一种级联的法布里-玻罗光学共振腔及其制备方法

    公开(公告)号:CN101231441A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200810020210.1

    申请日:2008-02-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种级联的法布里-玻罗光学共振腔及其制备方法,该材料是在K9玻璃或石英玻璃片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出包含五个不同区域的由银膜和二氧化硅膜构成的级联法布里-玻罗光学共振腔;用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在液体层,该材料厚度超薄(总厚度小于380纳米)且结构稳定,而且容易控制,并具有在波长为400纳米至850纳米的范围内获得五个共振模式,并且这五个共振模式的频率互不关联,每个模式可独立调控的功能。

    一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN101162753A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200710134577.1

    申请日:2007-11-02

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法,属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退火。实验证明,采用本发明的方法可以使稀土离子的发光产生数量级的增强,可以与半导体工业相兼容,具有操作方便、快捷、成本低廉、制备条件温和、工艺重复性好、效果明显等优点,完全可以应用于未来的硅基光电子领域。

    ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS异质结的制备与太阳能电池应用

    公开(公告)号:CN102315333A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201110309884.5

    申请日:2011-10-13

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 三元ZnSnS薄膜的制备方法,以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底,经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积,电解液的温度为室温至45℃;电沉积过程:在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中,调节脉冲电位法的参数为,开启电位-1.0至-1.2V,开启时间10,沉积时的关断电位不是0V,而是设置为负关断电位-0.6V,关断时间10s;重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度;本发明的改进脉冲电沉积制备方法,一步获得相关薄膜,其设备和制备过程简单,可实现大面积制备,成本低。

    一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法

    公开(公告)号:CN101509123A

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200910024491.2

    申请日:2009-02-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法,属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底,关闭电子束蒸发仪的腔体,将腔体内抽真空并烘烤腔体,调节电子束斑,使之打在ITO靶材表面,调节电子束束流,使靶材蒸发后在衬底上的沉积速率为0.2-0.5nm/s,待衬底上达到所需沉积厚度时,停止蒸发,冷却后完成制备。本发明利用常规电子束蒸发装置在较低温度下制备出小尺寸的ITO纳米线材料。所获得的纳米材料不仅具有优异的场发射性能和良好的减反射特性,而且均匀可控,成本低廉,可以实现大面积制备,不需要添加任何催化剂,因此可以在发光、显示和光伏产业中应用。

    一种介电滤波薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1707295A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200510038851.6

    申请日:2005-04-13

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。

    基于聚类信息的视频推荐服务器、推荐方法和预缓存方法

    公开(公告)号:CN105812834A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610304477.8

    申请日:2016-05-10

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 林涛 叶保留

    CPC classification number: H04N21/23106 G06F17/30828 H04N21/25891

    Abstract: 本发明公开了一种基于聚类信息的视频推荐服务器、视频推荐方法和预缓存方法,通过结合观看行为中呈现的偏序信息和聚类信息,结合特征建模方式,通过贝叶斯网络构建一个整合模型,进一步通过用户历史数据挖掘提炼模型参数,服务于移动自组网中视频预取和预缓存的决策。本发明用于移动设备在移动自组网中相互之间共享流媒体数据时候提供视频预测和预取服务,通过提高缓存命中率,使得用户在请求视频数据时候,能够更多从本地得到满足,系统通过尽量少的广播,满足尽量多未来的视频请求,进一步减少了网络中视频传输的数据量,提高整体网络吞吐量和传输带宽,大幅度提升整个网络的通信效率。

    一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN100481547C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200710134577.1

    申请日:2007-11-02

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法,属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退火。实验证明,采用本发明的方法可以使稀土离子的发光产生数量级的增强,可以与半导体工业相兼容,具有操作方便、快捷、成本低廉、制备条件温和、工艺重复性好、效果明显等优点,完全可以应用于未来的硅基光电子领域。

    基于聚类信息的视频推荐服务器、推荐方法和预缓存方法

    公开(公告)号:CN105812834B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201610304477.8

    申请日:2016-05-10

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 林涛 叶保留

    Abstract: 本发明公开了一种基于聚类信息的视频推荐服务器、视频推荐方法和预缓存方法,通过结合观看行为中呈现的偏序信息和聚类信息,结合特征建模方式,通过贝叶斯网络构建一个整合模型,进一步通过用户历史数据挖掘提炼模型参数,服务于移动自组网中视频预取和预缓存的决策。本发明用于移动设备在移动自组网中相互之间共享流媒体数据时候提供视频预测和预取服务,通过提高缓存命中率,使得用户在请求视频数据时候,能够更多从本地得到满足,系统通过尽量少的广播,满足尽量多未来的视频请求,进一步减少了网络中视频传输的数据量,提高整体网络吞吐量和传输带宽,大幅度提升整个网络的通信效率。

    一种具有温度调控的超薄的多通道太赫兹滤波器

    公开(公告)号:CN101504997A

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200910025793.1

    申请日:2009-03-10

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有温度调控的超薄的多通道太赫兹滤波器,该滤波器是在高阻抗单晶硅或砷化镓衬底的表面上构造曲面,然后在衬底曲面上生长一层锑化铟薄膜,该薄膜材料厚度超薄(总厚度不超过2.15微米),该多通道太赫兹滤波器具有在0.1至3太赫兹的频率范围内获得五个共振透射峰,并且共振透射频率基本不随温度变化,并且这五个共振模式的透射率随温度降低而增加,其透射率高达90%~93%。

    ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS异质结的制备与太阳能电池应用

    公开(公告)号:CN102315333B

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201110309884.5

    申请日:2011-10-13

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 三元ZnSnS薄膜的制备方法,以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底,经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积,电解液的温度为室温至45℃;电沉积过程:在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中,调节脉冲电位法的参数为,开启电位-1.0至-1.2V,开启时间10,沉积时的关断电位不是0V,而是设置为负关断电位-0.6V,关断时间10s;重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度;本发明的改进脉冲电沉积制备方法,一步获得相关薄膜,其设备和制备过程简单,可实现大面积制备,成本低。

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