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公开(公告)号：CN112708152B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202011563232.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种高导热石墨气凝胶基复合热界面材料的制备方法，涉及热界面材料。包括以下步骤：将抗坏血酸加入去离子水中，搅拌得到一种均匀的抗坏血酸溶液；搅拌加入GO水溶液，将所得混合溶液转移至反应釜内衬中，密封后放入不锈钢外壳，在鼓风干燥箱中反应；反应产物从反应釜内衬中转移其他容器中，用去离子和乙醇反复清洗；清洗的样品冷冻，然后转移至冷冻干燥机中干燥；样品放置在模具中，用一定的压力将样品压缩，然后往模具浇注配制好的聚合物溶液；放在真空干燥箱中干燥；干燥后的样品从模具中脱模，即得到高导热石墨气凝胶基复合热界面材料。纵向导热率高、力学性能好、能够实现自支撑、易于保存，有望解决电子产品散热的瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN113578043A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110941888.9
申请日：2021-08-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种石墨烯复合结构的气体吸附包，涉及到家居空气净化以及除菌。公开一种石墨烯复合结构的气体吸附包，包括带有透气孔的外壳以及内置于外壳内的吸附材料，所述吸附材料包括三维石墨烯颗粒，所述三维石墨烯多孔颗粒间的填充有活性纳米颗粒。所述基于石墨烯的吸附包，以三维石墨烯颗粒为多孔框架，框架空隙填充纳米粒子，可以扩大吸附包吸附对象的范围，且结合物理吸附与化学吸附的优点，吸附量大，可有效延长吸附包的使用时间，且成本低，适用于家居应用。
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公开(公告)号：CN113318257A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110591652.7
申请日：2021-05-28
Applicant: 厦门大学
IPC: A61L9/00 , B01J13/00 , A61L9/04 , A61L101/04 , A61L101/32
Abstract: 空气净化杀菌用银纳米线负载的石墨烯气凝胶制备方法，涉及空气净化的杀菌材料。将硝酸银溶于去离子水中，混合搅拌得均匀混合溶液A；向混合溶液A中加入氨水至沉淀完全溶解得混合溶液B；将PVP、SDS和柠檬酸钠溶于去离子水中得到混合溶液C；将混合溶液B与混合溶液C混合，水热反应得到银纳米线溶液；取一部分银纳米线溶液与氧化石墨烯溶液进行搅拌，再加入抗坏血酸、烷基糖苷与硬脂酸，搅拌至溶液起泡膨胀后置于鼓风烘箱中反应；冷冻，再进行解冻，完全解冻后，分别用去离子水和无水乙醇冲洗；冲洗后的样品直接放入冷冻干燥机中冷冻干燥；退火处理即得空气净化杀菌用银纳米线负载的石墨烯气凝胶。三维结构稳定，具有抗菌消菌的效果。
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公开(公告)号：CN112708152A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011563232.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种高导热石墨气凝胶基复合热界面材料的制备方法，涉及热界面材料。包括以下步骤：将抗坏血酸加入去离子水中，搅拌得到一种均匀的抗坏血酸溶液；搅拌加入GO水溶液，将所得混合溶液转移至反应釜内衬中，密封后放入不锈钢外壳，在鼓风干燥箱中反应；反应产物从反应釜内衬中转移其他容器中，用去离子和乙醇反复清洗；清洗的样品冷冻，然后转移至冷冻干燥机中干燥；样品放置在模具中，用一定的压力将样品压缩，然后往模具浇注配制好的聚合物溶液；放在真空干燥箱中干燥；干燥后的样品从模具中脱模，即得到高导热石墨气凝胶基复合热界面材料。纵向导热率高、力学性能好、能够实现自支撑、易于保存，有望解决电子产品散热的瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN104465676A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410745796.3
申请日：2014-12-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/784 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 4H-SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n+型SiC衬底，在衬底上依次外延生长n-型层、p-型层和p+型层，芯片表面生长氧化硅的钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在n+型衬底的背面设有n型电极。在外延片上刻蚀出台面结构作为各单管的光敏面；热氧化生长氧化硅钝化层；将p+型层上的氧化层光刻窗口，去除重掺杂n+型衬底上的氧化层，沉积n型电极金属；将p型和n型电极金属退火与外延片形成欧姆接触；在p型欧姆接触电极沉积金属以制备焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113318257B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110591652.7
