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公开(公告)号：CN112126897B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011070429.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为40W，沉积时间为2小时；将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500‑800摄氏度，退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
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公开(公告)号：CN112126897A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011070429.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为40W，沉积时间为2小时；将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500‑800摄氏度，退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
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公开(公告)号：CN110616461A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910989848.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgBiBr6型双钙钛矿晶体的制备方法，该方法采用降温法按摩尔比CsBr：BiBr3：AgBr=2:1:1的比例量取CsBr溶液、BiBr3溶液和AgBr粉体，先在常温下将CsBr溶液和BiBr3溶液相混合并充分搅拌，然后加入AgBr粉体，得到橙黄色母液，通过上层溶液生长并对降温合理控制，可以获得到高质量的Cs2AgBiBr6晶体。制备方法简单，不含有毒物质，为制备基于Cs2AgBiBr6型双钙钛矿晶体的光电器件的性能提供材料和理论基础。本发明制备设备简单，结晶组分单一，符合剂量比，结晶质量好。
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公开(公告)号：CN103193476B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310160017.9
申请日：2013-05-03
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供制备纯相BiFeO3陶瓷的湿化学方法，涉及无机非金属材料领域。该方法为：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶于水，加入酒石酸，然后在90-150℃持续搅拌，直到溶液为粘稠状，停止搅拌，烘干，在380-420℃预烧3-5h，研磨后得到前驱物粉末；将前驱物粉末在500-600℃预烧2-4h得到BiFeO3粉末；将BiFeO3粉末研磨、压片后得到BiFeO3陶瓷胚体；将BiFeO3陶瓷胚体在700-800℃密封烧结1-2h，得到纯相BiFeO3陶瓷。本发明工艺简单，得到的纯相BiFeO3陶瓷致密，颗粒的大小可以通过烧结温度进行调控。
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公开(公告)号：CN102311138A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110223849.1
申请日：2011-08-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 掺钕钆钪铝石榴石纳米粉体的制备方法，步骤为：a.配制Gd(NO3)3、Nd(NO3)3、Sc(NO3)3、Al(NO3)3溶液；b.称取NH4HCO3，用水溶解，在反应器内先加入体积占反应器1/10的碳酸氢铵溶液；c.将硝酸盐和碳酸氢铵同步、同速滴加到反应器内并对反应器内溶液进行充分的搅拌；d.反应器内得到白色糊状物，并进行离心沉淀，收集离心管底部沉淀，然后再将沉淀先后分散于乙醇溶液、水中，进行再次沉淀；e.收集经离心沉淀后的前驱物粉体，烘干并研磨；f.收集研磨后的粉体，放入马弗炉进行煅烧，获得目标粉体。合成原理及操作过程简单，烧结温度和烧结时间较短，降低了合成成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112158875A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011070427.0
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种孤立ZnO微米棒的制备方法，包括如下步骤：清洗单晶硅衬底，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，对真空室腔体抽真空；对Au和Ti靶材进行预处理；采用电子束沉积法沉积Au/Ti薄膜，衬底温度为室温，沉积电压为10KV，沉积Au和Ti的厚度分别为50nm和20nm；采用水热法在衬底上生长ZnO微米棒，前驱体为硝酸锌和六次甲基四胺，溶剂为去离子水，生长温度为70‑90摄氏度；生长结束后取出样品用去离子水清洗干净后晾干。采用本发明方法制备的ZnO微米棒在金属表面生长，易于剥离，是制备单微纳米光电子器件的理想材料。
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公开(公告)号：CN108649082A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810347600.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点-碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液，然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点-碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中，由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题，提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，利用碳量子点作为载流子传输层，可以极大程度的提高探测器的光响应电流，从而提高响应度，达到提高器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN103064145A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310001642.9
申请日：2013-01-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种湿度传感光纤及其制备方法和应用该传感光纤的湿度传感系统。该湿度传感光纤包括纤芯和包覆纤芯的覆层；该湿度传感光纤一段为湿敏段光纤；湿敏段光纤的纤芯表面依次设有金属薄膜层和纳米多孔薄膜层；金属薄膜层的厚度为20～100nm；纳米多孔薄膜层的厚度为20～200nm。本发明湿度传感光纤制备工艺简单，应用该光纤的湿度传感系统结构简单，对湿度灵敏度高，且具有良好的选择性和低浓度输出性。
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公开(公告)号：CN102583571A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210050145.3
申请日：2012-02-29
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种制备Bi2Fe4O9纳米粉体的湿化学方法。步骤是先将Bi2O3溶于稀硝酸中并加入适量蒸馏水，然后按摩尔比加入Fe（NO3）3·9H2O，搅拌均匀；在所得溶液中按比例加入酒石酸，然后在90-120℃的温度下继续磁力搅拌，当溶液变得很粘稠时，停止搅拌，在150-200℃时烘干；然后将反应物置于烘箱中，在350-450℃预烧，以去除其中的有机物；之后将获得的粉末研磨，转移至氧化铝坩埚中，在不同的温度烧结1-2h，即得到不同颗粒尺寸的Bi2Fe4O9纳米粉体。该Bi2Fe4O9纳米粉体可用作气敏材料或烧结成型后制备Bi2Fe4O9陶瓷。
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公开(公告)号：CN114855259B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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