公开(公告)号：CN116053292A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202210934974.1

申请日：2022-08-05

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 孙琬茹 ,  李翠 ,  聂瑞芬 ,  刘江 ,  王耀华 ,  金锐 ,  汪玉 ,  李宾宾

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内；源区，位于所述阱区内；第一绝缘介质阻挡层，所述第一绝缘介质阻挡层位于所述阱区底部的漂移层中且与所述阱区邻接；第二绝缘介质阻挡层，所述第二绝缘介质阻挡层设置于所述阱区沿沟道长度方向两侧的漂移层中，所述第二绝缘介质阻挡层至漂移层的顶面的距离大于零；第一绝缘介质阻挡层和第二绝缘介质阻挡层暴露出所述阱区的底面和所述阱区的侧壁之间的交界区。上述的绝缘栅双极晶体管在降低导通压降时，不增加绝缘栅双极晶体管的关断损耗，能很好地满足高压大功率开关的应用要求。

公开(公告)号：CN119342877B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411891237.3

申请日：2024-12-20

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院

Inventor： 田宝华 ,  金锐 ,  和峰 ,  刘江 ,  聂瑞芬 ,  李翠 ,  郝夏敏

IPC: H10D62/17 ,  H10D30/66 ,  H10D30/01

Abstract: 本申请提供了一种半导体器件以及晶体管。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一注入区，位于外延层中，第一注入区的远离衬底的表面与外延层的远离衬底的部分表面重叠；斜角沟道区，位于第一注入区中，斜角沟道区的导电类型与第一注入区的导电类型不同，斜角沟道区的远离衬底的表面与第一注入区的远离衬底的表面之间的夹角不为0°；栅极结构，位于外延层的远离衬底的部分表面上，斜角沟道区在衬底的正投影位于栅极结构在衬底的正投影中。本申请至少解决现有技术中半导体器件的沟道迁移率较低的问题。

公开(公告)号：CN119451196A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310946775.7

申请日：2023-07-31

Applicant: 北京智慧能源研究院

Inventor： 刘江 ,  高明超 ,  王耀华 ,  和峰 ,  李立 ,  孙琬茹 ,  李翠 ,  聂瑞芬 ,  金锐 ,  田宝华 ,  郝夏敏

IPC: H10D62/832 ,  H10D62/10 ,  H10D62/13 ,  H10D8/00 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D8/01

Abstract: 一种Si/SiC异质结结构及其制作方法，所述异质结形成二极管的阳极区，P型Si位于N型SiC上方，Si/SiC异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管I GBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传统碳化硅结构相比，本专利结构与传统硅制造工艺兼容，降低了工艺难度，提高了工艺质量，降低成本，提升了碳化硅器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN119342875A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411890627.9

申请日：2024-12-20

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院

Inventor： 金锐 ,  郝夏敏 ,  和峰 ,  田宝华 ,  聂瑞芬 ,  刘江 ,  李翠

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/60 ,  H01L21/223 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种半导体功率器件的终端结构及其制作方法。半导体功率器件的终端结构包括漂移层和外延层，漂移层的导电类型为第一导电类型；外延层位于漂移层的一侧，外延层的导电类型为第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型不同，外延层包括多个掺杂区，各掺杂区内的掺杂浓度沿第一预定方向递减或递增，第一预定方向与外延层的厚度方向垂直。解决了现有技术中如何提升半导体功率器件的耐压的技术问题。

公开(公告)号：CN220400597U

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202322024049.8

申请日：2023-07-31

Applicant: 北京智慧能源研究院

Inventor： 刘江 ,  高明超 ,  王耀华 ,  和峰 ,  李立 ,  孙琬茹 ,  李翠 ,  聂瑞芬 ,  金锐 ,  田宝华 ,  郝夏敏

IPC: H01L29/165 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 一种Si/SiC异质结结构，所述异质结形成二极管的阳极区，P型S i位于N型SiC上方，Si/Si C异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管I GBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传统碳化硅结构相比，本专利结构与传统硅制造工艺兼容，降低了工艺难度，提高了工艺质量，降低成本，提升了碳化硅器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN114975303A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210610621.6

申请日：2022-05-31

Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 李翠 ,  聂瑞芬 ,  孙琬茹 ,  金锐 ,  王耀华 ,  高明超 ,  王鑫 ,  陈艺

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开了一种高压功率芯片及其制造方法、一种半导体器件及其制造方法。高压功率芯片包括：晶圆衬底；正面结构，正面结构位于晶圆衬底的一侧表面；其中正面结构包括元胞区和包围元胞区的终端区，还包括位于终端区的基本钝化保护层；补充钝化层；补充钝化层至少部分覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面，且至少同时覆盖终端区的侧部表面。补充钝化层还至少覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面与终端区的侧部表面的交界处。本发明提供的高压功率芯片耐压可靠性高。

公开(公告)号：CN115084225A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210664903.4

申请日：2022-06-13

Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 聂瑞芬 ,  李翠 ,  刘江 ,  金锐 ,  王耀华 ,  王鑫 ,  金雨楠

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内，所述阱区的部分底部表面为凹陷区，所述凹陷区朝向阱区内凹进；源区，位于所述阱区内；载流子存储区，所述载流子存储区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述载流子存储区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度，所述载流子存储区围绕所述阱区的侧面且暴露所述凹陷区，所述凹陷区与所述漂移层接触。本发明的绝缘栅双极晶体管在降低通态压降的同时提升了耐压水平。