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公开(公告)号：CN112750547A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110133369.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 辐伏电化学放射性同位素电池，包括由衬底电极及其表面集成的半导体三维纳米结构共同组成的阳极、阴极以及填充在阳极三维纳米空间结构中的放射性电解质，所述放射性电解质的放射性来自于电解质中的一种或多种稳定元素被同类型的放射性同位素取代，所述放射性同位素产生的射线包括α粒子和β粒子中的至少一种；所述放射性同位素具有5年以上的半衰期，辐射粒子的平均能量不高于250keV。所述放射性电解质产生的射线与阳极半导体三维纳米结构相互作用产生大量的电子‑空穴对，在固液异质结构成的内建电场的作用下空穴与电解质发生氧化反应迁移至阴极，电子经由外电路转移到阴极与电解质发生还原反应，构成闭合回路从而产生输出电流。
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公开(公告)号：CN105784189A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610293100.7
申请日：2016-05-05
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: G01K11/265 , G01L1/255
Abstract: 硅?玻璃?硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备，涉及传感器。传感器为硅?玻璃?硅三明治结构，压力传感器集成在上层的硅基感压薄膜上，温度传感器集成在底部的硅基底上，硅基底与上层通过玻璃框架隔离。制造方法：制备硅基底；制备硅基感压薄膜；硅基底、硅基感压薄膜与玻璃框架键合形成三明治结构空腔；以SOI晶圆片中的掩埋氧化硅层为腐蚀自停止层刻蚀SOI晶圆片的衬底层，留下SOI晶圆片的器件层作为压力传感器的硅基感压薄膜；在硅基感压薄膜上刻蚀四个电极区域，刻蚀区域为温度传感器和压力传感器电极区域的上方，分别以玻璃框架与硅基感压薄膜键合的界面和硅基感压薄膜上的镶嵌电极为刻蚀停止层；阵列器件裂片后得单个器件。
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公开(公告)号：CN103335753B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310220562.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法，涉及一种超微压力传感器。提供一种高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的具有自封装结构的硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法。所述硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。第一阶段：SOI晶圆片上的工艺制作；第二阶段：基底部分的制备；第三阶段：键合及后续工艺。
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公开(公告)号：CN102545692B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210016068.X
申请日：2012-01-18
Applicant: 厦门大学 , 江苏奥力威传感高科股份有限公司
IPC: H02N2/18
Abstract: 基于压电静电的复合式振动能量收集器，涉及一种振动能量收集装置。提供一种可实现对环境振动能量的自适应、高效率和宽频带收集，并且可实现自供能的基于压电静电的复合式振动能量收集器设有支架、质量块、镂空连接板、上电容极板、下电容极板、压电片组和能量收集电路；或设有支架、质量块、镂空连接板、上电容极板、下电容极板、压电片组和能量收集电路。
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公开(公告)号：CN102980712B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210529953.8
申请日：2012-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 一种具有自封装结构的贴片式单电阻压阻式压力传感器，涉及一种压力传感器。设芯片主体、压敏电阻、连接锚点、金属层、镶嵌电路、印刷电路板、电极、锡钎焊和压力腔；芯片主体设带空腔的玻璃晶圆片和硅薄膜，玻璃晶圆片与硅薄膜通过阳极键合结合；压敏电阻设在硅薄膜下表面，金属层溅射在连接锚点上，连接锚点与金属层形成欧姆接触，镶嵌电路分别与压敏电阻和连接锚点相连接，镶嵌电路设于玻璃晶圆片表面上，电极设于印刷电路板上，芯片上的铜电极由锡钎焊与电极连接并组成惠斯登电桥；压敏电阻通过键合界面引出电极与外界焊盘实现电连接，镶嵌电路将密封的压力腔内的信号输出至外部电路。高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112750547B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110133369.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 辐伏电化学放射性同位素电池，包括由衬底电极及其表面集成的半导体三维纳米结构共同组成的阳极、阴极以及填充在阳极三维纳米空间结构中的放射性电解质，所述放射性电解质的放射性来自于电解质中的一种或多种稳定元素被同类型的放射性同位素取代，所述放射性同位素产生的射线包括α粒子和β粒子中的至少一种；所述放射性同位素具有5年以上的半衰期，辐射粒子的平均能量不高于250keV。所述放射性电解质产生的射线与阳极半导体三维纳米结构相互作用产生大量的电子‑空穴对，在固液异质结构成的内建电场的作用下空穴与电解质发生氧化反应迁移至阴极，电子经由外电路转移到阴极与电解质发生还原反应，构成闭合回路从而产生输出电流。
