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公开(公告)号：CN115874282A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211477959.5
申请日：2022-11-23
Abstract: 本发明提供了一种提高大面积单晶金刚石拼接生长质量的方法，属于晶体生长技术领域。本发明先在MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)设备中预生长，然后挑选台阶流生长方向相近的预生长样品进行拼接生长，从而提高拼接效率，减少拼接生长过程中的缺陷密度，改善拼接缝处应力分布，提高拼接生长的晶体质量。本发明的方法实施简便有效，可以兼顾生长速率与晶体质量，而且生长过程中没有引入其他杂质原子，接缝处质地均匀，台阶流逐渐合并，整体生长面表现较为平缓，整体材料的后续生长质量也有着显著提升。
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公开(公告)号：CN113529166B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110748010.3
申请日：2021-07-02
IPC: C30B25/18 , C30B29/04 , B82Y40/00 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/56 , C23C28/00
Abstract: 本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法，属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光，用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜，然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长，利用金刚石生长过程中的横向生长，得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法，解决了金刚石单晶生长面积小的问题，具有较高的发展前景跟经济价值。
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公开(公告)号：CN113463192A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110748142.6
申请日：2021-07-02
Abstract: 本发明的一种拼接生长金刚石单晶的方法属于金刚石单晶制备技术领域。以金刚石单晶作为籽晶，将2～25片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底，在拼接缝处通过磁控溅射或者真空镀膜溅射一层铱膜；利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备在溅射铱膜的金刚石单晶衬底的表面外延生长完整的金刚石单晶外延层，得到金刚石单晶材料，生长面为(100)晶面。本发明提出了一种拼接生长金刚石单晶的新方法，得到高质量的大面积金刚石单晶片。
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公开(公告)号：CN116926501A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310970540.1
申请日：2023-08-03
Abstract: 本发明的一种TM022模式微波等离子体金刚石膜沉积装置，属于微波等离子体化学气相沉积技术领域。结构包括进气孔(1)、腔体(2)、观察窗口(3)、测温窗口(4)、等离子体半球(5)、样品台(6)、铜台(7)、环形石英玻璃(8)、倒圆台底柱(9)、出气孔(10)、微波同轴传输端口(11)、顶部调谐模块(12)。该装置采用TM022谐振模式，能够在高功率条件下实现沉积大面积高质量的金刚石薄膜生长。
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公开(公告)号：CN116752127A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310970548.8
申请日：2023-08-03
Abstract: 本发明的一种微波等离子体金刚石膜沉积装置，属于金刚石薄膜制备技术领域。结构包括进气孔(1)、腔体(2)、观察窗口(3)、出气孔(4)、微波同轴传输端口(5)、倒圆台底柱(6)、环形石英玻璃(7)、铜台(8)、样品沉积台(9)、等离子体半球(10)和测温窗口(11)。该装置结构简单，易加工，可以采用直接水冷，避免设备在高功率条件下工作时腔体壁过热的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114032613A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111195819.4
申请日：2021-10-14
Abstract: 本发明的一种提高拼接法生长金刚石单晶拼接缝质量的方法属于金刚石单晶生长技术领域，以金刚石单晶作为籽晶，将2片或多片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底；生长之前，在拼接缝处通过激光切割机均匀制造出多个缺陷；在MPCVD设备中生长金刚石单晶，人造缺陷处由于二次成核生长成为塔台状，顶端为金刚石多晶颗粒，四周为金刚石单晶台阶生长；将塔台顶端的金刚石多晶抛光，继续生长，得到完整的金刚石单晶外延层。本发明解决了拼接缝晶向不同而引起的生长弊端，接缝处能够自然平缓的弥合，得到拼接缝良好的高质量的大面积金刚石单晶片。
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公开(公告)号：CN113529166A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110748010.3
申请日：2021-07-02
IPC: C30B25/18 , C30B29/04 , B82Y40/00 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/56 , C23C28/00
Abstract: 本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法，属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光，用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜，然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长，利用金刚石生长过程中的横向生长，得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法，解决了金刚石单晶生长面积小的问题，具有较高的发展前景跟经济价值。
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公开(公告)号：CN118748306A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410753147.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/454 , H01M50/431 , H01M50/437 , H01M10/36 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种锌离子电池隔膜修饰改性的方法，属于锌离子电池隔膜改性技术领域。本发明将纳米金刚石经超声分散，得到纳米金刚石水基分散液，用于修饰改性隔膜。纳米金刚石修饰改性的隔膜具有良好的力学性能、合适的孔隙结构，可以调节锌离子的传输性质，对锌负极表面起到保护作用。将纳米金刚石修饰改性的隔膜用到锌离子电池，所组装的对称电池、不对称电池、全电池具有高循环稳定性、高库伦效率、良好可逆比容量与保持率。本发明的纳米金刚石修饰隔膜材料，提升了锌离子电池的容量和循环稳定性，具有良好的成本效益和工业前景。
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公开(公告)号：CN114156482B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111456005.1
申请日：2021-12-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石电解液和纳米金刚石固体电解质界面的制备方法。本方法具体是通过紫外UV处理纳米金刚石得到氧终端纳米金刚石颗粒，并均匀分散至商用LiPF6电解液制备纳米金刚石电解液。以石墨为负极，锂片为正极，使用纳米金刚石电解液在无水无氧的环境中制得锂离子电池，并在蓝电测试系统上进行充放电循环。在充放电循环过程中，纳米金刚石电解液中的纳米金刚石颗粒在电场力作用下与锂离子一起移动至石墨负极，最终在石墨阳极表面构建纳米金刚石界面。本发明可抑制锂枝晶和负极材料体积膨胀，而且具有较低的界面电阻，利于锂离子的固相扩散，展示出了比容量高、循环性能好、充放电库伦效率高等优良的性能。
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公开(公告)号：CN116516312A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310419801.0
申请日：2023-04-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法，属于金刚石/碳化硅复合材料合成技术领域，包括将金刚石颗粒用去离子水反复清洗直至水质电导率为000uS/cm，于200℃烘干1h～3h；将烘干的金刚石颗粒放入配置好的浓度为0.15g/mL～0.3g/mL的NaOH溶液中于70℃～90℃进行水浴加热持续搅拌1h～2h，将碱处理后的金刚石颗粒用去离子水清洗至水质中性；取碱处理后的金刚石颗粒以及硅粉加入进配好的硅烷偶联剂醇溶液中，60℃～70℃水浴加热，反应1h～2h；反应结束后表面经处理的金刚石颗粒用无水乙醇清洗2～3次，用鼓风干燥箱进行烘干处理，使得金刚石表面涂层硅物质对金刚石表面改性。
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