公开(公告)号：CN105808369B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610184888.8

申请日：2016-03-29

Applicant: 北京系统工程研究所 ,  南京大学

Inventor： 王兵 ,  邓波 ,  刘宇 ,  李海龙 ,  战茅 ,  许帅 ,  施寅生 ,  洪斌 ,  周严 ,  王林章

IPC: G06F11/07

Abstract: 本发明针对内存泄漏缺陷，提出一种基于符号执行的内存泄漏检测方法，首先对于被测试的源代码，使用静态分析工具处理，得到静态内存泄漏警报；然后，把用源代码和内存泄漏警报，同时输入插桩器，得到插桩后的代码。接着，把插桩后的代码输入测试用例生成模块，生成大量测试用例并执行所有测试用例。每个测试用例运行结束后都有对目标内存对象泄漏情况汇报，最后综合所有测试执行的输出，对内存泄漏测试结果进行判定。本方法解决了静态内存泄漏分析的误报问题和动态测试的漏报问题，并利用符号执行技术生成测试用例，减少了静态分析内存泄漏结果的人工验证工作。提高了动态执行的效率。

公开(公告)号：CN104679511A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510069703.4

申请日：2015-02-10

Applicant: 北京系统工程研究所 ,  南京大学

Inventor： 邓波 ,  王兵 ,  张天 ,  徐朋飞 ,  战茅 ,  刘宇 ,  包阳

IPC: G06F9/44

Abstract: 本发明公开了基于MDE模型转换的MapReduce代码生成方法。该方法的输入是QVT描述的模型转换程序。该方法将输入的QVT模型转换程序逐个提取其定义的转换规则，生成转换原语描述的操作流程，然后将转换原语描述的操作流程抽取为逻辑模型实例，再根据原语算子对应表，把逻辑模型实例转换成物理模型实例，最后根据物理模型实例生成MapReduce代码。最终输出的MapReduce代码能够直接部署在Hadoop平台上执行处理海量数据。本发明高度自动化，能够节约程序员编码时间，且生成的MapReduce代码具有相当的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN101509123A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910024491.2

申请日：2009-02-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  万能 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  林涛 ,  陈谷然 ,  甘新慧 ,  郭四华 ,  孙红程 ,  刘宇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，调节电子束束流，使靶材蒸发后在衬底上的沉积速率为0.2－0.5nm/s，待衬底上达到所需沉积厚度时，停止蒸发，冷却后完成制备。本发明利用常规电子束蒸发装置在较低温度下制备出小尺寸的ITO纳米线材料。所获得的纳米材料不仅具有优异的场发射性能和良好的减反射特性，而且均匀可控，成本低廉，可以实现大面积制备，不需要添加任何催化剂，因此可以在发光、显示和光伏产业中应用。

公开(公告)号：CN119932618A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411402700.3

申请日：2024-10-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  黄悦 ,  刘宇 ,  贾瓦德·阿里·沙阿·赛义德 ,  吴迪

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04 ,  C25B11/052 ,  C25B11/031 ,  C25B11/061 ,  C01G55/00 ,  C01G53/11 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种高性能析氧反应复合电催化剂及其制备方法，属于电催化材料制备领域，解决了在三维多孔复杂衬底（泡沫镍）很难实现RuO2纳米颗粒的均匀负载与尺寸的精准调控，由此影响所制备电催化剂的性能与重复性的问题。本发明方法包括以下步骤：将泡沫镍用硫脲先硫化，再使用ALD技术在泡沫镍基的Ni3S2表面均匀沉积RuO2纳米颗粒。本发明通过ALD技术精准控制泡沫镍基Ni3S2表面RuO2纳米颗粒尺寸在1.5‑3.5 nm、面密度在0.8‑1.2´1012/cm2，能够提高催化剂导电性和电化学活性，改善电荷转移速率，提高了电催化剂的OER性能。

公开(公告)号：CN107957276B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201810010407.0

申请日：2018-01-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 王峰 ,  袁泉 ,  张旭苹 ,  刘宇

IPC: G01D5/353 ,  G01H9/00

Abstract: 本发明公开了基于频率漂移补偿的相位敏感光时域反射计及其测量方法。该系统是在传统Φ‑OTDR的基础上，通过引入具有特定光程差的时延光纤和连接光纤，形成一个具有固定臂长差的马赫－曾德尔干涉仪(MZI)，构成一个激光器频率漂移检测模块。根据系统中MZI的信号强度得到激光器的频率漂移，并通过相位补偿算法对Φ‑OTDR传感系统的相位进行补偿，以消除激光器频率漂移对Φ‑OTDR传感性能的影响。本发明通过构建新型Φ‑OTDR系统来消除激光器频率漂移对传感性能的影响，并且通过相位补偿等处理方法可以降低噪声的影响，提高了系统对振动事件定量测量的准确度。

公开(公告)号：CN107957276A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201810010407.0

申请日：2018-01-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 王峰 ,  袁泉 ,  张旭苹 ,  刘宇

IPC: G01D5/353 ,  G01H9/00

CPC classification number: G01D5/35329 ,  G01H9/004

Abstract: 本发明公开了基于频率漂移补偿的相位敏感光时域反射计及其测量方法。该系统是在传统Φ-OTDR的基础上，通过引入具有特定光程差的时延光纤和连接光纤，形成一个具有固定臂长差的马赫－曾德尔干涉仪(MZI)，构成一个激光器频率漂移检测模块。根据系统中MZI的信号强度得到激光器的频率漂移，并通过相位补偿算法对Φ-OTDR传感系统的相位进行补偿，以消除激光器频率漂移对Φ-OTDR传感性能的影响。本发明通过构建新型Φ-OTDR系统来消除激光器频率漂移对传感性能的影响，并且通过相位补偿等处理方法可以降低噪声的影响，提高了系统对振动事件定量测量的准确度。

公开(公告)号：CN102255016A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110235565.4

申请日：2011-08-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  孙红程 ,  沐维维 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  徐伟 ,  徐岭 ,  刘宇

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种近红外光发射硅基材料及其制备方法，属于通讯材料技术领域。该材料包括单晶硅衬底或者石英衬底，所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜；所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼磷纳米硅量子点。其制备方法包括采用平板电容型射频等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）制备硼磷共掺杂的非晶硅/二氧化硅多层膜、后处理退火薄膜晶化步骤。本发明的纳米晶硅多层结构材料具有低于硅带隙的复合能级，同时克服体硅材料发光效率低下的问题，因此为光互连奠定了基础。其制备方法与微电子技术兼容，有利于大规模生产。

公开(公告)号：CN100555693C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200810025499.6

申请日：2008-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 韦德远 ,  徐骏 ,  王涛 ,  陈德媛 ,  韩培高 ,  孙红程 ,  刘宇 ,  陈谷然 ,  陈坤基 ,  马忠元 ,  李伟 ,  徐岭

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为阳极。工艺过程为制备带有量子阱结构多层薄膜，再后处理退火晶化和制备器件电极。本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO2发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。