公开(公告)号：CN118165638A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311672809.4

申请日：2023-12-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长泽贤幸 ,  渡边聪 ,  松泽雄太 ,  小竹正晃 ,  增永惠一

IPC: C09D179/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/61 ,  C09D7/63

Abstract: 本发明涉及导电性高分子组成物、被覆物、及图案形成方法。课题是形成电子束抗蚀剂描绘用电荷耗散膜的导电性高分子组成物。解决手段是一种导电性高分子组成物，含有(A)具有式(1)的重复单元1种以上的聚苯胺系导电性高分子、及(B)含式(2‑1)或(2‑2)的阳离子的碳酸氢盐。#imgabs0#R1～R4是氢原子、酸性基团、羟基、硝基、卤素原子、直链状或分支状的烷基、含杂原子的烃基、或借由卤素原子经部分取代的烃基。X+ (2‑1)#imgabs1#X是选自锂、钠、钾、铯的1价碱金属，R101～R104是氢原子、烷基、烯基、氧代基烷基、氧代基烯基、芳基、芳烷基、或芳基氧代基烷基。R101与R102、R103与R104、R101与R102与R104亦可形成环。

公开(公告)号：CN116360217A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211633529.8

申请日：2022-12-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  畠山润 ,  渡边聪 ,  船津显之 ,  小竹正晃 ,  福岛将大

IPC: G03F7/039 ,  G03F1/56 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，其能形成具有极高分辨率，LER小而矩形性优异且能形成显影负载的影响受抑制的图案的抗蚀剂膜。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含基础聚合物，该基础聚合物含有：包括含苯酚性羟基的单元、苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、或包括含苯酚性羟基的单元及苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物及包括含苯酚性羟基的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物，该基础聚合物中含有的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔％以上。

公开(公告)号：CN114924463A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210127488.9

申请日：2022-02-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  渡边聪 ,  小竹正晃 ,  大桥正树

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038

Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且减少LER及LWR的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。式中，M为硫原子或硒原子。

公开(公告)号：CN114656341A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111587281.1

申请日：2021-12-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 井上直也 ,  渡边聪 ,  小竹正晃

IPC: C07C43/23 ,  C07D493/18 ,  C07D307/00 ,  C07D495/18 ,  C07C69/712 ,  C07C69/78 ,  G03F7/038

Abstract: 本发明涉及醇化合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供高感度且溶解对比度优良，且可提供LER及CDU小且形状良好的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、适合作为使用于该化学增幅负型抗蚀剂组成物中的交联剂的醇化合物、以及使用该化学增幅负型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种醇化合物，以下式(A1)表示。

公开(公告)号：CN108255015B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201711458964.0

申请日：2017-12-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小竹正晃 ,  渡边聪 ,  增永惠一 ,  山田健司 ,  大桥正树

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及化学增幅型负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。本发明提供负型抗蚀剂组合物，其包含具有式(A)的锍化合物和基础聚合物。该抗蚀剂组合物在图案形成过程中显示出高分辨率并且形成具有最小LER的图案。

公开(公告)号：CN109212903A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810721204.2

申请日：2018-07-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 铃木贵大 ,  土门大将 ,  小竹正晃 ,  增永惠一 ,  渡边聪

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种在以高能量射线为光源的照相平版印刷中，缺陷少、且通过抑制酸扩散而具有优异平版印刷性能的抗蚀剂组合物，以及使用了该抗蚀剂组合物的抗蚀图案形成方法。所述抗蚀剂组合物的特征在于，包括：(A)包含阴离子及阳离子、且在所述阳离子中具有下述通式(A1)表示的局部结构的锍盐；以及(B)包含下述通式(B1)表示的重复单元的高分子化合物。[化学式1][化学式2]

公开(公告)号：CN107688278A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710659370.X

申请日：2017-08-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  渡边聪 ,  小竹正晃 ,  山田健司 ,  大桥正树

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及负型抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法。本发明提供了一种包含(A)甜菜碱型的锍化合物和(B)聚合物的负型抗蚀剂组合物。该抗蚀剂组合物对于在曝光步骤期间控制酸扩散是有效的，且在图案形成期间呈现出非常高的分辨率，并形成具有最小LER的图案。

公开(公告)号：CN105954973A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610102176.7

申请日：2016-02-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小竹正晃 ,  藤原敬之 ,  增永惠一 ,  土门大将 ,  渡边聪

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法。该抗蚀剂组合物包括适于在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解度的树脂和含氮羧酸的锍或碘鎓盐，具有高分辨率。采用光刻法，能够形成具有最小LER的图案。

公开(公告)号：CN104460221A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410499354.5

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  吉井崇 ,  桜田豊久 ,  池田显 ,  金子英雄 ,  渡边聪 ,  河合义夫

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

公开(公告)号：CN102419510B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110214208.X

申请日：2011-07-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边聪 ,  吉川博树

IPC: G03F1/50 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/78 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/31796

Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。