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公开(公告)号：CN104576484A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310475745.9
申请日：2013-10-12
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/683 , H01L21/68785
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备中的托盘结构，包括环形槽及凸台，在凸台表面设置有多个凹槽；多个凹槽中的至少一个凹槽与所述环形槽连通。本发明的半导体设备中的托盘结构，通过在放置晶片的圆形槽中的凸台表面设置凹槽，凹槽在工艺加工过程中不与晶片接触，从而降低晶片在工艺加工过程中中心区域的温度。同时工艺气体在凹槽内运行，为晶片传递热量，使整个晶片在工艺加工过程中的温度更均衡。避免由于温度不均匀造成的晶片周围和中间工艺结果不同。
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公开(公告)号：CN101476114B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910077872.7
申请日：2009-01-23
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 荣延栋
IPC: C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205
Abstract: 等离子体设备腔室维护前预处理的方法，包括：对所述等离子体设备腔室内壁执行等离子体处理，以消耗吸附于腔室内壁的工艺气体，并将生成副产物气体排出腔室；用氮气或惰性气体对所述腔室执行充抽处理；其中，所述充抽处理在所述等离子体处理之前或之后执行。本发明的方法可减小等离子体设备腔室维护前预处理的时间。
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公开(公告)号：CN101764176B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200810225491.4
申请日：2008-11-03
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 荣延栋
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池的制造方法，在表面成膜步骤之后增加H等离子体处理步骤，在H2气体放电等离子体气氛中进行H化处理，H等离子体中含有大量的H离子，这些H离子可以和表面的各种悬挂键结合，饱和悬挂键等缺陷；另外高温可以减小硅中的空洞、颗粒等缺陷，自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等会使系统的自由能降低，转变为热力学中更稳定的状态。能有效的减小电池的表面复合，提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN101924003A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910086630.4
申请日：2009-06-12
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 荣延栋
Abstract: 本发明公开了一种电极结构及等离子体设备，电极结构由多块石墨板拼接之后放在边框中，石墨板与边框之间设有弹性元件。将石墨板放入边框后，石墨板便会被弹性元件顶住夹紧，这样既保证了石墨板在高温或者低温的情况下不会出现缝隙，又保证了石墨板拆卸维护时的便捷。可以应用在等离子体增强化学气相沉积设备的工艺腔室中。
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公开(公告)号：CN101451619A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710178736.8
申请日：2007-12-04
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 荣延栋
Abstract: 本发明公开了一种摆阀及等离子体加工装置及其控制反应腔室内压力的方法，摆阀的主阀芯上设有副摆阀。等离子体加工装置的反应腔室的抽气口处设有这种摆阀，通过这种摆阀及其主阀芯上设有的副摆阀联合控制反应腔室内的压力。在控压过程中，可以是通过对摆阀的开启步数进行划分实现分段控压；也可以通过对反应腔室内的压力进行划分实现分段控压。摆阀的控压能力高，尤其是高压情况下能够更精确的控制压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101196258A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610164904.3
申请日：2006-12-07
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 荣延栋
IPC: F16K99/00
Abstract: 本发明公开了一种摆阀及通过该摆阀控制反应腔室的压力的方法，摆阀安装于反应腔室的抽气口处，通过轴与反应腔室铰接，可绕轴作横向旋转，使摆阀相对抽气口做平移运动；还可绕轴作纵向旋转，使摆阀相对抽气口做旋转运动；平移运动与旋转运动可同时进行，也可以单独进行。控制装置根据设定的压力值及向反应腔室供入的气体流量，自动控制摆阀的平移运动及旋转运动，用以控制摆阀对抽气口的开启大小，进而控制反应腔室压力。主要适用于半导体刻蚀设备的反应腔室，也适用于其它类似的腔室。
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公开(公告)号：CN100377308C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510126285.4
申请日：2005-12-02
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 荣延栋
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F1/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体刻蚀前去除颗粒的工艺，即对硅片进行预处理的工艺，该工艺包括两个步骤：(1)颗粒激活；(2)颗粒去除。本发明的工艺能够在紧邻刻蚀工艺步骤前对硅片进行清洁处理，达到颗粒控制的最佳效果。
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公开(公告)号：CN1851869A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200510126285.4
申请日：2005-12-02
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 荣延栋
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F1/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体刻蚀前去除颗粒的工艺，即对硅片进行预处理的工艺，该工艺包括两个步骤：(1)颗粒激活；(2)颗粒去除。本发明的工艺能够在紧邻刻蚀工艺步骤前对硅片进行清洁处理，达到颗粒控制的最佳效果。
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公开(公告)号：CN106783800A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510801891.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种芯片的阻挡层及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于提高阻挡层的阻挡作用，并且不会增加甚至可以减少溅射镀膜机台的维护次数。其中所述基片上的阻挡层为单层金属薄膜结构或者多层金属薄膜层叠的结构，且所述阻挡层中至少一层金属薄膜具有非晶结构。前述芯片的阻挡层设置于导电层与基片之间，用于防止导电层与基片之间的扩散。
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公开(公告)号：CN105304510A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410350029.2
申请日：2014-07-22
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种铝薄膜制备方法，包括如下步骤：向工艺腔室中通入第一流量的第一工艺气体和第二流量的第二工艺气体，并在第一沉积功率下沉积第一层铝薄膜；继续向工艺腔室中通入第三流量的第一工艺气体和第四流量的第二工艺气体，并在第二沉积功率下沉积第二层铝薄膜；其中，第一沉积功率小于第二沉积功率。其通过两步法，采用双层膜的沉积模式，第一步制备较为疏松的第一层铝薄膜，与晶片之间形成良好的欧姆接触，第二步制备更为致密，电阻率更低的第二层铝薄膜，有效地解决了现有的铝薄膜制备工艺制备的铝薄膜合金相不稳定，且工艺窗口要求苛刻，不利于生产的问题。
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