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公开(公告)号：CN107367294B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710820750.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 基于谐振式声表面波无线无源传感器的双极化检测系统，涉及声表面波无线无源传感器。由可激发两个极化方向相互垂直电磁波的双极化传感端天线、可激发两个极化方向相互垂直电磁波的双极化质询端天线、相位匹配及阻抗匹配电路、极化方向切换开关、收发切换开关、射频信号收发处理电路、占空比错误检测电路、显示单元及微处理器单元等组成。可在同一个频谱带宽内对声表面波传感器的两个传感量进行检测，由质询端天线和传感端天线的极化方向匹配实现不同传感量的识别，同时包含有占空比错误检测功能，相位匹配抗干扰设计。能在有限带宽内高效地检测两个声表面波无线无源传感器的传感信息，可应用于轮胎的压力‑温度监控、机械的高温‑扭矩保护等。
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公开(公告)号：CN108458795A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810009029.4
申请日：2018-01-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/00
CPC classification number: G01K7/00
Abstract: 加载贴片天线的SiBCN无线无源温度传感器及其制备，涉及一种温度传感器。传感器设有SiBCN陶瓷温度敏感元件，在SiBCN陶瓷温度敏感元件表面设有金属层并形成谐振腔，在谐振腔上表面金属层设有缝隙，在谐振腔上方设有陶瓷基贴片天线。制备圆柱形陶瓷温度敏感元件；制备圆柱形谐振腔；制备陶瓷基板贴片天线；制备加载贴片天线的SiBCN陶瓷基无线无源温度传感器。可应用于高温环境下。所加载的陶瓷基耐高温贴片天线能够将经缝隙耦合的谐振腔部分能量有效辐射出去，可有效提高测试距离，使后端波导探头及数据采集处理系统远离高温区。
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公开(公告)号：CN104483013A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410840230.9
申请日：2014-12-30
Applicant: 厦门大学
IPC: G01H11/06
Abstract: 无线无源SiCN陶瓷基谐振腔式振动传感器及制备方法，涉及振动传感器。所述振动传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷压介元件、开槽天线和用于感受振动的质量块，所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷压介元件表面包裹耐高温金属层并形成谐振腔，开槽天线设在谐振器上表面，质量块安装在谐振腔上。先制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷压介元件，在非晶态SiCN陶瓷压介元件上表面对应耦合激励端口处，用聚酰亚胺胶带保护后，再在非晶态SiCN陶瓷压介元件表面电镀上金属层而形成谐振腔，然后再去除聚酰亚胺胶带，即得到上表面带有耦合激励端口的谐振腔；在谐振器的上表面中心处放置用于感受振动的质量块，质量块与谐振腔之间进行粘结。
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公开(公告)号：CN103278270B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310220922.9
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法，涉及微压力传感器。提供一种不仅可靠性较高，而且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法。所述岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片设有感压薄膜和带空腔的底座；感压薄膜为正面岛膜复合结构，在岛膜复合结构的应力最大的集中区设有4个压敏电阻，4个压敏电阻通过金属电极构成惠斯登电桥，采用硅-玻璃阳极键合工艺将惠斯登电桥密封于密闭绝压腔内，所述惠斯登电桥通过金属引线将界面预置电极与外部测试设备连接，构成一个完整的压力敏感和测量系统。SOI晶圆片上的工艺制作；基底部分的制备；键合及后续工艺。
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