公开(公告)号：CN102791630A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013151.5

申请日：2011-03-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田中秀二 ,  田畑正树

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/1071 ,  B01D3/009 ,  B01D3/143 ,  C01B33/10757 ,  C01B33/10763 ,  C01B33/10778

Abstract: 本发明将含有甲基二氯硅烷、四氯硅烷和三氯硅烷的混合物进行蒸馏，从而分馏出甲基二氯硅烷含有率比蒸馏前混合物高的馏分。并且加热该分馏的馏分，在甲基二氯硅烷和四氯硅烷间进行氯的再分配、从而将甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷。之后，将含有该甲基三氯硅烷的再分配后的馏分进行蒸馏纯化，从而分离出高纯度的三氯硅烷。甲基二氯硅烷(沸点41℃)因为沸点与作为蒸馏纯化对象的三氯硅烷的沸点(32℃)接近，因此难以除去。在本发明中，通过在与四氯硅烷之间进行氯的再分配来转化为甲基三氯硅烷(沸点66℃)，从而使除去变得容易。

公开(公告)号：CN117897357A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280059580.4

申请日：2022-08-26

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥健 ,  田中秀二 ,  福冈宏文

IPC: C01B33/113 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48

Abstract: 本发明为一种一氧化硅粉末，其为由一氧化硅构成的一氧化硅粉末，其特征在于，在通过使用了Cu‑Kα射线的X射线衍射对该一氧化硅粉末进行测定而得到的X射线衍射光谱中，在2θ＝22°附近及2θ＝50°附近具有来自非晶相的宽峰，另一方面在2θ＝28°附近不具来自硅的晶相的峰。由此，提供一种一氧化硅粉末，其为非晶形且歧化率低。

公开(公告)号：CN107848796A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680044982.1

申请日：2016-08-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  祢津茂义 ,  齐藤弘 ,  田中秀二

IPC: C01B3/56 ,  B01J20/18 ,  B01D53/78 ,  B01D53/82 ,  B01D53/96 ,  B01J20/20 ,  B01J20/34 ,  C01B33/035 ,  C01B39/44 ,  B01D53/68 ,  B01D53/72 ,  B01D53/75

CPC classification number: C01B3/58 ,  B01D53/002 ,  B01D53/04 ,  B01D53/1481 ,  B01D53/75 ,  B01D53/82 ,  B01D53/96 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/108 ,  B01D2256/16 ,  B01D2257/102 ,  B01D2257/108 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/504 ,  B01D2257/553 ,  B01D2257/702 ,  B01D2257/7025 ,  B01D2258/0216 ,  B01J20/18 ,  B01J20/20 ,  B01J20/34 ,  B01J20/3408 ,  B01J20/3416 ,  C01B3/56 ,  C01B7/03 ,  C01B7/0725 ,  C01B33/035 ,  C01B39/44

Abstract: 本发明的氢气回收系统由从来自多晶硅制造工序的含有氢的反应废气中冷凝分离氯硅烷类的冷凝分离装置(A)、对含有氢的反应废气进行压缩的压缩装置(B)、使含有氢的反应废气与吸收液接触而将氯化氢吸收分离的吸收装置(C)、由用于将含有氢的反应废气中包含的甲烷、氯化氢及氯硅烷类的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔构成的第一吸附装置(D)、由将含有氢的反应废气中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔构成的第二吸附装置(E)和将使甲烷浓度降低后的纯化氢气回收的气体线路(F)构成。

公开(公告)号：CN106470942A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036608.2

申请日：2015-07-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田中秀二 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035 ,  B01J19/087 ,  B01J2219/0803 ,  B01J2219/0879

Abstract: 芯线支架(34)(保持构件)其下端部具有形成正锥角的锥度。另一方面，关于在用于对硅芯线(100)通电的金属电极(30)与芯线支架(34)(保持构件)的连接中使用的转接器(33)(支撑构件)，插入芯线支架(34)(保持构件)的下端部的孔部的内表面具有在将该孔部的开口侧设为上方并将保持构件的下端部插入方向设为下方时锥角为正的锥度。芯线支架(34)(保持构件)的下端部插入到该转接器(33)(支撑构件)的孔部中而使硅芯线(100)固定。通过设定为这样的结构，可防止通过CVD法使多晶硅在硅芯线上析出时的、火花的产生等所导致的硅芯线的局部性熔断、结构性损伤。

公开(公告)号：CN1749260B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200510113285.0

申请日：2005-06-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 津寺贵信 ,  田中秀二 ,  岩井大祐 ,  西脇宽实 ,  本间孝之

IPC: C07F5/06

CPC classification number: C07F5/062

Abstract: 本发明涉及一种含有以下杂质含量的高纯三甲基铝：有机硅组分≤0.5ppm，氯组分≤20ppm，烃类组分≤1,000ppm，Ca≤0.05ppm，Fe≤0.05ppm，Mg≤0.05ppm，Na≤0.05ppm，Si(非有机硅组分的硅组分)≤0.07ppm，Zn≤0.05ppm，和S≤0.05ppm。通过蒸馏和蒸发从粗三甲基铝中除去杂质高纯三甲基铝。

公开(公告)号：CN1769289B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200510113286.5

申请日：2005-06-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 津寺贵信 ,  岩井大祐 ,  本间孝之 ,  西脇宽实 ,  田中秀二

IPC: C07F5/06

CPC classification number: C07F5/062

Abstract: 本发明涉及一种有机金属化合物精制方法，该方法包括蒸馏要精制有机金属化合物，同时使惰性气体吹过有机金属化合物蒸气，从而从有机金属化合物中除去比有机金属化合物蒸气压高的杂质。

公开(公告)号：CN100349900C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410055256.9

申请日：2004-06-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 西腋宽实 ,  津寺贵信 ,  本间孝之 ,  田中秀二

IPC: C07F5/00

CPC classification number: C07F5/00

Abstract: 一种含杂质的第III族金属烃的纯化是通过在沸点最高200℃且比第III族金属烃的沸点高至少30℃的溶剂中提供第III族金属烃与路易斯碱的加合物，使加合物与溶剂分离，然后加热加合物进行热离解，从而释放高纯度的第III族金属烃。