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公开(公告)号：CN111766452A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735240.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R29/02
Abstract: 本发明提供了一种瞬态高频脉冲波形捕获系统及方法，涉及脉冲测试领域。本发明所述的瞬态高频脉冲波形捕获系统，包括前端电路、第一触发电路、第二触发电路、采样电路和数据处理模块，所述前端电路分别与所述第一触发电路、所述第二触发电路及所述采样电路连接，所述数据处理模块分别与所述第一触发电路、所述第二触发电路及所述采样电路连接。本发明所述的技术方案，通过阈值上限和阈值下限同步检测向上的瞬态脉冲和向下的瞬态脉冲，有效甄别瞬态高频脉冲对元器件的影响，使得电路系统可在较安全的环境下运行，有效保障了电路系统的稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN115495903A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211144200.5
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种聚合物建模仿真方法及应用，涉及高分子材料仿真技术领域，具体而言，方法包括如下步骤：步骤S1：获取单体的全原子结构模型，建立单体的粗粒化结构模型，并获取粗粒化结构模型的力场；步骤S2：利用聚合反应模型描述粗粒化结构模型的聚合反应过程，结合蒙特卡洛随机反应方法计算并调控聚合反应程度，待聚合反应结束后，进行结构松弛，得到聚合物粗粒化的交联网络模型；步骤S3：对聚合物粗粒化的交联网络模型进行反向映射，结构松弛后得到聚合物的全原子交联网络结构模型。本发明降低了仿真难度，简化了仿真过程，突破了传统的聚合物建模的局限性，实现大尺度、无定形、接近真实链构象的聚合物全原子的交联网络结构建模。
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公开(公告)号：CN115249517A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210762591.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法，涉及硅工艺模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，在真空层内添加O2分子，并在高于大气压的状态下采用反应力场分子动力学方法对单晶硅的原子位置进行优化；步骤S2：加热单晶硅至反应温度后，保持恒温恒压，至单晶硅与O2分子充分反应，对模型退火，冷却后优化原子位置，得到氧化样品；氧化样品包括氧化层、次氧化层和硅基底层；步骤S3：获取氧化层和次氧化层的结构特征参数。本发明通过高压提高O2分子浓度加快反应速率，并获取氧化层及次氧化层结构特征参数，有利于研究氧化层与次氧化层界面处的次氧化状态和应力分布。
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公开(公告)号：CN115148311A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778284.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种两组分二维材料非线性光学性质的模拟计算方法，包括：构建六方蓝磷晶胞，并将其中一个磷原子替换为氮原子或砷原子，得到PN体系或PAs体系，对其进行优化；采用QE软件进行一轮非自洽计算，获得PBE近似下的电子带隙；进行GW‑BSE计算，获得光学带隙信息，并得到非线性性质计算所需要的能带修正值；利用Elk软件包，引入能带修正值，计算得到体系的二阶非线性非0响应光谱的所有分量。本发明提供的两组分二维材料非线性光学性质的模拟计算方法能够在不低估带隙的情况下准确的计算得到体系的二阶非线性光学性质，且计算成本较低，计算效率较高。
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公开(公告)号：CN115148310A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778281.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种高稳定性硼烯结构的设计方法，包括以下步骤：建立硼烯晶胞，将不同的原子吸附在所述硼烯晶胞的不同位置上，得到不同的硼烯体系；采用第一性原理计算软件VASP对所述硼烯体系的晶格参数进行isif＝2的优化，然后取其能量最低点的晶格参数，构建得到硼烯结构；计算所述硼烯结构能带结构、声子谱和输运性质，判断所述硼烯结构的性能；筛选得到具有高稳定性、低能量的硼烯结构。本发明通过将不同的原子吸附在硼烯晶胞的不同位置上，从而得到不同的硼烯体系，结构优化和弛豫得到不同硼烯结构，再通过计算这些不同硼烯结构的能带结构、声子谱和输运性质，对结果进行比较，即可快速从中筛选出具有高稳定性、低能量的硼烯结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115148309A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778279.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种非光学线性材料性质的模拟计算方法，包括：在材料数据库中进行初步筛选，获得非中心对称的直接带隙半导体材料对其进行结构优化和弛豫；对其进行一轮非自洽计算，计算所述优化材料体系的能带和态密度；对其进行GW计算，获得剪切算符；利用态求和公式计算其二阶非线性光学系数；通过比较二分之一入射光谱频率的节点函数谱和SHG二阶响应张量分析单双光子贡献以及带内带间贡献；利用能带件跃迁矩阵元分析二阶非线性响应起源。本发明通过量子力学的第一性原理方法通过模拟计算方式对符合条件的材料性质进行预测，并根据计算结果深入分析非线性光学响应的起源，能够快速、准确的预测非线性光学材料的性质。
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公开(公告)号：CN115130305A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210762588.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F9/451 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法，涉及半导体材料计算模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：根据实际热氧化工艺的工艺参数，利用缺陷性质仿真模拟软件构建单晶硅氧化层的界面结构；识别并删除所述界面结构空洞中的分子以及真空层中的分子；步骤S2：在需要统计的界面结构的深度范围中截取出独立结构，识别并统计所述独立结构中的结构参数，所述结构参数包括缺陷密度和缺陷类型。本发明通过结构参数掌握该独立结构中的结构特征，有利于准确掌握无序体系的缺陷密度和缺陷类型等重要结构特征，对于建立缺陷等微观结构与宏观制备工艺或半导体器件之间的连接关系具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115064229A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210762584.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，包括如下步骤：步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。本发明实现了对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。
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公开(公告)号：CN111863625A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735167.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/423 , H01L21/425 , H01L21/428 , H01L21/477
Abstract: 本发明提供了一种单一材料PN异质结及其设计方法，涉及PN异质结材料设计技术领域，包括：将一种二维过渡金属硫化物中的部分原子替换成替代原子，二维过渡金属硫化物具有单一N型半导体性质或单一P型半导体性质；通过原子替换形成缺陷型二维过渡金属硫化物，所述缺陷型二维过渡金属硫化物的半导体性质发生转变，适于与未进行原子替换的二维过渡金属硫化物形成PN异质结。本发明通过替代原子的引入使得本征半导体二维材料出现晶格缺陷，引入了缺陷能级，将同一种材料通过原子替换形成具备P型半导体性质与N型半导体性质两种同晶格材料，并从能带分布中判断体系的多数载流子，为实现单一材料PN异质结提供了理论依据。
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公开(公告)号：CN115130305B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210762588.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F9/451 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法，涉及半导体材料计算模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：根据实际热氧化工艺的工艺参数，利用缺陷性质仿真模拟软件构建单晶硅氧化层的界面结构；识别并删除所述界面结构空洞中的分子以及真空层中的分子；步骤S2：在需要统计的界面结构的深度范围中截取出独立结构，识别并统计所述独立结构中的结构参数，所述结构参数包括缺陷密度和缺陷类型。本发明通过结构参数掌握该独立结构中的结构特征，有利于准确掌握无序体系的缺陷密度和缺陷类型等重要结构特征，对于建立缺陷等微观结构与宏观制备工艺或半导体器件之间的连接关系具有重要意义。
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