有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法

    公开(公告)号:CN111995751A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010451030.X

    申请日:2020-05-25

    Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中,在钝性气体中的成膜条件亦会硬化,不产生副产物,耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良,而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料,其含有(A)聚合物,具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团,W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者,也可组合使用2种以上的R1。

    有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物

    公开(公告)号:CN113281964B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202110190159.4

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题是提供可形成溶剂耐性、耐热性、填埋特性、平坦化特性及图案形成能力优异的有机膜的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料,含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂。#imgabs0#上述通式(1A)中,W1表示4价有机基团,W2表示单键或下式(1B)表示的连接基团,R1表示氢原子或碳数1~10的1价有机基团,n1表示0或1的整数,n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系。#imgabs1#R2及R3各自独立地为氢、碳数为1~30个的有机基团,有机基团R2与有机基团R3亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。

    含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物

    公开(公告)号:CN114660896A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202111577055.5

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。本发明的课题是:提供可形成无论负显影、正显影,对于任何抗蚀剂图案均具良好的密接性,而且对于如EUV曝光的更微细的图案也具良好的密接性的抗蚀剂下层膜的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物,其特征为:含有1种以上的下列通式(1)表示的硅化合物(A‑1)的水解物或水解缩合物中的任一者、或其两者。

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