导电性高分子组成物、被覆物、及图案形成方法

    公开(公告)号:CN118165638A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202311672809.4

    申请日:2023-12-07

    Abstract: 本发明涉及导电性高分子组成物、被覆物、及图案形成方法。课题是形成电子束抗蚀剂描绘用电荷耗散膜的导电性高分子组成物。解决手段是一种导电性高分子组成物,含有(A)具有式(1)的重复单元1种以上的聚苯胺系导电性高分子、及(B)含式(2‑1)或(2‑2)的阳离子的碳酸氢盐。#imgabs0#R1~R4是氢原子、酸性基团、羟基、硝基、卤素原子、直链状或分支状的烷基、含杂原子的烃基、或借由卤素原子经部分取代的烃基。X+ (2‑1)#imgabs1#X是选自锂、钠、钾、铯的1价碱金属,R101~R104是氢原子、烷基、烯基、氧代基烷基、氧代基烯基、芳基、芳烷基、或芳基氧代基烷基。R101与R102、R103与R104、R101与R102与R104亦可形成环。

    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN116360217A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211633529.8

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,其能形成具有极高分辨率,LER小而矩形性优异且能形成显影负载的影响受抑制的图案的抗蚀剂膜。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,包含基础聚合物,该基础聚合物含有:包括含苯酚性羟基的单元、苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、或包括含苯酚性羟基的单元及苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物及包括含苯酚性羟基的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物,该基础聚合物中含有的聚合物的全部重复单元中,具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔%以上。

    化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN114924463A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210127488.9

    申请日:2022-02-11

    Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且减少LER及LWR的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物,含有:(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物,以下式(A1)表示,及(B)基础聚合物,包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。式中,M为硫原子或硒原子。

    抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法

    公开(公告)号:CN109212903A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201810721204.2

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 本发明提供一种在以高能量射线为光源的照相平版印刷中,缺陷少、且通过抑制酸扩散而具有优异平版印刷性能的抗蚀剂组合物,以及使用了该抗蚀剂组合物的抗蚀图案形成方法。所述抗蚀剂组合物的特征在于,包括:(A)包含阴离子及阳离子、且在所述阳离子中具有下述通式(A1)表示的局部结构的锍盐;以及(B)包含下述通式(B1)表示的重复单元的高分子化合物。[化学式1][化学式2]

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