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公开(公告)号：CN115338414B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202211004221.7
申请日：2022-08-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: B22F9/08 , C22C1/05 , C22C21/00 , B22F1/0655
Abstract: 一种热膨胀系数可调控的Al‑ZrW2O8超轻材料的制备方法，采用电弧熔炼合成及制备ZrW2O8熔体、铝粉和高压氩气雾化ZrW2O8熔体的方法制备Al‑空心ZrW2O8超轻近零膨胀材料；具体方法为：分别将ZrO2和WO3粉末热压烧结成块体压坯，再将压坯通过电弧烧蚀熔化合成ZrW2O8熔体；采用氩气和Al粉的混合物雾化ZrW2O8熔体；雾化后形成的ZrW2O8空心微粉与铝粉共同沉积形成Al‑空心ZrW2O8块体，制备出具有近零热膨胀或负热膨胀系数的超轻Al‑ZrW2O8材料，保证致密的同时，实现液相原位制备零热膨胀系数材料并且有效降低材料密度。
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公开(公告)号：CN112658221B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011397908.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种高熵合金的连续铸造方法，首先将等摩尔的五种或五种以上的金属元素粉末进行高能球磨，使元素粉末发生均匀混合和机械合金化，然后将高能球磨后粉末，装入热压模具，在模具通电并施加压力，使粉末颗粒间发生等离子体放电并进而发生粉末熔化，在压力的作用下使形成熔化的液相连续不断地挤出模具，冷却得到高熵合金固体；本发明多组元粉末颗粒晶界放电形成液相，挤压形成液流并进而连续铸造形成高熵合金固体，解决高熵合金制备方法中液相法易形成夹杂物、粉末法难以致密化的问题。
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公开(公告)号：CN103103403A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310028156.6
申请日：2013-01-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种电子封装材料，其特征在于，由基体和增强体组成，基体为铝、铜、铝合金或铜合金，增强体为占总质量百分比的0.5－30％石墨烯，石墨烯为层数1～20、1～5000μm2微小片状或面积在1mm2以上的片状；所述铝或铜金属中包含有Cr、Fe、Ti、W、B、或Mo元素，Cr、Fe、Ti、W、B、或Mo元素含量为0.05％～1％；本发明的优点是：高导热，高强度，低密度，环保，可加工性能好；作为电子封装材料，此复合材料有优异的性能，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101197215B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200810017203.6
申请日：2008-01-02
Applicant: 陕西艺林实业有限责任公司 , 西安交通大学
IPC: H01H1/0233 , H01H11/04
Abstract: 一种纳米金刚石掺杂银基触头材料的加工方法，采用高能球磨技术将纳米金刚石分散并弥散分布于银粉末中，由于高能球磨的作用在银纳米金刚石粉末内部引入较大的应力，从而为银原子提供高的扩散活性，之后经过低温退火使部分银原子扩散到复合粉末边界，解决了纳米金刚石的团聚和偏聚的技术难题，同时利用具行高塑性银膜的粉末结构使材料获得好的工艺塑性。
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公开(公告)号：CN100576519C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810151044.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种具有显微扩散阻挡层的铜/硅电子封装材料及其制备方法，该封装材料的硅颗粒表面是由1nm-10μm厚度氧化铝、氮化铝或二者复合构成的扩散阻挡层薄膜，铜组元构成连续基体组织；本发明的方法为首先在硅粉表面涂覆氧化铝薄膜或其前驱体，然后将涂覆后的硅粉在真空、还原气氛或(与碳粉混合后)在氮气中焙烧，表面处理后的硅粉与铜粉经混粉、烧结等工艺获得致密化材料；本发明在铜、硅粉末表面镀覆氧化铝/氮化铝扩散阻挡层薄膜，用扩散阻挡层阻隔铜、硅二组元在高温烧结时的相互扩散和界面反应，从而通过高温烧结得到铜/硅封装材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101445882A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810236490.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: C22C1/05
