-
公开(公告)号：CN103724622A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310653545.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，本发明的目的是要解决现有的高介电聚合物-陶瓷复合薄膜的介电综合性能较差，不能满足微电子领域高介电柔性薄膜需求的问题，本发明的制备方法为：一、称量原料；二、原料的干燥；三、制备混合溶液A；四、制备混合溶液B；五、制备聚酰胺酸溶液；六、制备亚胺化后的玻璃板；七、脱模、制样，即完成。本发明的铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的介电综合性能优异，可满足微电子领域高介电柔性薄膜的需求。本发明应用于无机/有机复合材料的制备技术领域。
-
公开(公告)号：CN113773541B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111170486.X
申请日：2021-10-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，首先，使用3‑(2‑氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷偶联剂对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。之后通过原位聚合法制备PI基复合薄膜前驱体，并在80‑330摄氏度温度下加热，进行热亚胺化，制备出具有质量分数为百分之3‑11的KTN‑NH2/PI复合薄膜。与KTN/PI相比，KTN‑NH2/PI复合薄膜的击穿场强可达242.12千伏/毫米，是KTN/PI的1.49倍。在测试频率为1.0×105赫兹时，含质量分数为百分之3的KTN‑NH2/PI复合薄膜的损耗角正切值均低于0.007。
-
公开(公告)号：CN114736408B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210298742.1
申请日：2022-03-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电的聚酰亚胺/聚偏二氟乙烯(PI/PVDF)复合薄膜制备方法。首先通过4,4’‑二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐制备出PI的前驱体，然后将PVDF分批添加到PI前驱体中，并在80‑200摄氏度的温度范围内进行低温热亚胺化。该方法可以避免高温处理使PI与PVDF相分离而引入孔洞，是制备出兼顾高介电常数和高介电强度的PI/PVDF复合薄膜有效方法。与传统高温(200摄氏度以上)热亚胺化制备的纯PI薄膜相比，在测试频率为1000赫兹时，质量分数为百分之15的PI/PVDF复合薄膜的相对介电常数可达4.68，是纯PI的1.51倍；储能密度为2.68焦耳/立方厘米，是纯PI的1.49倍。
-
公开(公告)号：CN114539576A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210288659.6
申请日：2022-03-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用原位‑溶胶掺杂制备聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜的方法。利用正硅酸乙酯在PI前驱体中易于均匀分散的特点，提高了SiO2在PI中分散性。首先，将纳米SiO2与4,4’‑二氨基二苯醚分散于N,N’‑二甲基乙酰胺中，加入均苯四甲酸二酐和正硅酸乙酯后得到成膜液。然后，成膜液通过流延工艺加工成膜并加热处理，得到PI/SiO2复合薄膜。与未添加正硅酸乙酯所得PI/SiO2复合薄膜相比，本方法获得PI/SiO2复合薄膜的拉伸强度为114兆帕，提高了21％，击穿场强可达208千伏/毫米，提高了6％。通过本方法制备的PI/SiO2复合薄膜的耐电晕寿命可达101分钟，是纯PI的20倍。
-
公开(公告)号：CN112935273A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110104933.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种室温制备CuPt合金纳米颗粒的方法，主要包括：1)配置可溶性Cu的前驱物与Pt的前驱物，按一定比例混合；2)加入一定量的氯化钾与盐酸溶液，均匀搅拌；3)加入还原剂抗坏血酸，继续搅拌，室温环境下反应5‑8小时；4)反应后所得产物经固分离以及清洗后，干燥处理，得到的固体粉末即为高纯度CuPt合金成品。该方法通过向反应液中加入一定量的盐酸溶液，提升反应液对CuCl的溶解度，避免CuCl杂质的产生，提高产物纯度。由于较低的反应温度可降低纳米晶的生长的热力学熟化速率，本发明在不添加任何表面活性剂的情况下获得小尺寸(65‑75纳米)且单分散性好的CuPt合金颗粒。整个制备过程易实现，后期样品清洗步骤简单。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110440840A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910740920.X
申请日：2019-08-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种同时测量温度和位移的气球-错位型全光纤传感器的制作方法，本发明属于光纤传感领域，具体涉及一种基于马赫-曾德原理将气球形光纤和错位光纤相结合的能同时测量温度和位移的光纤传感系统。目的是提供一种结构简单、结实耐用、价格低廉、灵敏度高的同时测量温度和位移的光纤传感器。方法：一、气球形光纤的制作；二、错位光纤的制作；三、将气球形光纤和错位光纤通过光纤跳线连接。本发明用于制作同时测量温度和位移的气球-错位型全光纤传感器。
-
公开(公告)号：CN105417580B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610012895.X
申请日：2016-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种水热法控制钽铌酸钾纳米粉体尺寸均一的方法，它涉及一种水热法控制钽铌酸钾纳米粉体尺寸均一的方法。本发明的目的是要解决现有方法工艺复杂、成本高同时不能制备出粒径在100nm以下尺寸均一钽铌酸钾粉体的问题，本发明步骤为：氢氧化钾的水溶液；称取五氧化二钽粉体和五氧化二铌粉体，分别与氢氧化钾的水溶液混合，装到水热反应釜中，放入烘箱中进行反应，再放入真空干燥箱抽真空，加热后得到钽铌酸钾纳米粉体。本方法采用水热法精确控制合成钽铌酸钾纳米(100nm以下)粉体的尺寸，合成方法简单，温度低，纯度高，是合成无铅压电陶瓷纳米(100nm以下)粉体的一个新途径。本发明应用于纳米晶材料制备领域。
-
公开(公告)号：CN106397798A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610806328.1
申请日：2016-09-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及其制备方法，所述的改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜是由上下两层为改性BaTiO3纳米粒子所填充的PI复合材料和中间层为纯PI材料构成的。本发明采用原位聚合方法和涂膜工艺制备改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜。通过实验测试发现，该复合薄膜的介电综合性能优异，同时具有较高击穿场强和储能密度，使得它在电容器和储能器方面具有很大应用前景。
-
公开(公告)号：CN106192012A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610807845.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电常数二异丙胺硝酸盐有机晶体及其生长方法，属于单斜晶系，空间群为P21/n，晶胞参数为a=8.1799Å，b=8.3530 Å，c=14.3808 Å，α=γ=90.00°，β=96.72°。二异丙胺硝酸盐有机晶体采用室温下籽晶溶液蒸发法生长，得到的有机晶体尺寸为11mm×5mm ×3mm，通过测试晶体介温谱，发现该晶体有很高的介电常数，该晶体可以应用于电容器等领域。
-
公开(公告)号：CN105665699A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610149780.5
申请日：2016-03-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: B22F1/025 , B22F1/0018 , B22F1/0048 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C18/38
Abstract: 本发明公开了一种纳米铜包覆BaTiO3导电微球的制备方法及其应用。所使用的BaTiO3的粒径尺寸大约在0.03~0.2μm之间，所附纳米铜壳该厚度为5~20nm，该方法通过“晶核-生长”理论利用化学沉积法来控制纳米铜颗粒在BaTiO3微球沉积的厚度；不均匀的粒径分布，有利于粒子形成紧密堆积，从而提高粉末的导电性，与纯铜粉相比，扩充了纳米铜在树脂中填充体积百分比，更利于在树脂中分散，且可以长期保存。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.025 seconds)
