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公开(公告)号：CN111801298B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201980013171.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种呈现带边发射，量子产率优异的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法，包括如下内容：将含有Ag的盐、含In和Ga中的至少一种的盐、作为S的供给源的固体状化合物、和有机溶剂的第一混合物，升温至处于125℃以上且175℃以下的范围的温度；继所述升温之后，以处于125℃以上且175℃以下的范围的温度，对于所述混合物进行3秒以上热处理，得到含有半导体纳米粒子的溶液；继所述热处理之后，使含有所述半导体纳米粒子的溶液降温，作为S的供给源的固体状化合物含有硫脲。
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公开(公告)号：CN111801298A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980013171.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种呈现带边发射，量子产率优异的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法，包括如下内容：将含有Ag的盐、含In和Ga中的至少一种的盐、作为S的供给源的固体状化合物、和有机溶剂的第一混合物，升温至处于125℃以上且175℃以下的范围的温度；继所述升温之后，以处于125℃以上且175℃以下的范围的温度，对于所述混合物进行3秒以上热处理，得到含有半导体纳米粒子的溶液；继所述热处理之后，使含有所述半导体纳米粒子的溶液降温，作为S的供给源的固体状化合物含有硫脲。
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公开(公告)号：CN116969500A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310826414.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备包含Ag盐、含In和Ga中的至少一种的盐、和有机溶剂的混合物；将所述混合物升温到120℃以上且300℃以下的范围内的温度；向被升温的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子数相对于Ag的原子数之比的增加率成为10/分钟以下的方式添加S的供给源。
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公开(公告)号：CN113474291A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080013342.0
申请日：2020-02-07
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够制造粒度分布窄的半导体纳米粒子的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备包含Ag盐、含In和Ga中的至少一种的盐、和有机溶剂的混合物；将所述混合物升温到120℃以上且300℃以下的范围内的温度；向被升温的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子数相对于Ag的原子数之比的增加率成为10/分钟以下的方式添加S的供给源。
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公开(公告)号：CN103367611B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201310100170.2
申请日：2013-03-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: F21V9/30 , B05D5/06 , C23C16/45525 , F21K9/60 , F21V7/00 , F21V13/08 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , H01L31/055 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H05B33/12 , Y02E10/52 , Y10T428/24364 , Y10T428/24372 , Y10T428/24413 , Y10T428/24421 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供厚度、形状以及使用的无机荧光体的限制少的波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置。无机成型体（波长变换用无机成型体）（1）具有基板（2）和设置在基板（2）上的含有粒状的无机荧光体（31）的荧光体层（3）。另外，粒状的无机荧光体（31）被覆盖无机荧光体（31）的粒子且使该粒子彼此相互固定的由陶瓷构成的覆盖层（32）所覆盖。另外，在荧光体层（3）的内部形成有空隙（33），在荧光体层（3）的表面形成有由无机荧光体（31）的粒子的粒径引起的凹凸形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115717065B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202211303175.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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公开(公告)号：CN115612484B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202211302803.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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公开(公告)号：CN113474291B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202080013342.0
申请日：2020-02-07
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够制造粒度分布窄的半导体纳米粒子的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备包含Ag盐、含In和Ga中的至少一种的盐、和有机溶剂的混合物；将所述混合物升温到120℃以上且300℃以下的范围内的温度；向被升温的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子数相对于Ag的原子数之比的增加率成为10/分钟以下的方式添加S的供给源。
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公开(公告)号：CN115717065A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211303175.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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公开(公告)号：CN110337481A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880014289.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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