公开(公告)号：CN110526802B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN201910437381.2

申请日：2019-05-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 土门大将 ,  提箸正义 ,  小竹正晃 ,  井上直也 ,  增永恵一 ,  渡边聪

IPC: C07C33/26 ,  C07C29/00 ,  C07C67/08 ,  C07C69/533 ,  C08F212/14 ,  C08F232/08 ,  C08F220/38 ,  C08F220/30 ,  G03F7/038

Abstract: 本发明涉及单体、聚合物、负型抗蚀剂组合物、光掩模坯和抗蚀剂图案形成方法。包含含有在分子中具有至少两个酸可消除的羟基或烷氧基重复单元的聚合物的负型抗蚀剂组合物对于形成具有高分辨率和最小的LER同时使缺陷最小化的抗蚀剂图案有效。

公开(公告)号：CN110878038B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910836697.9

申请日：2019-09-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 井上直也 ,  大桥正树 ,  土门大将 ,  增永惠一 ,  小竹正晃

IPC: C07C381/12 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及锍化合物、正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。本发明中新的锍化合物具有式(A)，包含聚合物和含有锍化合物的猝灭剂的正型抗蚀剂组合物在图案形成期间的分辨率和LER方面得以改进并且具有储存稳定性。在式(A)中，R1、R2、R3和R4独立地为C1‑C20一价烃基，p为0‑5的整数，q为0‑5的整数，和r为0‑4的整数。