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公开(公告)号：CN116913676A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310978861.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高性价比烧结钕铁硼磁体及其晶界扩散制备方法和应用，属于稀土永磁材料技术领域，首先对烧结钕铁硼初始磁体进行预处理，然后在预处理后的烧结钕铁硼初始磁体c轴方向的两个表面依次沉积内层Tb膜和外层Dy膜，后经真空热处理，制得高性价比烧结钕铁硼磁体。先溅射Tb，后溅射Dy，Tb优先接近Nd‑Fe‑B表面，并形成Nd‑Tb‑Fe‑B硬磁壳，后溅射的Dy大部分会填充到晶界，起到晶界去耦合的作用，大大减少Tb在晶界的填充度，该方法与传统晶界扩散烧结钕铁硼磁体制备方法相比在降低重稀土Tb用量的同时，可有效保持或者提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力，大大提高了材料的性价比。
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公开(公告)号：CN116246873A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310027775.7
申请日：2023-01-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及稀土永磁材料领域，尤其涉及一种烧结钕铁硼磁体及其制备工艺，包括以下步骤：S1，对不含重稀土元素的烧结钕铁硼初始磁体进行预处理，获得预制钕铁硼磁体；S2，在预制钕铁硼磁体的表面溅射重稀土元素膜，获得沉积有重稀土膜的钕铁硼磁体；S3，将沉积有重稀土膜的钕铁硼磁体在真空下依次进行扩散热处理、第一退火热处理和第二退火热处理，获得烧结钕铁硼磁体。本发明采用磁控溅射方法在磁体表面沉积重稀土元素膜，可以沉积单面或双面或多面或全部表面都被沉积，理论沉积表面积越多，扩散效率越高，但是沉积面的多少和磁体最终性能影响不大，只影响热扩散过程的时间。将沉积完的磁体经分步真空热处理晶界扩散工艺，制得高性能烧结钕铁硼磁体。
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公开(公告)号：CN113193180A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110416890.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/1395 , H01M4/1393 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种具有表面偶联活性的硅/功能化石墨烯插层复合材料的制备方法，涉及锂离子电池新型负极材技术领域，所述方法包括以下步骤：S100、制备羧基功能化的石墨烯材料；S200、制备具有表面偶联活性的硅颗粒；S300、使用所述石墨烯材料和所述硅颗粒制备具有表面偶联活性的硅/功能化石墨烯插层复合材料。本发明使得硅和石墨烯两者表面都具有化学活性，降低大量的含氧官能团对电化学性能的消极影响，从而提高硅/功能化石墨烯插层复合材料的循环寿命和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN110010724B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910264296.0
申请日：2019-04-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法，涉及太阳能电池薄膜材料制备领域，包括：称取BaZrO3粉末并硫化处理得到靶材A；将蓝宝石放入磁控溅射系统中镀钨得到衬底B；对靶材A和衬底B进行镀膜得到样品C；将样品C进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料。本发明首先制备靶材和金属衬底，然后将制备的靶材和金属衬底放置在脉冲激光沉积设备中溅射镀膜得到样品，然后对样品进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料，填补了利用金属衬底制备钙钛矿结构的太阳能电池薄膜材料的空白，对于利用金属衬底制备钙钛矿结构的太阳能电池薄膜材料具有一定的指导意义。
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公开(公告)号：CN109321792B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811388856.5
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有交换偏置效应的Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料，属于磁性材料制备领域，其化学式为Mn50Ni50‑xGax，其中x的原子百分比为2～14。本发明还公开了一种具有交换偏置效应的Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1、根据Mn50Ni50‑xGax的原子百分比分别称取纯度不低于99.9％的Mn、Ni、Ga；步骤2、采用电弧熔炼或定向凝固法制备Mn、Ni、Ga得到Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料样品；步骤3、将得到的样品热处理和测试及表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111029072A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911363609.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料及其制备方法，涉及磁性材料制备技术领域，本发明公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料，所述材料的化学式为Ni2Mn1+xSi1-x，其中，x的取值范围为0≤x≤0.2；本发明还公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：S100、根据Ni2Mn1+xSi1-x合金的原子百分比分别称取纯度不低于99.9％的Ni、Mn、Si原料，其中Mn的质量在计算后过量添加5％；S200、熔炼所述原料得到Ni-Mn-Si样品；S300、将所述样品热处理。
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公开(公告)号：CN109261961A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811213927.8
申请日：2018-10-18
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: B22F3/1055 , B22F3/10 , B22F3/1007 , B33Y10/00 , C23C10/22 , H01H11/04
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备铜基电接触材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)建立Cr的三维骨架模型，3D打印成型；(2)在步骤(1)得到的Cr三维骨架中置入软磁相芯结构；以及(3)将高导电相Cu渗入步骤(2)得到的骨架中。本发明的铜基电接触材料具有有序的磁场微结构单元，能够在起表面产生较大的磁场驱动电弧斑点运动，提高材料的分断电流能力和耐电压击穿能力。
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公开(公告)号：CN108642606A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810323957.8
申请日：2018-04-11
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及四氧化三钴/碳纳米纤维复合材料及其制备方法和应用，其中所述方法包括如下步骤：(1)静电纺丝过程，制备含有钴的高分子聚合物纳米纤维并干燥所述含有钴的高分子聚合物纳米纤维；以及(2)热处理过程，制得四氧化三钴/碳纳米纤维复合材料。本发明的四氧化三钴/碳纳米纤维复合材料可用于锂离子电池负极材料，具有高的容量和良好的导电性，同时抑制了体积膨胀，使得锂离子电池的循环性能良好。
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公开(公告)号：CN105755346A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236829.0
申请日：2016-04-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni?Mn?In室温磁制冷材料及其制备方法，所述材料是Ni?Mn基的Huesler合金，其化学通式为：Ni50Mn50?xInx，所述化学通式Ni50Mn50?xInx中X的取值范围为7～25。所述材料为优异磁制冷材料，当马氏体相变区和另一低温磁性转变区相邻时，在高磁场时，会产生磁致相变，提高磁熵变的面积，从而得到优异的磁制冷材料。同时本发明提供制备这种材料的方法，该方法主要包括以下内容：首先通过电弧熔炼制备一系列Ni50Mn50?xInx合金，其原料包括Ni，Mn及In，将这三种元素按照化学计量比进行配比，采用电弧熔炼法进行制备。
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