Abstract: 一种高硅含量的铝/硅合金的制备方法，首先，将占总重量40％－80％、粒径为1～300μm的硅粉与占总重量60％－20％、粒径为1～300μm的铝粉混合后放入球磨罐中进行高能球磨，在球磨过程中可选用占粉末体积比为0.001－5vol％的液体介质如无水乙醇、丙酮、航空汽油或煤油作为工艺控制剂，球磨粉末经20－300MPa冷压、450－900℃烧结1－10小时，硅、铝混合粉末经高能球磨后可以明显细化，细化粉末由于具有更大的表面能量和反应活性而有助于烧结致密化，从而得到硅粒子尺寸在0.5～150μm、组织均匀、性能优良的铝/硅电子封装材料。
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公开(公告)号：CN101197215A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200810017203.6
申请日：2008-01-02
Applicant: 陕西艺林实业有限责任公司 , 西安交通大学
IPC: H01H1/0233 , H01H11/04
Abstract: 一种纳米金刚石掺杂银基触头材料及其加工方法，该触头材料具有表面银膜包覆的银纳米金刚石粉末，纳米金刚石粒子均匀弥散地分布于复合粉末的晶粒内部；本发明的方法为采用高能球磨技术将纳米金刚石分散并弥散分布于银粉末中，由于高能球磨的作用在银纳米金刚石粉末内部引入较大的应力，从而为银原子提供高的扩散活性，之后经过低温退火使部分银原子扩散到复合粉末边界，解决了纳米金刚石的团聚和偏聚的技术难题，同时利用具有高塑性银膜的粉末结构使材料获得好的工艺塑性。
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公开(公告)号：CN114694984B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210468194.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H1/0237 , H01H11/04
Abstract: 一种具有磁场自调控功能的银氧化锡智能触点，其SnO2第二相从传统触点中的弥散分布改变为有序定向分布的骨架结构，其中的Ag相微观上呈3D有序定向排列；这种触点的内部电流从常规AgSnO2触点的无序流动改变为有序定向流动，使开断过程中触点表面区域自动形成预设的横向或纵向磁场，从而对开断电弧起加速运动作用或约束作用，能够大幅度提高触点的抗电弧侵蚀能力和开关的开断能力，得到一种具有自动控制表面磁场结构和电弧行为的智能型电接触材料。
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公开(公告)号：CN114694984A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210468194.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H1/0237 , H01H11/04
Abstract: 一种具有磁场自调控功能的银氧化锡智能触点，其SnO2第二相从传统触点中的弥散分布改变为有序定向分布的骨架结构，其中的Ag相微观上呈3D有序定向排列；这种触点的内部电流从常规AgSnO2触点的无序流动改变为有序定向流动，使开断过程中触点表面区域自动形成预设的横向或纵向磁场，从而对开断电弧起加速运动作用或约束作用，能够大幅度提高触点的抗电弧侵蚀能力和开关的开断能力，得到一种具有自动控制表面磁场结构和电弧行为的智能型电接触材料。
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公开(公告)号：CN110273073A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910438425.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种镍磷靶材的制备方法，首先在密闭式真空容器中加热磷颗粒产生磷蒸气，将高温气相磷蒸气通过真空管道和阀门以及盛装镍熔体的坩埚底部通道通入镍熔体中，使在镍熔液中原位生成含5-50wt％磷的镍磷金属间化合物，最后将镍磷金属间化合物加工成镍磷靶材；本发明中对于产生高温磷蒸气及其产生和通过的真空容器、管道、阀门，真空密封采用不与磷蒸气发生反应的金、银或铜金属密封圈；在磷的加料、发生磷蒸气、磷蒸气的输送及与镍熔体反应生成镍磷金属间化合物的全过程中，整个系统始终保持在与外界隔离的真空状态，以避免磷蒸气凝结生成的剧毒白磷对环境的污染。
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