一种氮化硼纳米片/四氧化三铁磁性纳米复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105197899A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510628113.0

    申请日:2015-09-28

    Abstract: 一种氮化硼纳米片/四氧化三铁磁性纳米复合材料的制备方法,涉及一种纳米复合材料的制备方法。本发明的目的在于提供一种氮化硼纳米片/四氧化三铁磁性纳米复合材料的制备方法。本发明的方法为:一、制备插层氮化硼;二、制备氮化硼纳米片;三、制备氮化硼纳米片分散液;四、制备氮化硼纳米片/四氧化三铁磁性纳米复合材料。本发明制备工艺简单,不需要高温加热、惰性气体保护等耗能过程;而且具有环保、高效的优点。本发明所得到的氮化硼纳米片/四氧化三铁纳米磁性复合材料可以广泛应用于吸波材料、各种催化剂、靶向材料等方面以及其他相关的功能材料领域。

    旁路电容补偿晶振传感器放大电路及利用该放大电路进行旁路电容补偿的方法

    公开(公告)号:CN105119580A

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201510582800.3

    申请日:2015-09-14

    Abstract: 旁路电容补偿晶振传感器放大电路及利用该放大电路进行旁路电容补偿的方法,涉及晶振传感器的旁路电容补偿技术。它为了解决晶振传感器中旁路电容影响谐振以及没有对旁路电容进行补偿的方法的问题。晶振传感器和两个变容二极管依次串联在变压器二次侧的两个接线端之间,晶振传感器与一个变容二极管的公共端连接运算放大器,两个变容二极管的阴极连接。将驱动信号加载到变压器的一次侧,并向两个变容二极管提供反向偏压,使运算放大器输出信号为零。反向偏压值通过数字控制系统控制。本发明能够对晶振传感器的旁路电容进行精确补偿,以消除晶振传感器中旁路电容对谐振的影响。适用于对各种谐振频率的晶振传感器进行旁路电容的精确补偿。

    一种具有荧光性能的MoS2纳米片增强树脂基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103772907A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201410022234.6

    申请日:2014-01-17

    Abstract: 一种具有荧光性能的MoS2纳米片增强树脂基复合材料及其制备方法,它涉及MoS2纳米片增强树脂基复合材料及其制备方法。本发明要解决传统复合材料的单一的力学性能的提升与结构承载的作用不能满足对复合材料的多功能应用要求,以及现有方法制备MoS2纳米片增强树脂基复合材料工艺复杂,制备的复合材料荧光性能不好的问题。本发明复合材料是由二维MoS2纳米片和热固性树脂制成。方法:一、将MoS2粉末与分散溶剂混合;二、超声;三、离心;四、与热固性树脂混合;五、超声;六、干燥;七、加入固化剂;八、即得。本发明的复合材料满足对复合材料的多功能应用要求,出现明显的荧光现象,工艺流程简单易行。本发明用于复合材料的制备。

    玻璃纤维复合材料电机护环

    公开(公告)号:CN103613909A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201310594966.8

    申请日:2013-11-22

    Abstract: 玻璃纤维复合材料电机护环,它涉及一种用于制造电机护环的材料。本发明为了解决现有材料制造的大尺寸电机护环的力学性能差、成本高、制造工艺复杂的技术问题。玻璃纤维复合材料电机护环按照质量分数由55%~65%的玻璃纤维和35%~45%的树脂胶液制成。本发明的玻璃纤维复合材料电机护环设计强度可达1200MPa以上,而密度仅为钢的1/4,成本低,成本降低约55%~60%,制造工艺简单。本发明的玻璃纤维复合材料电机护环密度1600kg/m3~2000kg/m3,抗张强度1200MPa~1400MPa。本发明属于电机护环的制备领域。

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