述表面材料的光照射下，由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1132233C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN98108961.5
申请日：1998-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种等离子体处理方法，包括步骤：通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的第二高频电源的功率要低的第二高频电源，然后再向该处理室馈送功率比处理过程中的第一高频电源高的第一高频电源，以生成等离子体；减小所述第一高频电源的强度，使之降到处理过程中第一高频电源的功率值的100-200%，提高所述第二高频电源的强度，使之升到处理过程中第二高频电源的功率值的70-100%，然后再调节所述第一高频电源的强度，以获得预定值的等离子体强度；使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作，同时调节所述第一高频电源的值，以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1124365C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN96123838.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。
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公开(公告)号：CN1260599A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99127779.1
申请日：1999-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67236 , H01L21/67253 , H01L21/6776
Abstract: 一种衬底处理方法,包括输送衬底通过相互连通的多个处理空间,并在其中处理所述衬底的步骤,其中根据作为所述多个处理空间之一的处理空间(a)的内压来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压。以及一种衬底处理设备,包括多个处理空间、衬底输送装置和压力计,其中,所述衬底处理设备具有用于根据从所述压力计获得的信息,来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压的控制单元。
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公开(公告)号：CN1212456A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98108961.5
申请日：1998-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/50
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种等离子体处理方法,包括步骤:通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的功率要低的第二高频电源,然后再向该处理室馈送功率比处理过程中高的第一高频电源,以生成等离子体;减小所述第一高频电源的强度,使之接近处理过程中的值,提高所述第二高频电源的强度,也使之接近处理过程中的值,然后再调节所述第一高频电源的强度,以获得预定值的等离子体强度;使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作,同时调节所述第一高频电源的值,以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。
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公开(公告)号：CN1163944A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97104502.X
申请日：1997-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/481 , C23C16/545
Abstract: 一种淀积膜形成装置，其特征在于：用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触，该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却，并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度，从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜，尤其是，大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1158912A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96123838.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。
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