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公开(公告)号：CN115244154B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202180019484.2
申请日：2021-03-08
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够在短波长的发光峰值波长下显示出带边发光的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：得到第1混合物，上述第1混合物含有Ag盐、In盐、包含Ga及S的化合物、和有机溶剂；和以125℃以上且300℃以下范围内的温度对第1混合物进行热处理而得到第1半导体纳米粒子。(56)对比文件Feng Li等.Quaternary quantum dotswith gradient valence band for all-inorganic perovskite solar cells《.Journalof Colloid and Interface Science》.2019,第549卷第33-41页.
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公开(公告)号：CN115244154A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019484.2
申请日：2021-03-08
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够在短波长的发光峰值波长下显示出带边发光的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：得到第1混合物，上述第1混合物含有Ag盐、In盐、包含Ga及S的化合物、和有机溶剂；和以125℃以上且300℃以下范围内的温度对第1混合物进行热处理而得到第1半导体纳米粒子。
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公开(公告)号：CN111819267A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980013326.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种核壳型半导体纳米粒子，其具备核、和配置于上述核表面的壳，所述核壳型半导体纳米粒子若被照射光则进行发光。上述核包含含有M1、M2和Z的半导体，M1包含选自Ag、Cu和Au中的至少一种，M2包含选自Al、Ga、In和Tl中的至少一种，Z包含选自S、Se和Te中的至少一种。上述壳包含含有第13族元素和第16族元素、且带隙能大于上述核的半导体。在上述壳的表面配置包含第15族元素的化合物，上述第15族元素至少包含具有负氧化数的P。
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公开(公告)号：CN115244155B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202180019891.3
申请日：2021-03-08
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
IPC: C09K11/62 , C01B19/00 , C09K11/08 , C09K11/64 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/50 , C01B17/00
Abstract: 本发明提供耐久性优异的发光材料。上述发光材料包含第二半导体纳米粒子和包埋第二半导体纳米粒子的金属化合物，上述第二半导体纳米粒子包含第一半导体纳米粒子及配置于第一半导体纳米粒子的表面的附着物，并且上述第二半导体纳米粒子通过光的照射而发光。第一半导体纳米粒子包含M1、M2及Z。M1为选自Ag、Cu、Au及碱金属中的至少一种，并且至少包含Ag。M2为选自Al、Ga、In及Tl中的至少一种，并且至少包含In及Ga中的至少一者。Z包含选自S、Se及Te中的至少一种。附着物包含半导体，上述半导体实质上由选自Al、Ga、In、Tl及碱金属中的至少一种、和选自S、O、Se及Te中的至少一种构成。金属化合物包含Zn及Ga中的至少一者、和S及O中的至少一者。
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公开(公告)号：CN116941051A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280019489.X
申请日：2022-03-03
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明提供显示出带边发光、且显示出高带边发光纯度的半导体纳米粒子的高效的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：对包含银(Ag)盐、铟(In)盐、具有镓(Ga)‑硫(S)键的化合物、镓卤化物、以及有机溶剂的混合物进行热处理而得到第1半导体纳米粒子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111819267B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201980013326.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种核壳型半导体纳米粒子，其具备核、和配置于上述核表面的壳，所述核壳型半导体纳米粒子若被照射光则进行发光。上述核包含含有M1、M2和Z的半导体，M1包含选自Ag、Cu和Au中的至少一种，M2包含选自Al、Ga、In和Tl中的至少一种，Z包含选自S、Se和Te中的至少一种。上述壳包含含有第13族元素和第16族元素、且带隙能大于上述核的半导体。在上述壳的表面配置包含第15族元素的化合物，上述第15族元素至少包含具有负氧化数的P。
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公开(公告)号：CN115612484A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211302803.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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公开(公告)号：CN115244155A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019891.3
申请日：2021-03-08
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
IPC: C09K11/62 , C01B19/00 , C09K11/08 , C09K11/64 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/50 , C01B17/00
Abstract: 本发明提供耐久性优异的发光材料。上述发光材料包含第二半导体纳米粒子和包埋第二半导体纳米粒子的金属化合物，上述第二半导体纳米粒子包含第一半导体纳米粒子及配置于第一半导体纳米粒子的表面的附着物，并且上述第二半导体纳米粒子通过光的照射而发光。第一半导体纳米粒子包含M1、M2及Z。M1为选自Ag、Cu、Au及碱金属中的至少一种，并且至少包含Ag。M2为选自Al、Ga、In及Tl中的至少一种，并且至少包含In及Ga中的至少一者。Z包含选自S、Se及Te中的至少一种。附着物包含半导体，上述半导体实质上由选自Al、Ga、In、Tl及碱金属中的至少一种、和选自S、O、Se及Te中的至少一种构成。金属化合物包含Zn及Ga中的至少一者、和S及O中的至少一者。
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公开(公告)号：CN103367611B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201310100170.2
申请日：2013-03-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: F21V9/30 , B05D5/06 , C23C16/45525 , F21K9/60 , F21V7/00 , F21V13/08 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , H01L31/055 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H05B33/12 , Y02E10/52 , Y10T428/24364 , Y10T428/24372 , Y10T428/24413 , Y10T428/24421 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供厚度、形状以及使用的无机荧光体的限制少的波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置。无机成型体（波长变换用无机成型体）（1）具有基板（2）和设置在基板（2）上的含有粒状的无机荧光体（31）的荧光体层（3）。另外，粒状的无机荧光体（31）被覆盖无机荧光体（31）的粒子且使该粒子彼此相互固定的由陶瓷构成的覆盖层（32）所覆盖。另外，在荧光体层（3）的内部形成有空隙（33），在荧光体层（3）的表面形成有由无机荧光体（31）的粒子的粒径引起的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN103367611A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310100170.2
申请日：2013-03-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: F21V9/30 , B05D5/06 , C23C16/45525 , F21K9/60 , F21V7/00 , F21V13/08 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , H01L31/055 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H05B33/12 , Y02E10/52 , Y10T428/24364 , Y10T428/24372 , Y10T428/24413 , Y10T428/24421 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供厚度、形状以及使用的无机荧光体的限制少的波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置。无机成型体（波长变换用无机成型体）（1）具有基板（2）和设置在基板（2）上的含有粒状的无机荧光体（31）的荧光体层（3）。另外，粒状的无机荧光体（31）被覆盖无机荧光体（31）的粒子且使该粒子彼此相互固定的由陶瓷构成的覆盖层（32）所覆盖。另外，在荧光体层（3）的内部形成有空隙（33），在荧光体层（3）的表面形成有由无机荧光体（31）的粒子的粒径引起的凹凸形状。
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