公开(公告)号：CN1501557A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310116361.4

申请日：2003-11-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田祯亮 ,  宫嵜启介 ,  和田一彦 ,  辰巳正毅 ,  森本泰司

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/222 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2302/00

Abstract: 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。