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公开(公告)号：CN118125850A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410266780.8
申请日：2024-03-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一种短切KD‑SA型SiC纤维增强SiBCN‑MAS陶瓷的方法，它涉及SiBCN‑MAS陶瓷的制备方法。方法：一、制备具有BN涂层的SiC纤维；二、SiBCN‑MAS非晶粉体与纤维混合；三、制备SiCf/SiBCN‑MAS复合材料。本发明用于短切KD‑SA型SiC纤维增强SiBCN‑MAS陶瓷。
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公开(公告)号：CN116969774B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202310984549.8
申请日：2023-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 一种高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备方法，它涉及SiBCN陶瓷基复合材料的制备方法。本发明要解决现有碳纤维或裂解碳涂层碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料存在触面结合力差，且高温耐烧蚀性提升程度有限的问题。方法：一、制备裂解碳涂层短切碳纤维；二、制备SiBCN非晶陶瓷粉末；三、混合原料；四、烧结。本发明用于高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN117430427A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311358221.1
申请日：2023-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法，它涉及SiBCN复相陶瓷的制备方法。本发明要解决现有SiBCN陶瓷难以制备得到致密的块体陶瓷，且其介电常数和介电损耗相对较高的问题。方法：一、浆料制备；二、先驱体浆料固化；三、陶瓷热解；四、热处理。本发明用于耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN116693297B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310735099.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/645 , C04B35/626 , C04B35/628
Abstract: 一种具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备方法，本发明属于陶瓷领域。本发明要解决现有方法无法制备大尺寸致密SiBCN亚稳态陶瓷的问题。方法：一、非晶MA‑SiBCN纳米粉体制备；二、包覆粉体的制备；三、包覆粉体的温压‑裂解‑烧结三段式烧结工艺。本发明用于具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN117697919A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311838210.3
申请日：2023-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用直写式3D打印技术制备复相陶瓷的方法，它属于陶瓷材料增材制造领域。本发明要解决现有陶瓷前驱体直写打印后，坯体从聚合物至陶瓷的热解过程存在构件线性收缩率及孔隙率高，导致力学性能下降的问题。方法：一、称取；二、制备陶瓷浆料；三、3D打印；四、固化及热解。本发明通过改变针头直径大小即可实现形状复杂、不同分辨率且低收缩、高陶瓷产率、良好的力学及介电性能的立体陶瓷构件一体化成型。本发明用于利用直写式3D打印技术制备复相陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116969774A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310984549.8
申请日：2023-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 一种高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备方法，它涉及SiBCN陶瓷基复合材料的制备方法。本发明要解决现有碳纤维或裂解碳涂层碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料存在触面结合力差，且高温耐烧蚀性提升程度有限的问题。方法：一、制备裂解碳涂层短切碳纤维；二、制备SiBCN非晶陶瓷粉末；三、混合原料；四、烧结。本发明用于高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN116947490B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310946144.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN117902903A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410082905.1
申请日：2024-01-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法，它涉及非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法。本发明要解决现有技术难以实现大块致密非晶SiBCN块体陶瓷的制备。方法：一、有机‑无机混合块体素坯/粉体的制备；二、大块致密非晶SiBCN陶瓷块体的制备。本发明用于大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备。
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公开(公告)号：CN116947490A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310946144.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN116693297A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310735099.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/645 , C04B35/626 , C04B35/628
Abstract: 一种具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备方法，本发明属于陶瓷领域。本发明要解决现有方法无法制备大尺寸致密SiBCN亚稳态陶瓷的问题。方法：一、非晶MA‑SiBCN纳米粉体制备；二、包覆粉体的制备；三、包覆粉体的温压‑裂解‑烧结三段式烧结工艺。本发明用于具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备。
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