公开(公告)号：CN116947490A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310946144.5

申请日：2023-07-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  林坤鹏 ,  张祎 ,  牛孜博 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  段文九 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。

公开(公告)号：CN116693297A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310735099.9

申请日：2023-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  牛孜博 ,  林坤鹏 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  窦文皓 ,  段文九 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  C04B35/645 ,  C04B35/626 ,  C04B35/628

Abstract: 一种具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备方法，本发明属于陶瓷领域。本发明要解决现有方法无法制备大尺寸致密SiBCN亚稳态陶瓷的问题。方法：一、非晶MA‑SiBCN纳米粉体制备；二、包覆粉体的制备；三、包覆粉体的温压‑裂解‑烧结三段式烧结工艺。本发明用于具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备。

公开(公告)号：CN116477952A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310515235.3

申请日：2023-05-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  关景怡 ,  蔡德龙 ,  杨治华 ,  段文九 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B35/626

Abstract: 一种碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备方法，它涉及扩散偶的制备方法。本发明要解决现有Ta4HfC5/SiBCN陶瓷扩散偶难以结合，界面结合强度差，扩散行为不明显的问题。制备方法：一、高能球磨制备非晶相SiBCN粉体；二、粉体装填至模具；三、热压烧结。本发明用于碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备。