公开(公告)号：CN101509123B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910024491.2

申请日：2009-02-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  万能 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  林涛 ,  陈谷然 ,  甘新慧 ,  郭四华 ,  孙红程 ,  刘宇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，调节电子束束流，使靶材蒸发后在衬底上的沉积速率为0.2-0.5nm/s，待衬底上达到所需沉积厚度时，停止蒸发，冷却后完成制备。本发明利用常规电子束蒸发装置在较低温度下制备出小尺寸的ITO纳米线材料。所获得的纳米材料不仅具有优异的场发射性能和良好的减反射特性，而且均匀可控，成本低廉，可以实现大面积制备，不需要添加任何催化剂，因此可以在发光、显示和光伏产业中应用。

公开(公告)号：CN100362375C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200510038851.6

申请日：2005-04-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 彭茹雯 ,  王展 ,  唐朝晖 ,  黄秀清 ,  王牧 ,  林涛 ,  胡安 ,  蒋树声 ,  冯端

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/293 ,  G02F1/365 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法，该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术，在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料，其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜，第二、四、六层为Si膜或SiO2膜，用该技术制备时膜厚控制精确，而且材料中间不存在空气间隙层，该材料结构稳定，而且容易控制，并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带，在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能，得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米，与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。