申请日：2021-05-28
Applicant: 厦门大学
IPC: A61L9/00 , B01J13/00 , A61L9/04 , A61L101/04 , A61L101/32
Abstract: 空气净化杀菌用银纳米线负载的石墨烯气凝胶制备方法，涉及空气净化的杀菌材料。将硝酸银溶于去离子水中，混合搅拌得均匀混合溶液A；向混合溶液A中加入氨水至沉淀完全溶解得混合溶液B；将PVP、SDS和柠檬酸钠溶于去离子水中得到混合溶液C；将混合溶液B与混合溶液C混合，水热反应得到银纳米线溶液；取一部分银纳米线溶液与氧化石墨烯溶液进行搅拌，再加入抗坏血酸、烷基糖苷与硬脂酸，搅拌至溶液起泡膨胀后置于鼓风烘箱中反应；冷冻，再进行解冻，完全解冻后，分别用去离子水和无水乙醇冲洗；冲洗后的样品直接放入冷冻干燥机中冷冻干燥；退火处理即得空气净化杀菌用银纳米线负载的石墨烯气凝胶。三维结构稳定，具有抗菌消菌的效果。
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公开(公告)号：CN114456603A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210102031.2
申请日：2022-01-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种磁场诱导排列碳纤维导热材料及其制备方法，涉及热管理技术领域。磁场诱导排列碳纤维导热材料包括质量分数碳纤维5％～80％、聚合物基体10％～85％、固化剂5％～15％，成膜剂5％～15％，催化剂0.1～1％。方法：将5％～80％碳纤维加入聚合物基体中，并进行机械搅拌，超声分散，得到分散体；在分散体中加入成膜剂和催化剂，然后进行机械搅拌，搅拌时间≤1min，得混合物；将混合物转移至玻璃或其他非磁性容器中；将容器和混合物转移至磁场中，并且容器的某一个表面垂直于磁感应强度方向，混合物由液态变为固态，移出磁场；将固态混合物转移至电热恒温鼓风干燥箱，进一步加热固化，得定向排列碳纤维导热材料。
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公开(公告)号：CN113416420A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110711956.2
申请日：2021-06-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种高定向排列石墨烯片热界面材料制备方法，涉及热管理技术领域。将0.5％～5％非氧化还原石墨烯片加入高分子基体中，并进行机械搅拌，超声分散，得分散体；在分散体中加入固化剂和催化剂，然后进行机械搅拌，搅拌时间≤1min，得混合物；将混合物转移至玻璃或其他非磁性容器中，容器壁厚≤1mm；将容器和混合物转移至磁场中，并且容器的某一个表面垂直于磁感应强度方向，混合物由液态变为固态，移出磁场；将固态混合物转移至电热恒温鼓风干燥箱，进一步加热固化，得高定向排列石墨烯热界面材料。不需要分散剂，实现石墨烯片在高分子集体内部高定向排列排列，充分利用石墨烯面内高热导率特性，制备方法简单方便，易于推广。
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公开(公告)号：CN112117337A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011012078.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面，微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时，一部分被P+层吸收或者反射；另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对，在耗尽区内建电场的驱动下分离，并运动到探测器两端的电极，最后搭载外部负载电路形成电信号，通过检测电信号的大小，就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收，使得微孔处，光直接被吸收层吸收，提高探测器的响应度和量子效率，显著增加紫外光电探测器的实用性能。
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公开(公告)号：CN104465676B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410745796.3
申请日：2014-12-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/784 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 4H‑SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n+型SiC衬底，在衬底上依次外延生长n‑型层、p‑型层和p+型层，芯片表面生长氧化硅的钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在n+型衬底的背面设有n型电极。在外延片上刻蚀出台面结构作为各单管的光敏面；热氧化生长氧化硅钝化层；将p+型层上的氧化层光刻窗口，去除重掺杂n+型衬底上的氧化层，沉积n型电极金属；将p型和n型电极金属退火与外延片形成欧姆接触；在p型欧姆接触电极沉积金属以制备焊盘。
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