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公开(公告)号：CN119421622A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411535317.5
申请日：2024-10-30
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，公开了梯度带隙光电二极管探测器及其制备方法、重构光谱仪。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧表面形成导电层；在衬底上形成第一载流子传输层；在第一载流子传输层上形成初始半导体光敏层；将衬底沿第一预设方向浸入到反应溶液中；从反应溶液中提拉出衬底，形成梯度带隙半导体光敏层；在梯度带隙半导体光敏层上形成第二载流子传输层；在第二载流子传输层上形成阵列排布的多个第一电极结构，在衬底上形成与导电层连接的第二电极结构。本发明的梯度带隙半导体光敏层与阵列的第一电极结构构成了光电二极管阵列光电探测器阵列，具有不同的光谱响应和宽动态响应范围，提高光谱重构算法线性求解准确性和光谱分辨率。
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公开(公告)号：CN118919624A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410977433.6
申请日：2024-07-19
Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种发光器件及制备方法，该发光器件包括衬底层、缓冲层、多孔化结构及发光结构层，缓冲层位于衬底层一侧表面，缓冲层上具有目标区域；多孔化结构嵌于目标区域内，多孔化结构包括氮化镓柱，且氮化镓柱具有纳米孔；发光结构层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光结构层包括第一掺杂半导体层、发光层及第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光层位于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间，第一掺杂半导体层的导电类型和第二掺杂半导体层的导电类型相反。本发明减少了大面积多孔化造成的孔径不均匀的情况，进而减少了应力弛豫程度不均匀的情况。
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公开(公告)号：CN108428763B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN118073497A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410396770.6
申请日：2024-04-02
Abstract: 本发明提供一种Mi cro‑LED芯片及其制备方法。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本发明提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
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公开(公告)号：CN117276436A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311222695.3
申请日：2023-09-20
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法。LED芯片包括：层叠的半导体衬底层、半导体缓冲层以及N型GaN层，N型GaN层远离所述半导体衬底层一侧的部分厚度中具有多孔GaN区域，多孔GaN区域具有若干孔；N型InGaN六棱锥层，阵列排布于多孔GaN区域上。本发明提供的LED芯片可以在多孔GaN区域上得到有更多In含量(超过20％)的N型InGaN六棱锥层阵列，进而得到高In含量的InGaN量子阱层，使InGaN量子阱层中In含量在25～35％，从而实现良好的红光LED。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048641B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201911044450.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN108878547A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810708469.9
申请日：2018-07-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种高外量子效率的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率。
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公开(公告)号：CN108470793A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810162471.0
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。
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公开(公告)号：CN108445570A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810229079.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，包括：由下至上依次层叠设置的平面衬底、超薄下金属反射镜、金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔、以及超薄上金属反射镜；所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔的折射率大于所述平面衬底的折射率；所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔包括法布里-珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列；所述中的金属纳米阵列中的单颗粒呈周期性阵列排布。本发明提出一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，解决了当前表面等离极化激元波长选择器件不易集成、单一波长选择性的问题。
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