一种用于氯离子检测的电化学传感器电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN119246642A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411335846.0

    申请日:2024-09-24

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提出了一种用于水中氯离子检测的电化学传感器电极及其制备方法,属于电化学传感器技术领域。本发明所提出的一种用于水中氯离子检测的电化学传感器电极是通过磁控溅射方法或热蒸发方法在导电硼掺杂金刚石上镀银,然后在真空或惰性气氛中高温处理,得到银纳米颗粒修饰硼掺杂金刚石电极,该电极具有电化学反应高活性和多位点特征,有利于获得氯离子的高检测灵敏度。以本发明所提出的电化学传感器电极为工作电极,在10 mg L‑1~1500 mg L‑1浓度检测范围内具有良好的线性度,可以实现氯离子3.6 mg L‑1的低检测限。银纳米颗粒/硼掺杂金刚石工作电极具有良好的稳定性和重复性,并且制备方法简单。

    一种纳米金刚石电解液和纳米金刚石固体电解质界面的制备方法

    公开(公告)号:CN114156482A

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202111456005.1

    申请日:2021-12-02

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石电解液和纳米金刚石固体电解质界面的制备方法。本方法具体是通过紫外UV处理纳米金刚石得到氧终端纳米金刚石颗粒,并均匀分散至商用LiPF6电解液制备纳米金刚石电解液。以石墨为负极,锂片为正极,使用纳米金刚石电解液在无水无氧的环境中制得锂离子电池,并在蓝电测试系统上进行充放电循环。在充放电循环过程中,纳米金刚石电解液中的纳米金刚石颗粒在电场力作用下与锂离子一起移动至石墨负极,最终在石墨阳极表面构建纳米金刚石界面。本发明可抑制锂枝晶和负极材料体积膨胀,而且具有较低的界面电阻,利于锂离子的固相扩散,展示出了比容量高、循环性能好、充放电库伦效率高等优良的性能。

    纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途

    公开(公告)号:CN112899640B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110059884.8

    申请日:2021-01-18

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途,属于功能复合结构及其制备和应用的技术领域。本发明的技术方案是采用CVD法一步生长纳米晶石墨/硼掺杂金刚石(NG/BDD)复合电极,并将其作为电化学电极,检测痕量分子。NG的形成是在较高温度下,在B掺杂的作用下使金刚石(111)面表面发生重构而成。本发明BDD的(111)面形成大量NG,增加导电性,提升对检测物质的吸附提高电化学电极的检测灵敏度,可检测多种痕量化学和生物分子。本发明电极制备工艺简单,便于大规模制备,并对金刚石传感器在检测低浓度和痕量化学和生物分子具有重要意义。

    一种双向散热的纵向氮化镓功率晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111211161A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010040363.3

    申请日:2020-01-15

    Abstract: 本发明的一种双向散热的纵向氮化镓功率晶体管及其制备方法,属于晶体管制备技术领域。所述的晶体管的结构有硅衬底(1)、导电缓冲层(2)、GaN漂移层(3)、p-GaN电子阻挡层(4)、GaN沟道层(5)、AlGaN薄势垒层(6)、SiN介质层(7)、本征金刚石层(8)、掺硼金刚石层(9)等;制备方法包括在所述硅衬底(1)上生长AlN/GaN超晶格、沉积GaN、沉积p-GaN电子阻挡层(4)等步骤。本发明利用超晶格导电缓冲层实现了硅衬底纵向导通GaN功率晶体管,结合薄势垒结构并且利用SiN介质层恢复接入区实现常关型操作。同时基于SiN介质层及硅衬底与金刚石外延生长的兼容性实现了双向散热结构。

    一种用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110632156A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201911063770.X

    申请日:2019-11-04

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器及其制备方法属于电化学生物传感器的技术领域,所述的传感器是以硼掺杂金刚石薄膜为基底,由适配体/金纳米颗粒/硼掺杂金刚石复合,且由6-巯基己-1-醇占据金纳米颗粒上空白活性位点构成的复合材料;制备方法包括在P型硅上生长硼掺杂多晶金刚石薄膜、溅射金膜、退火、修饰等步骤。本发明制备的传感器具有很高灵敏度、特异性和实用性,且工艺简单,成本低。

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